酸化膜 の意味・用法を知る
酸化膜 とは、素子分離 や絶縁膜の形成 などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社東芝 やルネサスエレクトロニクス株式会社 などが関連する技術を32,720件開発しています。
このページでは、 酸化膜 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
酸化膜の意味・用法
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反射膜17Aは50nm、 酸化膜 17Bは2nmである。
- 公開日:2018/01/25
- 出典:発光素子
- 出願人:豊田合成株式会社
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窒化アルミニウムからなるセラミックス基板11と、このセラミックス基板11にアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板22、23を接合することによって形成されたアルミニウム層と、を備えた絶縁回路基板の製造方法であって、セラミックス基板11の表面に 酸化膜 11aを形成する酸化膜形成工程と、酸化膜11aを介してアルミニウム板22,23を接合するアルミニウム板接合工程と、を有し、酸化膜形成工程では、酸化膜11aの平均厚さを0.7μm以上18μm以下の範囲内とする。
- 公開日:2018/03/22
- 出典:絶縁回路基板の製造方法、及び、絶縁回路基板、パワーモジュール、LEDモジュール、熱電モジュール
- 出願人:三菱マテリアル株式会社
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P型半導体基板11の上面に複数のフォトダイオード51を形成し、フォトダイオード51の表面には埋め込み 酸化膜 を介して絶縁酸化膜31を設け、フォトダイオードと隣接するフォトダイオードとの間に埋め込み酸化膜12を介してSOI層13を設けることで斜入射などの不要な光を遮光する。
- 公開日:2017/09/07
- 出典:受光素子を有する半導体装置
- 出願人:エイブリック株式会社
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前記電極材料を1100℃×50時間加熱したとき、この加熱後の電極材料の表面に形成された 酸化膜 の厚さが400μm以下である請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の電極材料。
- 公開日:2017/11/30
- 出典:電極材料、及び点火プラグ用電極
- 出願人:住友電気工業株式会社
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...前記ゲート電極は、前記溝内に設けられた第1の電極部と、前記第2の半導体層上に設けられ前記第1の電極部と電気的に接続された第2の電極部と、を有し、前記第1の膜と前記第2の膜の間及び前記溝内の前記第2の半導体層と前記第1の電極部の間及び前記溝内の前記第1の半導体層と前記第1の電極部の間に設けられた第1の 酸化膜 と、をさらに備える請求項1ないし請求項4いずれか一項に記載の半導体装置。
- 公開日:2017/03/23
- 出典:半導体装置
- 出願人:株式会社東芝
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パターン底部のシリコン部分に形成されたシリコン含有 酸化膜 を除去する際にCDロスを抑制する。
- 公開日:2017/11/24
- 出典:酸化膜除去方法および除去装置、ならびにコンタクト形成方法およびコンタクト形成システム
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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前記温度検出ダイオードは、前記パワーデバイスのパワーラインを構成する第1の導電型の層に接する 酸化膜 上に形成されており、前記デバイス構造は、前記酸化膜を、当該酸化膜にかかる電界強度が6MV/cm以下となる厚さとしたものである、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 公開日:2017/10/05
- 出典:半導体デバイス及び半導体装置
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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例えばメモリ用トランジスタでは、メモリゲート電極MGとフィンFAの側壁との間にONO膜ONからなるゲート絶縁膜GBを形成し、メモリゲート電極MGとフィンFAの上面との間に、ONO膜ONよりも厚い絶縁膜(絶縁膜SN1/ 酸化膜 PADの積層膜とONO膜ONとの重ね膜)を形成する。
- 公開日:2017/12/14
- 出典:半導体装置およびその製造方法
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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半導体基板30と、半導体基板30の上方に設けられた 酸化膜 42と、酸化膜42の上方に設けられた、窒化膜を有する抵抗性導電膜44と、抵抗性導電膜44の上方に設けられた層間絶縁膜46と、層間絶縁膜46の上方に設けられたパッシベーション膜48とを備え、抵抗性導電膜44は、半導体基板30の活性領域110から端部領域120にかけて延在する。
- 公開日:2017/05/25
- 出典:半導体装置
- 出願人:富士電機株式会社
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ステンレス鋼材の表面に生成した 酸化膜 の厚みの個体差やばらつきによらず、ステンレス鋼材上に形成する金属めっき層について、密着性に優れ、厚みを薄く且つ均一なものとし、金属めっき層の耐食性、導電性及び平滑性などを向上できる金属めっき被覆ステンレス材の製造方法を提供すること。
- 公開日:2016/06/23
- 出典:金属めっき被覆ステンレス材の製造方法
- 出願人:東洋鋼鈑株式会社
酸化膜の原理 に関わる言及
酸化膜の問題点 に関わる言及
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しかし、材料本体に 酸化膜 が付着している場合、超音波は、材料本体および酸化膜の境界を通り抜けるため、上記のいずれの方法でも、材料本体および酸化膜の厚さを合計した厚さを測定することとなり、材料本体の厚さだけ、または酸化膜の厚さだけを単独に測定することができない。
- 公開日: 2003/06/27
- 出典: 磁性薄膜の厚さ測定方法
- 出願人: 日鉄住金テクノロジー株式会社
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また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理であってもよい。また、成膜処理は、例えばCDV、PVD、 酸化膜 、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。また、露光処理、塗布処理、乾燥処理、加熱処理であってもよい。
- 公開日: 2009/11/05
- 出典: 基板処理システム
- 出願人: 株式会社日立国際電気
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このように構成することにより、処理室内で被処理基板にエッチング処理、リンス処理及びオゾン水による親水化処理を施した後、被処理基板を処理室内に移動して乾燥処理することができるので、被処理体は外気に触れずにエッチング処理、リンス処理、親水化処理及び乾燥処理を行うことができる。したがって、被処理基板に 酸化膜 が再度付着する心配がなく、また、パーティクルが付着する心配もない。
- 公開日: 2002/05/10
- 出典: 基板表面処理方法及び基板表面処理装置
- 出願人: 東京エレクトロン株式会社
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しかしながら、上記の方法においては、陽極酸化処理する工程と、陽極酸化処理により形成した金属 酸化膜 の表面を処理する工程が必要であり、製造工程が煩雑になるという問題があった。
- 公開日: 2010/08/12
- 出典: 金属表面の処理方法及び電界効果トランジスタの製造方法
- 出願人: 三洋電機株式会社
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薄いシリコン 酸化膜 を形成しようとした場合、乾燥酸化法と比較すると、加湿酸化法では酸化速度が早いため、例えば、酸化温度を低温とし、しかも酸化時間を短くしなければならない。しかしながら、酸化時間の短縮化は、シリコン酸化膜の膜厚の均一化を妨げるという問題がある。従って、加湿酸化法を採用して薄いシリコン酸化膜を形成する場合、別の方法で酸化速度の抑制を図らなければならない。
- 公開日: 1999/06/18
- 出典: 酸化膜の形成方法及びp形半導体素子の製造方法
- 出願人: ソニー株式会社
酸化膜の特徴 に関わる言及
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複数の光電変換層を積層した場合、隣接する光電変換層の間に透光性導電層を有していても良い。透光性導電層としては、たとえば、ZnO、SiOxなどの透明導電性 酸化膜 を用いることができる。
- 公開日: 2011/09/29
- 出典: 光電変換装置用基板、およびそれを用いた光電変換装置、ならびにそれらの製造方法
- 出願人: シャープ株式会社
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アルミニウム支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、アルミニウム支持体が陽極 酸化膜 を有し、該陽極酸化膜が有機酸被膜と硫酸被膜とから形成されることを特徴とする電子写真感光体である。
- 公開日: 1997/12/16
- 出典: 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカ-トリッジ及び電子写真装置
- 出願人: キヤノン株式会社
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また、異方性結晶性質は、その結晶学的配向性による。下部電極上に形成された 酸化膜 の結晶学的配向性は、下部電極の結晶学的配向性に依存する。それゆえ、所定の物性を有する薄膜を提供するために酸化膜の優先配向性を調整するにおいて、下部電極の優先配向性を調整するのが大変重要なものと信じられている。
- 公開日: 2000/07/28
- 出典: 窒素を使用して優先配向された白金薄膜を形成する方法と、その形成方法により製造された装置
- 出願人: 東洋セメント株式会社
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このため、GaとAsと少なくとも1種類の、これらGaやAsとは異なる元素とを含む膜およびその表面 酸化膜 の構造解析方法、特にXPS分析に対する構造解析方法の出現が望まれていた。
- 公開日: 2000/07/28
- 出典: Gaと、Asと、少なくとも1種類のGaおよびAsとは異なる元素とを含む膜およびその表面酸化膜の表面解析方法
- 出願人: 沖電気工業株式会社
酸化膜の使用状況 に関わる言及
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また、実験により特定の欠陥を有する 酸化膜 の比抵抗を測定することにより、計算により求めた比抵抗のデータ群と、実験により求めた比抵抗のデータ群とを、例えばグラフ化してフィッティングすることにより、所望の比抵抗を有する酸化膜を作成したい場合には、どのような酸素欠損を有していればよいかの予測をより高精度に行うことができる。
- 公開日: 2010/02/25
- 出典: 酸化膜の比抵抗を特定する方法、酸化膜の酸素欠陥構造を設計する方法、酸化膜の比抵抗のシミュレーションを行うためのプログラム。
- 出願人: 株式会社神戸製鋼所
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従って、残された単結晶の領域を平坦化すれば容易に平坦化工程を行え、平坦化処理時間の短縮化を図れると共に、平坦化工程の簡略化が図れ、さらに 酸化膜 の膜厚、面積の制約をなくすことができる。
- 公開日: 2001/09/28
- 出典: 半導体装置の製造方法
- 出願人: 株式会社デンソー
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