電界成分 の意味・用法を知る
電界成分 とは、その他の電気量の測定 や電場又は磁場に対する装置又は部品の遮蔽 などの分野において活用されるキーワードであり、浜松ホトニクス株式会社 や日立金属株式会社 などが関連する技術を1,110件開発しています。
このページでは、 電界成分 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
電界成分の意味・用法
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第一の辺上に位置するとともに第二の辺に沿った一の 電界成分 を、当該電界成分の周囲の複数の第二の辺上に位置するとともに第二の辺に沿った複数の電界成分に基づいて算出する。
- 公開日:2017/10/05
- 出典:航空機機体構造材の耐雷試験方法
- 出願人:株式会社SUBARU
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...onic enhanced quantum well infrared photodetector with high detectivity", Appl. Phys. Lett., 96, 161107(2010). このように、半導体積層体の積層方向の 電界成分 を有しない光を検出するために、当該光を当該積層方向の電界成分を有するように変調する技術が種々提案されており、そのような光の変調の効率化が望まれている
- 公開日:2016/01/12
- 出典:光学素子及び光検出器
- 出願人:浜松ホトニクス株式会社
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この光検出器1Aは、第1の領域、及び所定の方向に垂直な面に沿って第1の領域に対し周期的に配列された第2の領域を含む構造体を有し、所定の方向に沿って光が入射したときに所定の方向の 電界成分 を生じさせる光学素子10と、光学素子10に対し所定の方向における一方の側とは反対側の他方の側に配置され、光学素子10により生じさせられた所定の方向の電界成分によって電流を生じる量子カスケード構造を有する半導体積層体4と、を備え、量子カスケード構造は、電子が励起されるアクティブ領域4bと、電子を輸送するインジェクタ領域4cとを含み、アクティブ領域4bは、量子カスケード構造においてインジェクタ領域4cに対して一方の側...
- 公開日:2016/01/12
- 出典:光検出器
- 出願人:浜松ホトニクス株式会社
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この光検出器1Aは、第1の領域、及び所定の方向に垂直な面に沿って第1の領域に対し周期的に配列された第2の領域を含む構造体を有し、所定の方向に沿って光が入射したときに所定の方向の 電界成分 を生じさせる光学素子10と、光学素子10に対し所定の方向における一方の側とは反対側の他方の側に配置され、光学素子10により生じさせられた所定の方向の電界成分によって電流を生じる量子カスケード構造を有する半導体積層体4と、を備え、量子カスケード構造は、第1の量子上位準位、及び当該第1の量子上位準位よりも低い第2の量子上位準位を有するアクティブ領域4bと、アクティブ領域4bで励起された電子を輸送するインジェクタ領域4...
- 公開日:2016/01/12
- 出典:光検出器
- 出願人:浜松ホトニクス株式会社
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前記第1の電磁界成分算出工程は、前記解析空間における 電界成分 を算出する第1電界成分算出工程と、前記解析空間の最外壁境界面での電磁波が反射しないような吸収境界条件を算出し、前記電界成分算出工程で算出された前記解析空間における吸収境界面上の電界成分を書き換える第1電界成分の吸収境界条件算出工程と、前記解析空間における磁界成分を算出する第1磁界成分算出工程と、前記解析空間の最外壁境界面での電磁波が反射しないような吸収境界条件を算出し、前記磁界成分算出工程で算出された前記解析空間における吸収境界面上の磁界成分を書き換える第1磁界成分の吸収境界条件算出工程と、前記第2の電磁界成分算出工程は、前記仮想回路...
- 公開日:2012/01/05
- 出典:解析方法および解析装置
- 出願人:東日本電信電話株式会社
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導電線路111,112上の測定 電界成分 レベル(測定磁界成分レベル)の内の最大レベル値と導電線路111,112間の測定電界成分レベル(測定磁界成分レベル)の内の最小レベル値との差が、予め定められた基準レベルΔref以下か否かで、導電線路111,112上におけるコモンモードノイズの有無を判別する。
- 公開日:2007/12/27
- 出典:コモンモードノイズ検出方法
- 出願人:株式会社村田製作所
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近傍電磁界の 電界成分 を測定する電界プローブであって、略平行な長い経路とこの長い経路の先端同士を連結するようにして構成される短い経路とからなるループ状に形成された導体と、この導体に発生する誘導起電力を測定するとともにこのループ全体の誘導起電力を上記短い経路の一方における近傍電界成分に相当する値として出力する電界成分出力手段とを具備することを特徴とする電界プローブ。
- 公開日:2002/08/14
- 出典:電界プローブ
- 出願人:株式会社メルコホールディングス
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前記電界は、前記基板と略平行な方向及び略垂直な方向に強い 電界成分 を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
- 公開日:2007/09/27
- 出典:液晶装置及び電子機器
- 出願人:エプソンイメージングデバイス株式会社
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上記制御部は、あらかじめ設定された計算上次回の磁界成分の演算時間に達して、待機状態にある上記回路シミュレーシ解析を行う上記情報処理装置に、算出した電圧値に基づいて算出した 電界成分 の情報を、上記電界と磁界の解析を行う上記情報処理装置に転送する指示を送信するステップを有する請求項10記載の回路解析方法。
- 公開日:2004/02/19
- 出典:回路解析システム及びその解析方法
- 出願人:ソニー株式会社
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超低周波の電磁波を測定し、その 電界成分 を正成分、負成分にも分割してデジタル表示並びにアナログ表示も可能とする。
- 公開日:1999/03/26
- 出典:超低周波の電磁波測定装置
- 出願人:薩谷泰資
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