Al電極 の意味・用法を知る

図７（Ａ）に示すように、半導体基板１０１上にＡｌ電極パッド１１１を形成し、このＡｌ電極パッド１１１を含む全面上にパッシベーション膜１１２を形成する。次いで、パッシベーション膜１１２にＡｌ電極パッド１１１上に位置する開口部を形成する。

• 公開日：2016/10/13
• 出典：電子部品及びその製造方法
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

ＥＳＤ保護デバイス１は、Ｓｉ基板１０と再配線層２０とを備える。再配線層２０に形成されたＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉ電極２４Ａは、平面視で、Ｓｉ基板１０の表面に形成されたＡｌ電極膜１２１と重なり、Ａｌ電極膜１３１と重ならない領域にて引回されて、外部電極に接続されている。Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ電極２４Ｂは、平面視で、Ｓｉ基板１０の表面に形成されたＡｌ電極膜１３１と重なり、Ａｌ電極膜１２１と重ならない領域にて引回されて、外部電極に接続されている。外部電極は、再配線層２０の表面に形成され、平面視で、Ａｌ電極膜１１１〜１１３と重なり、Ａｌ電極膜１２１，１３１と重ならない領域にそれぞれ設けられている。

• 公開日：2016/03/17
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社村田製作所

ＥＳＤ保護デバイス（１）は、Ｓｉ基板（１０）と再配線層（２０）とを備える。再配線層（２０）のＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉ電極（２３Ａ，２３Ｂ）は、コンタクトホール（２２Ａ，２２Ｂ）を介し、Ｓｉ基板（１０）の表面に形成されたＡｌ電極膜（１１１〜１１３，１２１，１３１）を有するＥＳＤ保護回路と導通している。Ａｌ電極膜（１２１）はＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉ電極（２３Ａ）、Ａｌ電極膜（１３１）はＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉ電極（２３Ｂ）に導通する。Ａｌ電極膜（１１１，１２１）間にはダイオード形成領域（１４１）が、Ａｌ電極膜（１１２，１３１）間にはダイオード形成領域（１４４）が形成される。Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ電極（２４Ａ）はダイオード形成領...

• 公開日：2017/02/02
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社村田製作所

ＥＳＤ保護デバイスは、ツェナーダイオード（Ｄｚ）と、ツェナーダイオード（Ｄｚ）に並列接続された、ダイオード（Ｄ１，Ｄ２）の直列回路と、ダイオード（Ｄ３，Ｄ４）の直列回路とを備える。ダイオード（Ｄ１，Ｄ２）の接続点には、Ａｌ電極膜（１２１）がＳｉ基板（１０）の表面に形成され、ダイオード（Ｄ３，Ｄ４）の接続点には、Ａｌ電極膜（１３１）がＳｉ基板（１０）の表面に形成されている。ダイオード（Ｄ１，Ｄ３）は、Ｓｉ基板（１０）の表面に形成され、ダイオード（Ｄ２，Ｄ４）は、Ｓｉ基板（１０）の厚み方向に形成されている。Ｓｉ基板（１０）は、平面視で、長手方向および前記長手方向に直交する短手方向を有し、Ａｌ電極膜...

• 公開日：2017/02/02
• 出典：ＥＳＤ保護デバイス
• 出願人：株式会社村田製作所

本発明は、熱サイクルに起因して発生する横方向の応力により半導体素子のＡｌ電極が破壊されることを防ぐとともに、Ｎｉ膜の内部応力による半導体基板の反りを低減する半導体装置を提供することを目的とする。

• 公開日：2012/09/06
• 出典：半導体装置
• 出願人：トヨタ自動車株式会社

半導体チップ１に設けられたＡｌ電極４上に生成したＡｌ酸化皮膜５の適当な箇所に、該皮膜５を貫通してＡｌ電極４まで届く微小金属１１を形成させており、酸化物貫通微少金属を具備した一種類のＡｌ電極をはんだ直接付け及びワイヤボンディング両用とすることが出来る。

• 公開日：2010/08/05
• 出典：半導体装置及びその製造方法
• 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

Ａｕ−Ａｌの拡散による強度劣化がなく、Ａｕ／Ａｌ接触部の腐食がなく、コスト的に有利な信頼性の高い手法でＡｌ電極をフリップチップ接合する半導体装置の部品実装方法、及び半導体装置の実装部品を提供する。

• 公開日：2010/10/21
• 出典：半導体装置の部品実装方法、及び半導体装置の実装部品
• 出願人：株式会社デンソー

半導体基板表面にＰ型領域を形成する工程と、該Ｐ型領域上にＡｌ電極を形成する工程と、該Ａｌ電極と接し、Ａｌと比較してＳｉと反応しづらい物質からなる層間膜を形成する工程と、該層間膜上にＳｉを含有する半絶縁性膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。

• 公開日：2010/03/18
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：三菱電機株式会社

Ａｌ電極の表面上に、無電界めっき法により、均一な膜厚のＮｉ層を形成する。

• 公開日：2008/02/07
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：株式会社デンソー

請求項１に記載の双方向フォトサイリスタチップにおいて、上記キャリア移動抑制領域は、リンがドープされた酸素ドープ半絶縁多結晶シリコン膜を含んでおり、上記リンがドープされた酸素ドープ半絶縁多結晶シリコン膜は、Ａl電極によって上記基板と電気的に接続されていることを特徴とする双方向フォトサイリスタチップ。

• 公開日：2006/08/31
• 出典：双方向フォトサイリスタチップ
• 出願人：シャープ株式会社