面内分布 の意味・用法を知る

本開示の照射光学系は、光源からの光の 面内分布 を均一な面内分布に近づける均一化部と、均一化部によって均一な面内分布に近付けられた光を所定の方向に発散させる照射レンズ部とを備え、照射レンズ部は、光源側から順に、所定の方向に負の屈折力を有する第１および第２のシリンドリカルレンズを含む。

• 公開日：2017/11/16
• 出典：照射光学系およびプロジェクタ
• 出願人：ソニー株式会社

半導体積層物の観察方法は、第１導電型を有する第１半導体層、および、第１半導体層の上方に成長され、第２導電型を有し、第１半導体層とｐｎ接合を構成する第２半導体層を有する半導体積層物と、第１半導体層上に配置された第１電極と、第２半導体層上に配置された第２電極と、を有する構造体について、第２半導体層の第２電極との界面を構成する表面のモホロジを取得する工程Ｓ１１と、第１電極と前記第２電極との間への順方向電圧印加によりｐｎ接合から放出されたエレクトロルミネッセンス光の強度の 面内分布 を取得する工程Ｓ１２と、モホロジとエレクトロルミネッセンス光の強度の面内分布とを比較する工程Ｓ１３と、を有する。

• 公開日：2018/03/01
• 出典：半導体積層物の観察方法、観察装置、観察プログラム、および、半導体装置の製造方法
• 出願人：学校法人法政大学

請求項３に記載の熱処理装置であって、前記基板が、表面部に不純物が注入された半導体基板であり、前記熱処理装置が、前記第１の照射および前記第２の照射による加熱が施された後の前記半導体基板の表面部におけるシート抵抗の実際の 面内分布 と、前記半導体基板の表面部におけるシート抵抗の面内分布について予め設定された基準となる基準面内分布との関係に応じて、前記反射部の少なくとも一部分と前記複数の第１ランプとの角度関係を変更させる制御部、を更に備えることを特徴とする熱処理装置。

• 公開日：2016/10/13
• 出典：熱処理装置、および熱処理装置の調整方法
• 出願人：株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

そして、制御部は、静電容量の 面内分布 および温度の面内分布の少なくともいずれかの均一化を図るように制御する。

• 公開日：2017/03/30
• 出典：プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
• 出願人：芝浦メカトロニクス株式会社

基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、反射層が、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層を交互に複数回積層させてなる多層反射膜１２であり、多層反射膜の表面における、基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の 面内分布 に応じて、多層反射膜１２を構成する各層のうち、少なくとも１層を基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、基板の中心から半径方向におけるＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制する。

• 公開日：2014/01/30
• 出典：ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板およびその製造方法
• 出願人：旭硝子株式会社

そして、制御部は、静電容量の 面内分布 および温度の面内分布の少なくともいずれかの均一化を図るように制御する。

• 公開日：2013/10/07
• 出典：プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
• 出願人：芝浦メカトロニクス株式会社

本発明は、歪点が６８０℃以上であり、ヤング率が７８ＧＰａ以上であり、波長３００ｎｍにおける紫外線透過率が、厚み０．５ｍｍ換算で４０〜８５％であり、Ｇ６サイズの基板での、波長３００ｎｍにおける紫外線透過率の 面内分布 が厚み０．５ｍｍ換算で１％以下であり、レートクール法で求められるガラス転移点付近の平均冷却速度が４００℃／ｍｉｎ以下であり、該平均冷却速度の面内分布が４０℃／ｍｉｎ以下であり、酸化物基準の質量百分率表示で、ＳｉＯ２５０〜７３、Ａｌ２Ｏ３ １０．５〜２４、Ｂ２Ｏ３ ０〜５、ＭｇＯ ０〜１０、ＣａＯ ０〜１４．５、ＳｒＯ ０〜２４、ＢａＯ ０〜２０、ＺｒＯ２ ０〜５、ＳｎＯ２ ０．０１...

• 公開日：2017/02/23
• 出典：無アルカリガラス基板およびその製造方法
• 出願人：旭硝子株式会社

基板抵抗にかかわらずシリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および 面内分布 を高精度に評価するための手段を提供すること。

• 公開日：2012/12/10
• 出典：シリコンウェーハの評価方法および製造方法
• 出願人：株式会社ＳＵＭＣＯ

第１化合物半導体および第２化合物半導体を積層した積層半導体を含み、前記第１化合物半導体の所定物性値が第１ 面内分布 を有し、前記第２化合物半導体の前記所定物性値が前記第１面内分布とは異なる第２面内分布を有し、前記積層半導体における前記所定物性値の面内分布の幅が、前記第１面内分布の幅または前記第２面内分布の幅より小さい半導体基板を提供する。

• 公開日：2011/06/02
• 出典：半導体基板、電子デバイスおよび半導体基板の製造方法
• 出願人：住友化学株式会社

これは、流速が遅い場合に、流速分布が均一化されても、慣性力の大きい流量の大きい状態で膜厚の 面内分布 が乱れるガス流路装置は性能が低いと判断すべきであるためである。

• 公開日：2007/09/27
• 出典：化学的気相成長装置及びガス流路装置
• 出願人：創光科学株式会社