電位 の意味・用法を知る
電位 とは、陰極線管以外の表示装置の制御 や液晶表示装置の制御 などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社半導体エネルギー研究所 やセイコーエプソン株式会社 などが関連する技術を27,386件開発しています。
このページでは、 電位 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
電位の意味・用法
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...、前記第1のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタのゲートは、電気的に接続され、前記第2のデジタルアナログ変換回路の出力端子は、前記第1のトランジスタの基板 電位 に電気的に接続され、前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方と、前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方と、には第1の電位が与えられ、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタがpチャネル型トランジスタの場合には、前記第1の電位は高電位信号であり、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタがnチャネル型トランジスタの場合には、前記第1の電位は低電位信号であり、前記第1のトランジスタのソース及びドレインの...
- 公開日:2017/07/06
- 出典:回路
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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該酸化物半導体層の上下に絶縁膜428、402を介して配置した一対の導電膜421a、422a、421b、422bの 電位 を制御して、該酸化物半導体層に形成するチャネルの位置を変えることにより、トランジスタの電気特性を制御する。
- 公開日:2018/03/29
- 出典:半導体装置
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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2次転写における電流供給部材とベルトの支持部材との間の 電位 差が変動することで生じる画像不良を防止することが可能な画像形成装置を提供する。
- 公開日:2018/02/08
- 出典:画像形成装置
- 出願人:キヤノン株式会社
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導電性ダイヤモンド電極を使用し、銀/塩化銀電極に対する導電性ダイヤモンド電極の 電位 を0V〜+1.6Vの範囲内の電位としたときの電流値を測定して次亜塩素酸イオンに基づく残留塩素濃度を算出し、銀/塩化銀電極に対する導電性ダイヤモンド電極の電位を+0.4V〜-1.0Vの範囲内の電位としたときの電流値を測定して次亜塩素酸に基づく残留塩素濃度を算出し、算出した次亜塩素酸イオンに基づく残留塩素濃度と、算出した次亜塩素酸に基づく残留塩素濃度とを加算して合計残留塩素濃度とする、残留塩素を測定する方法及び装置。
- 公開日:2017/08/03
- 出典:残留塩素測定方法及び残留塩素測定装置
- 出願人:学校法人慶應義塾
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このような光センサ素子において、それぞれのゲート電極に電圧が印加された場合、第一の読出し用電極及び第二の読出し用電極の間に 電位 差が発生し、読出し用電極間に流れる電流に基づいて、照射光の強度を検出する。
- 公開日:2017/02/16
- 出典:光センサ素子及び光電変換装置
- 出願人:TianmaJapan株式会社
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第1の 電位 と第2の電位により、基準フレームの撮像データと差分検出用フレームの撮像データとの間に差分が有るか否かを判定する。
- 公開日:2017/02/23
- 出典:撮像装置及び電子機器
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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第2の電極610の 電位 は、第1の電極654の電位よりも高く、第3の電極656の電位は、第1の電極654の電位よりも低くなっている。
- 公開日:2017/11/16
- 出典:絶縁構造、荷電粒子銃及び荷電粒子線応用装置
- 出願人:松定プレシジョン株式会社
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...記準備期間の終了から前記判定期間の終了においてオフし、前記第2スイッチは、少なくとも前記準備期間の開始から前記判定期間の終了までオンし、前記駆動信号は、少なくとも前記準備期間の開始から前記判定期間の終了まで所定 電位 に設定され、前記判定回路は、前記判定期間のうち所定のタイミングにおいて、前記第1配線の電位と前記第2配線の電位との電位差が所定の電位差以下である場合に、前記圧電素子が前記所定の蓄電能力を有していると判定する、ことを特徴とする、請求項3に記載のヘッドユニット。
- 公開日:2017/06/29
- 出典:ヘッドユニット
- 出願人:セイコーエプソン株式会社
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ソースまたはドレインとして機能する2つの入出力ノードは、トランジスタの型及び各端子に与えられる 電位 の高低によって、一方がソースとなり他方がドレインとなる。
- 公開日:2017/09/21
- 出典:半導体装置
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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例えばVDDが接地 電位 の場合には、VSSは接地電位より低い電位であり、VSSが接地電位の場合には、VDDは接地電位より高い電位である。
- 公開日:2017/04/20
- 出典:半導体装置および電子機器
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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