電位 の意味・用法を知る

図１３は、Ｏ相 電位 の制御のために使用されるモード６の説明図である。

• 公開日：2018/01/18
• 出典：電力変換装置
• 出願人：オムロン株式会社

判定機能３０ｄは、新たな校正液の 電位 に基づいてパージを終了させる時点を判定する。

• 公開日：2017/10/12
• 出典：自動分析装置
• 出願人：東芝メディカルシステムズ株式会社

...間に、開路電圧測定用セルを接続する開路電圧測定用セル接続ステップと、前記電解液循環用ポンプを駆動して前記電解液を循環させる電解液循環ステップと、前記主セルを定電流充放電させる充放電ステップと、前記充放電を行っている最中に、少なくとも、前記主セルの第一正極と前記開路電圧測定用セルの第二正極との間の第一 電位 差としての正極過電圧と、前記主セルの第一負極と前記開路電圧測定用セルの第二負極との間の第二電位差としての負極過電圧とを、参照電極を用いることなく測定する電位差測定ステップと、を含むレドックスフロー電池の正・負極過電圧測定方法。

• 公開日：2017/09/28
• 出典：レドックスフロー電池の正・負極の過電圧測定方法およびその方法を行うための装置
• 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

請求項１において、前記第２のトランジスタのゲートの 電位 に対応する第１の電位を、前記第５の配線に供給する機能と、前記第４のトランジスタのゲートの電位に対応する第２の電位を、前記第５の配線に供給する機能と、を有する半導体装置。

• 公開日：2016/06/23
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

本発明は、処理室とプラズマ生成用高周波電力を供給する高周波電源と試料の静電吸着用電極を具備する試料台と前記電極に直流電圧を印加する直流電源とを備えるプラズマ処理装置において、静電吸着した試料を前記試料台から離脱させる処理を開始後、前記高周波電力の供給を停止してから所定時間が経過後に前記直流電圧を所定の値から概０Ｖに変更させる制御部を備え、前記所定の値は、前記直流電圧が概０Ｖ時の前記試料の 電位 が概０Ｖとなる予め求められた値であり、前記所定時間は、前記処理のプラズマにより生成された荷電粒子が消失する時間またはアフターグロー放電が消失する時間に基づいて規定された時間であることを特徴とする。

• 公開日：2018/02/08
• 出典：プラズマ処理装置及び試料の離脱方法
• 出願人：株式会社日立ハイテクサイエンス

読み出し時には、スイッチ７１１をオンしてプリチャージをし、データ線７４０の 電位 を０Ｖにそろえた後、スイッチ７１１をオフし、次にスイッチ７１４をオンし、データ線７４０側に定電流源７１３を接続しにより電流を押し込む。

• 公開日：2018/01/25
• 出典：画像読取装置およびその読出駆動回路
• 出願人：凸版印刷株式会社

...気的に接続するための接続ケーブルであって、判定の実行を指示するための指示信号Ｔｓｉｇをヘッドユニットに供給するための第１接続配線と、駆動信号をヘッドユニットに供給するための第２接続配線と、第１接続配線及び第２接続配線の間に設けられた第３接続配線と、を備え、吐出部が液体を吐出する場合に、第３接続配線の 電位 の変化幅は、第２接続配線の電位の変化幅よりも小さい。

• 公開日：2017/06/29
• 出典：接続ケーブル
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

セラミックヒータ２０の発熱部２２の表面２２ｂは、接地 電位 に対して正電位とされる導電性被膜１１によって被覆されている。

• 公開日：2017/12/28
• 出典：グロープラグ、及び、内燃機関
• 出願人：日本特殊陶業株式会社

電子を生成する第１フォトダイオードと、正孔を生成する第２フォトダイオードと、第１フォトダイオードで生成された電子を収集するＮ型の第１半導体領域と、第２フォトダイオードで生成された正孔を収集するＰ型の第２半導体領域と、第１半導体領域と第２半導体領域が共通に接続された信号生成部と、第１フォトダイオードのアノードに第１ 電位 を供給する第１電位供給部と、第２フォトダイオードのカソードに第２電位を供給する第２電位供給部と、を備え、第２電位が第１電位よりも高い。

• 公開日：2017/02/16
• 出典：光電変換デバイス、測距装置および情報処理システム
• 出願人：キヤノン株式会社

プッシュプルバッファ回路２１の入力部ＩＮと出力部ＯＵＴとを接続する補償抵抗Ｒ２と、入力部ＩＮと駆動対象のスイッチング素子３の負極ＶＧの側とを接続する入力側プルダウン抵抗Ｒ３と、を備え、補償抵抗Ｒ２の抵抗値と入力側プルダウン抵抗Ｒ３の抵抗値との和が、駆動対象のスイッチング素子３の制御端子Ｇとスイッチング素子３のエミッタ端子又はソース端子Ｓとの間の抵抗値Ｒ１よりも小さく、負極ＶＧよりも負の第２ 電位 Ｖ２と下段側バッファ素子２１Ｌとの間に接続された下段側電流制限抵抗Ｒ２１Ｌの抵抗値よりも大きい値に設定されている。

• 公開日：2018/03/29
• 出典：スイッチング素子駆動回路
• 出願人：アイシン・エィ・ダブリュ株式会社