電界分布 の意味・用法を知る
電界分布 とは、光集積回路 や可変指向性アンテナ、アンテナ配列 などの分野において活用されるキーワードであり、東日本電信電話株式会社 や株式会社リコー などが関連する技術を435件開発しています。
このページでは、 電界分布 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
電界分布の意味・用法
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供試機器を囲む面上に複数の測定点を設定して、測定対象となる周波数の 電界分布 と電界強度分布の少なくとも一方を測定し、得られた電界分布と電界強度分布の少なくとも一方における隣接する2つの測定点間の電界と電界強度の少なくとも一方にゼロを入力した後、電界分布と電界強度分布の少なくとも一方に測定対象となる周波数が遮断周波数のデジタルローパスフィルターをかけることで、隣接する2つの測定点間の電界と電界強度の少なくとも一方を補間し、得られた電界分布と電界強度分布の少なくとも一方から最大電界強度が得られる位置を特定する。
- 公開日:2017/10/05
- 出典:放射妨害波測定装置
- 出願人:TDK株式会社
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上記E12は、x軸方向における 電界分布 の山と谷の合計数は1であり、y軸方向における山と谷の合計数が2であるモードを表す。
- 公開日:2017/02/16
- 出典:導波路型モード変換器
- 出願人:東日本電信電話株式会社
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狭ピッチ化された導電体パターンの検査時に、容量結合により交流波形の検査信号によって生じる 電界分布 の裾側が非検査対象の導電体パターンに印加されて、センサ部の検出信号に混入し、真の検出信号に対してノイズとして影響を与えている。
- 公開日:2014/07/24
- 出典:回路パターン検査装置
- 出願人:オー・エイチ・ティー株式会社
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n領域3の 電界分布 21およびp領域4の電界分布22のいずれも、逆バイアス時のアバランシェ電流が流れ始める直前の状態を示している。
- 公開日:2009/08/20
- 出典:半導体素子およびその製造方法
- 出願人:富士電機株式会社
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クラッド部11より屈折率の高いコア部10を備え、前記コア部10の半径より光のモードフィールド半径を大きくすることにより、光の 電界分布 と音響波基本モードの分布との重なり積分を低減し、誘導ブリルアン散乱を抑制した。
- 公開日:2010/08/12
- 出典:光ファイバ
- 出願人:東日本電信電話株式会社
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ドリフトチューブ電極間のギャップ内での 電界分布 に粗密が発生することで、ギャップ中央よりもドリフトチューブ電極近傍にて最大となる電界分布となった場合でも、表面電界強度が放電限界の基準値を超えるのを抑制する。
- 公開日:2010/10/07
- 出典:Hモード型ドリフトチューブ線形加速器
- 出願人:三菱電機株式会社
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前記保持工程の所定の電圧は所定の周波数で変調された電圧を有し、前記検出・変換工程は該変調周波数で変調された電磁波を時間的に変化する電場信号に変換し、変調された電圧が印加された回路部分の 電界分布 を測定することを特徴とする、請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体デバイスの電界分布測定方法。
- 公開日:2006/11/09
- 出典:半導体デバイスの電界分布測定方法と装置
- 出願人:アイシン精機株式会社
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図29はモードIの面発光成分の 電界分布 を示し、図30はモードIIの面発光成分の電界分布を示している。
- 公開日:2004/10/21
- 出典:2次元フォトニック結晶面発光レーザ
- 出願人:独立行政法人科学技術振興機構
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図8は、従来のアレイ導波路回折格子型光波長合分波器の所定部位における光信号の 電界分布 を模式的に示す説明図であり、図8(a)は、モード変換部203のE−E' における光信号の電界分布209、図8(b)は、アレイ導波路回折格子入射端210のF−F' における電界分布211、図8(c)は、アレイ導波路回折格子出射端212のG−G' での電界分布213をそれぞれ示す。
- 公開日:2001/01/19
- 出典:光波長合分波器
- 出願人:日立金属株式会社
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本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、第1電極と第2電極とが交差する交差部に対応する領域の放電空間側の誘電体層の厚みを他の領域よりも厚くする構成とすることにより、第1電極及び第2電極間に電圧を印加することで誘電体層を介して放電空間に 電界分布 を生じさせて放電を維持する場合に、交差部ではなく、交差部より離れた場所で放電を生じさせ、各放電空間あたりの発光効率を向上することができる放電型表示装置の提供を目的とする。
- 登録日:2009/01/23
- 出典:放電型表示装置
- 出願人:株式会社日立プラズマパテントライセンシング
電界分布の問題点 に関わる言及
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また、電位分布に指向性は無く、測定対象表面の電位分布を一度測定するだけで、測定対象表面又は測定対象近傍又は遠方の、任意の方向の 電界分布 を算出することが出来る為、測定速度も向上する。
- 公開日: 2006/04/13
- 出典: 電界分布測定方法及び電界分布測定装置
- 出願人: ルネサスエレクトロニクス株式会社
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従来の高周波加熱装置は、加熱室内に伝搬された高周波は、加熱室の形状によって加熱室特有の 電界分布 となり、被加熱物への照射が不均一であった。特に、底面の広い被加熱物や複数の被加熱物を加熱した場合は、加熱ムラが生じた。
- 公開日: 2004/01/22
- 出典: 高周波加熱装置
- 出願人: 三菱電機株式会社
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なお、粒子の配置分布は、電子エネルギーの指数関数や対数関数に比例して決めてもよい。また、粒子の配置分布は、 電界分布 、磁界分布、速度分布、温度分布、または流速密度分布に従って決めてもよい。
- 公開日: 1994/04/22
- 出典: シミュレーション方式
- 出願人: 株式会社東芝
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光集積回路
- 用途
- 光集積回路中の光学的機能
- 使用状態下の素子に対する制御因子
- 導波路の断面構造の特徴
- 光の径・形状・閉込変換用導波路長手構造
- 導波路長手方向の周期構造(BF優先)
- 導波路長手構造のその他の特徴
- 導波路の組合せ構造
- フォトニック結晶
- 導波路のその他の特徴
- 光学素子
- 光入出力結合(一方が導波路でないもの)
- 位置決め、固定
- 光(学)素子・導波路等の配置
- その他の構造
- 導波路・基板・その他特徴部の材料
- 製法1膜形成、結晶成長(FD01優先)
- 製法2屈折率・複屈折・サイズの調整
- 製法3物質除去方法(FD14優先)
- 製法4その他の製法
- 製法5製造に用いるビーム・電磁場の種類
- 製法6製造条件(雰囲気、圧力、温度等)
- 目的、課題、効果
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半導体レーザ
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(1)
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(2)
- 垂直共振器を有するレーザの構造
- モノリシックな集積(同じ成長基板上に複数の素子を備えたもの)
- 半導体の積層方向の構造−1
- 半導体の積層方向の構造−2
- 活性層の材料系−基板材料
- 不純物に特徴があるもの
- 電極構造・材料に特徴があるもの
- 被覆構造・材料に特徴があるもの
- 製造方法1
- 製造方法2
- 課題・目的
- レーザ動作のタイプ
- モジュール・パッケージの用途
- モジュール・パッケージのタイプ(典型的なタイプを抽出)
- マウント・モジュール・パッケージにおける目的
- LDチップのマウント
- パッケージ・光モジュールの構成
- 発明の特徴となっている組合せ光学要素(LDチップ外)
- 駆動におけるレーザーのタイプ
- 用途(駆動)
- 駆動において特徴となる目的
- 安定化制御(主に検知・帰還制御)
- 駆動制御
- 異常対策
- 回路構成に特徴があるもの
- 被試験・被検査形状
- 試験・検査する項目
- 試験・検査において特徴と認められる点
- 試験・検査の内容