酸化膜 の意味・用法を知る

接触子の表面部および被測定物の表面部は、微視的に見ると、凹凸があり、また 酸化膜 などの皮膜に覆われている。このような接触子および被測定物が接触する。それ故、微視的に見ると、接触子および被測定物の接触部には、接触子および被測定物が直接、接触している直接接触部分と、接触子および被測定物が皮膜を介して接触している間接接触部分と、接触子および被測定物が接触していない非接触部分とがある。接触子および被測定物の接触部は、微小な直接接触部分および微小な間接接触部分による多点接触状態となっている。

• 公開日： 2006/01/12
• 出典： 電子部品の電気特性の測定方法およびその測定装置
• 出願人： シャープ株式会社

しかし、材料本体に 酸化膜 が付着している場合、超音波は、材料本体および酸化膜の境界を通り抜けるため、上記のいずれの方法でも、材料本体および酸化膜の厚さを合計した厚さを測定することとなり、材料本体の厚さだけ、または酸化膜の厚さだけを単独に測定することができない。

• 公開日： 2003/06/27
• 出典： 磁性薄膜の厚さ測定方法
• 出願人： 日鉄住金テクノロジー株式会社

また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理であってもよい。また、成膜処理は、例えばＣＤＶ、ＰＶＤ、 酸化膜 、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。また、露光処理、塗布処理、乾燥処理、加熱処理であってもよい。

• 公開日： 2009/11/05
• 出典： 基板処理システム
• 出願人： 株式会社日立国際電気

このように構成することにより、処理室内で被処理基板にエッチング処理、リンス処理及びオゾン水による親水化処理を施した後、被処理基板を処理室内に移動して乾燥処理することができるので、被処理体は外気に触れずにエッチング処理、リンス処理、親水化処理及び乾燥処理を行うことができる。したがって、被処理基板に 酸化膜 が再度付着する心配がなく、また、パーティクルが付着する心配もない。

• 公開日： 2002/05/10
• 出典： 基板表面処理方法及び基板表面処理装置
• 出願人： 東京エレクトロン株式会社

しかしながら、上記の方法においては、陽極酸化処理する工程と、陽極酸化処理により形成した金属 酸化膜 の表面を処理する工程が必要であり、製造工程が煩雑になるという問題があった。

• 公開日： 2010/08/12
• 出典： 金属表面の処理方法及び電界効果トランジスタの製造方法
• 出願人： 三洋電機株式会社

薄いシリコン 酸化膜 を形成しようとした場合、乾燥酸化法と比較すると、加湿酸化法では酸化速度が早いため、例えば、酸化温度を低温とし、しかも酸化時間を短くしなければならない。しかしながら、酸化時間の短縮化は、シリコン酸化膜の膜厚の均一化を妨げるという問題がある。従って、加湿酸化法を採用して薄いシリコン酸化膜を形成する場合、別の方法で酸化速度の抑制を図らなければならない。

• 公開日： 1999/06/18
• 出典： 酸化膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法
• 出願人： ソニー株式会社

複数の光電変換層を積層した場合、隣接する光電変換層の間に透光性導電層を有していても良い。透光性導電層としては、たとえば、ＺｎＯ、ＳｉＯxなどの透明導電性 酸化膜 を用いることができる。

• 公開日： 2011/09/29
• 出典： 光電変換装置用基板、およびそれを用いた光電変換装置、ならびにそれらの製造方法
• 出願人： シャープ株式会社

アルミニウム支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、アルミニウム支持体が陽極 酸化膜 を有し、該陽極酸化膜が有機酸被膜と硫酸被膜とから形成されることを特徴とする電子写真感光体である。

• 公開日： 1997/12/16
• 出典： 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカ－トリッジ及び電子写真装置
• 出願人： キヤノン株式会社

また、異方性結晶性質は、その結晶学的配向性による。下部電極上に形成された 酸化膜 の結晶学的配向性は、下部電極の結晶学的配向性に依存する。それゆえ、所定の物性を有する薄膜を提供するために酸化膜の優先配向性を調整するにおいて、下部電極の優先配向性を調整するのが大変重要なものと信じられている。

• 公開日： 2000/07/28
• 出典： 窒素を使用して優先配向された白金薄膜を形成する方法と、その形成方法により製造された装置
• 出願人： 東洋セメント株式会社

このため、ＧａとＡｓと少なくとも１種類の、これらＧａやＡｓとは異なる元素とを含む膜およびその表面 酸化膜 の構造解析方法、特にＸＰＳ分析に対する構造解析方法の出現が望まれていた。

• 公開日： 2000/07/28
• 出典： Ｇａと、Ａｓと、少なくとも１種類のＧａおよびＡｓとは異なる元素とを含む膜およびその表面酸化膜の表面解析方法
• 出願人： 沖電気工業株式会社

また、実験により特定の欠陥を有する 酸化膜 の比抵抗を測定することにより、計算により求めた比抵抗のデータ群と、実験により求めた比抵抗のデータ群とを、例えばグラフ化してフィッティングすることにより、所望の比抵抗を有する酸化膜を作成したい場合には、どのような酸素欠損を有していればよいかの予測をより高精度に行うことができる。

• 公開日： 2010/02/25
• 出典： 酸化膜の比抵抗を特定する方法、酸化膜の酸素欠陥構造を設計する方法、酸化膜の比抵抗のシミュレーションを行うためのプログラム。
• 出願人： 株式会社神戸製鋼所

従って、残された単結晶の領域を平坦化すれば容易に平坦化工程を行え、平坦化処理時間の短縮化を図れると共に、平坦化工程の簡略化が図れ、さらに 酸化膜 の膜厚、面積の制約をなくすことができる。

• 公開日： 2001/09/28
• 出典： 半導体装置の製造方法
• 出願人： 株式会社デンソー