金属酸化物半導体 の意味・用法を知る

ガス感応膜は、 金属酸化物半導体 と、金属酸化物半導体によるガスの検出温度で酸素を放出し、検出温度よりも低い温度で酸素を吸収する酸素収脱着材料を含有する。

• 公開日：2018/03/01
• 出典：ＭＥＭＳガスセンサとガス検出装置
• 出願人：フィガロ技研株式会社

本発明は、デュアルゲート構造の低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ、及びデュアルゲート構造の低温多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法を開示する。基板と、前記基板上のバリア層内に位置し、ボトムゲートを構成する少なくとも1つのパターニングされたアモルファスシリコン層と、前記バリア層に位置するN型 金属酸化物半導体 と、前記バリア層に位置するP型金属酸化物半導体とを含み、前記N型金属酸化物半導体は、パターニングされたゲート電極層と、前記少なくとも1つのパターニングされたアモルファスシリコン層に形成される前記ボトムゲートと結合してデュアルゲート構造を形成することにより、電流-電圧(I-V)特性をより安定...

• 公開日：2017/11/16
• 出典：デュアルゲート構造の低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法
• 出願人：深せん市華星光電技術有限公司

低周波数共振周波数を増加することが可能な、より柔軟に設計された電力増幅回路が提供される。電力増幅回路は、電力増幅トランジスタダイと、第1の 金属酸化物半導体 キャパシタと、直流デカップリングキャパシタと、出力マッチングネットワークとを含み、ここで電力増幅トランジスタダイのドレインは、ボンディングワイヤを使用することによって第1の金属酸化物半導体キャパシタの第1の端部に接続され、第1の金属酸化物半導体キャパシタの第2の端部は接地され、電力増幅トランジスタダイのドレインは、ボンディングワイヤを使用することによって出力マッチングネットワークに直接的に接続され、電力増幅トランジスタダイのソースは接地され、...

• 公開日：2017/05/25
• 出典：電力増幅回路およびトランスミッタ
• 出願人：華為技術有限公司

ガス検出装置は、周囲の湿度が低湿ではないことを判別し、周囲の湿度が低湿ではなく、かつ空気中での 金属酸化物半導体 の抵抗値が増加している際に、所定濃度の検出対象ガス中での金属酸化物半導体の抵抗値を表す警報レベルを増加させる。

• 公開日：2015/07/09
• 出典：ガス検出装置
• 出願人：フィガロ技研株式会社

本発明による薄膜トランジスタは、ｎ型の 金属酸化物半導体 からなる第１のチャネル層４０と、第１のチャネル層４０上に積層して形成された第２のソース・ドレイン電極７０とを備え、第１のチャネル層４０と第２のソース・ドレイン電極７０との界面には、予め定められた金属の硫化物が存在することを特徴とする。

• 公開日：2015/11/02
• 出典：薄膜トランジスタおよびその製造方法
• 出願人：三菱電機株式会社

本発明は、被測定ガス中に２５０ｐｐｂ以下の濃度で含まれるＮＯガスについても検知が可能な 金属酸化物半導体 式ガスセンサを提供することを目的とする。

• 公開日：2015/03/02
• 出典：金属酸化物半導体式ガスセンサ
• 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

互換的に、または付加的に、ソース／ドレイン接点のそれぞれは、 金属酸化物半導体 の活性層上に配置された低い仕事関数の金属の非常に薄い層を含み、さらに高い仕事関数の金属のバリア層が、低い仕事関数金属上に配置される。

• 公開日：2014/08/21
• 出典：改善されたソース／ドレイン接点を有する金属酸化物薄膜トランジスタ
• 出願人：シーブライト・インコーポレイテッド

本発明は、安定した特性を示す 金属酸化物半導体 を用いた薄膜トランジスタとその製造方法の提供を目的とする。

• 公開日：2012/07/19
• 出典：薄膜トランジスタ及びその製造方法
• 出願人：三菱電機株式会社

ＴＦＴは、電極と、電極上に配置された誘電体層と、誘電体上の 金属酸化物半導体 とを含む多層構造体である。

• 公開日：2012/06/21
• 出典：金属酸化物半導体薄膜トランジスタにおける安定性の向上
• 出願人：スリーエムイノヴェイティヴプロパティーズカンパニー

本発明の 金属酸化物半導体 の製造方法は、金属塩を含有する半導体前駆体層に半導体変換処理を行って金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、前記金属塩が、金属の硝酸塩、硫酸塩、燐酸塩、炭酸塩、酢酸塩または蓚酸塩から選ばれる金属塩の１つ以上を含み、かつ、半導体前駆体層が該金属塩の溶液を塗布することにより形成されることを特徴とする。

• 公開日：2011/05/06
• 出典：金属酸化物半導体およびその製造方法、半導体素子、薄膜トランジスタ
• 出願人：コニカミノルタ株式会社