Al組成比 の意味・用法を知る

複数の結晶粒と、結晶粒の間の非晶質相とを含み、結晶粒は、それぞれ、ｆｃｃ構造を有するＴｉ1-xＡｌxＮ層と、ｈｃｐ構造を有するＴｉ1-yＡｌyＮ層とが交互に積層された構造を有しており、Ｔｉ1-xＡｌxＮ層のＡｌ組成比ｘは０≦ｘ＜１の関係を満たし、Ｔｉ1-yＡｌyＮ層のＡｌ組成比ｙは０＜ｙ≦１の関係を満たし、Ａｌ組成比ｘとＡｌ組成比ｙとは（ｙ−ｘ）≧０．１の関係を満たし、非晶質相は、ＴｉおよびＡｌの少なくとも一方の炭化物、窒化物または炭窒化物を含む硬質被膜である。

• 公開日：2016/01/12
• 出典：硬質被膜、切削工具および硬質被膜の製造方法
• 出願人：住友電工ハードメタル株式会社

半導体発光素子１００は、ゲート層１１２とカソード層１１６との間に、カソードとして機能する調整層１１４を設けた。調整層１１４は、カソード層１１６よりもＡｌ組成比が高く、バンドギャップが大きい。また、調整層１１４は、ゲート層１０８と接するゲート層１０８と接するＤＢＲ層１０６の半導体膜１０６Ａ（Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ）とＡｌ組成比が同じであり、バンドギャップが等しい。

• 公開日：2015/04/30
• 出典：半導体発光素子、光源ヘッド、及び画像形成装置
• 出願人：富士ゼロックス株式会社

半導体光電陰極において、ガラス基板にＳｉＯ２層を介して貼り付けられたＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦Ｘ＜１）と、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層上に形成されたアルカリ金属含有層と、を備え、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層は、前記アルカリ金属含有層に隣接する第１領域と、前記ＳｉＯ２層に隣接する第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間に位置する中間領域と、を備え、前記第１領域における有効Ａｌ組成比Ｘ（１１）は、０（％）≦Ｘ（１１）≦３０（％）を満たし、前記第２領域における一定の有効Ａｌ組成比Ｘは、１５（％）≦Ｘ≦Ｘ（１１）＋５０（％）を満たすことを特徴とする半導体光電陰極。

• 公開日：2013/10/31
• 出典：半導体光電陰極及びその製造方法、電子管並びにイメージ増強管
• 出願人：サンケン電気株式会社

基体１１と、ＧａＮからなる電子走行層１２、およびＡｌを含む窒化物半導体層１３−１〜１３−ｎを少なくとも２層積層した構造を有するとともに電子走行層１２よりも平均的にバンドギャップが広く平均Ａｌ組成比Ｘの電子供給層１３を有する半導体積層体と、半導体積層体を構成する層の少なくとも一部の層上に設けられる第１電極、および第２電極とを備え、電子供給層１３が、平均Ａｌ組成比Ｘよりも高い極大Ａｌ組成比ｘ１の第１窒化物層と平均Ａｌ組成比Ｘよりも低い極小Ａｌ組成比ｘ２の第２窒化物層とを交互に少なくとも１回積層し、極大Ａｌ組成比ｘ１が平均Ａｌ組成比Ｘに対して０．０３以上０．３未満の範囲内で高い。

• 公開日：2015/06/22
• 出典：窒化物半導体装置およびその製造方法、ならびにダイオードおよび電界効果トランジスタ
• 出願人：古河電気工業株式会社

第１ｐ側層２１は、Ｍｇを含む。第１ｐ側層２１として、例えば、Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）が用いられる。第１ｐ側層２１のＡｌ組成比ｘ１は、例えば、０以上０．０１未満である。第１ｐ側層２１には、例えば、ｐ形ＧａＮ層が用いられる。第１ｐ側層２１は、例えば、ｐ側コンタクト層である。第１ｐ側層２１におけるＭｇ濃度は、例えば、１×１０２０ｃｍ−３以上３×１０２１ｃｍ−３以下ある。第１ｐ側層２１の厚さは、例えば、５ナノメートル（ｎｍ）以上２０ｎｍ以下であり、例えば、約１０ｎｍである。

• 公開日：2014/07/10
• 出典：半導体発光素子及びその製造方法
• 出願人：株式会社東芝

ｐ−ＧａＮからなるｐコンタクト層１６上に接して、ＡｌＧａＮからなる半導体層１８が位置し、半導体層１８上に接してＩＴＯからなる透明電極１９が位置している。半導体層１８は、Ａｌ組成比が１０〜５０％のＡｌＧａＮからなり、厚さは２〜５０Åである。半導体層１８の発光波長における屈折率は、ｐコンタクト層１６の屈折率よりも小さく、透明電極１９の屈折率よりも大きい。このような半導体層１８を設けることで、ｐコンタクト層１６と透明電極１９との間での反射が抑制されるため、光取り出し効率が向上する。

• 公開日：2014/01/16
• 出典：ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
• 出願人：豊田合成株式会社

...Ｎ中間層と、ＧａＮ中間層の上に設けられＡｌｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１≦１）の高Ａｌ組成層と、高Ａｌ組成層の上に設けられＡｌｙ１Ｇａ１−ｙ１Ｎ（０＜ｙ１＜１、ｙ１＜ｘ１）の低Ａｌ組成層と、を含む積層中間層を含む積層体と、積層体の上に設けられた機能層と、を含む半導体発光素子が提供される。低Ａｌ組成層のＡｌ組成比は、無歪みのＧａＮの格子間隔と無歪みのＡｌｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１≦１）の格子間隔との差の絶対値に対する、無歪みのＧａＮの格子間隔と高Ａｌ組成層の格子間隔との差の絶対値の比、以下である。低Ａｌ組成層は圧縮歪みを有している。高Ａｌ組成層の格子間隔は、無歪みのＡｌｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎの格子間...

• 公開日：2013/09/19
• 出典：窒化物半導体素子及びウェーハ
• 出願人：株式会社東芝

...順にｎ型バッファ層１１、Ｓｉをドーパントとして含むＡｌＧａＩｎＰ系半導体からなるｎ型クラッド層１２、活性層１３、ＭｇまたはＺｎをドーパントとして含むＡｌＧａＩｎＰ系半導体からなるｐ型クラッド層１４、エッチングストップ層１５、およびｐ型コンタクト層１７が形成されている。ここで、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体のＡｌ組成比ｘを、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐで規定されるＡｌとＧａの組成比とし、ｎ型クラッド層１２の組成を（ＡｌｘｎＧａ１−ｘｎ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ（０．９＜ｘｎ＜１）、ｐ型クラッド層１４の組成を（ＡｌｘｐＧａ１−ｘｐ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ（０．９＜ｘｐ≦１）としたとき、ｎ型クラッド層のＡｌ...

• 公開日：2013/07/22
• 出典：半導体レーザ装置
• 出願人：ウシオオプトセミコンダクター株式会社

...中間層と、ＧａＮ中間層の上に設けられＡｌｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１≦１）の高Ａｌ組成層と、高Ａｌ組成層の上に設けられＡｌｙ１Ｇａ１−ｙ１Ｎ（０＜ｙ１＜１、ｙ１＜ｘ１）の低Ａｌ組成層と、を含む積層中間層を含む積層体と、積層体の上に設けられた機能層と、を含む窒化物半導体素子が提供される。低Ａｌ組成層のＡｌ組成比は、無歪みのＧａＮの格子間隔と無歪みのＡｌｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１≦１）の格子間隔との差の絶対値に対する、無歪みのＧａＮの格子間隔と高Ａｌ組成層の格子間隔との差の絶対値の比、以下である。低Ａｌ組成層は圧縮歪みを有している。高Ａｌ組成層の格子間隔は、無歪みのＡｌｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎの格子間...

• 公開日：2015/02/26
• 出典：窒化物半導体素子及びウェーハ
• 出願人：株式会社東芝

...た第２電極と、を層構造で備える垂直共振面発光レーザであって、前記活性層、前記第１クラッド層、前記第２クラッド層、前記第１多層膜反射層、前記第２多層膜反射層は、ＡｌＧａＡｓ材料からなり、前記第１クラッド層および前記第２クラッド層の少なくとも一方に、前記活性層の前記量子井戸を形成するための光閉じ込め層のＡｌ組成比率よりも低く、前記量子井戸のＡｌ組成比率よりも高いＡｌ組成比率となる低活性エネルギー層を備える、垂直共振面発光レーザ。

• 公開日：2015/07/30
• 出典：垂直共振面発光レーザ
• 出願人：株式会社村田製作所