配線 の意味・用法を知る

第１のトランジスタ及び容量素子を有するメモリセルと、第２のトランジスタと、を有し、第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の 配線 と電気的に接続され、第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、容量素子の一方の電極と電気的に接続され、容量素子の他方の電極は、第２の配線と電気的に接続され、第２のトランジスタのゲートは、第１の配線と電気的に接続されている半導体装置。

• 公開日：2016/12/22
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

電磁弁のソレノイドコイルに繋がる 配線 の断線を迅速に誤りなく検出する。

• 公開日：2018/04/05
• 出典：断線検出装置
• 出願人：ナブテスコオートモーティブ株式会社

配線 を配置する自由度が高く、配線抵抗の増大を抑制することのできる３次元配線構造体を提供する。

• 公開日：2018/03/29
• 出典：配線構造体の積層造形工法における製造方法
• 出願人：日本電気株式会社

半導体スイッチの導通状態を制御する駆動回路に、複数の半導体スイッチが接続される電力変換装置において、基準電位が互いに同じ複数の半導体スイッチと、複数の半導体スイッチの導通状態を制御する駆動回路と、駆動回路と複数の半導体スイッチとをそれぞれ接続する、基準電位 配線 と導通制御信号配線とを含む配線が配置される多層基板と、を備え、多層基板には、基準電位配線と導通制御信号配線とが、基板の積層方向に重なる位置にして互いに異なる層に配置され、配線のうち、駆動回路から配線の分岐点までの共通配線部分と、分岐点からそれぞれの半導体スイッチまでの分岐配線部分とについて、共通配線部分のインピーダンスを分岐配線部分のイン...

• 公開日：2018/03/08
• 出典：電力変換装置
• 出願人：富士電機株式会社

加えて回路規模が増大すると、コンテキスト切り替えのための制御信号（コンテキスト信号）を与える 配線 の負荷が増大するため、コンテキスト信号のスキューが発生する。

• 公開日：2017/10/12
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

前記アクチュエータは、前記第１接点と導通する 配線 を有し、前記配線に、前記第１方向に間隔を空けて配置された２つの導電部が形成され、前記第１接点は、前記配線の前記２つの導電部とそれら導電部の間を覆うように配置され、前記配線の前記導電部、及び、前記第１接点の前記導電部を覆う部分により、前記凸部が形成され、前記第１接点の前記２つの導電部の間に配置された部分により、前記凹部が形成されていることを特徴とする請求項１５に記載のアクチュエータ装置。

• 公開日：2018/04/05
• 出典：アクチュエータ装置、液体吐出装置、及び、配線部材の接続構造
• 出願人：ブラザー工業株式会社

本発明の一実施形態による電子部品パッケージは、絶縁層、上記絶縁層に形成された導電性パターン、及び上記絶縁層を貫通して上記導電性パターンと連結された導電性ビアをそれぞれ含む第１及び第２ 配線 部と、上記第１及び第２配線部の間に配置され、一つ以上の貫通孔と上記第１及び第２配線部を電気的に連結する導電性連結部を有するフレームと、上記貫通孔に囲まれるように配置され、上記第１配線部と連結された電子部品と、を含み、上記第１配線部の導電性パターンのうち上記電子部品側に形成されたものは上記第１配線部の絶縁層に埋め込まれた形態である。

• 公開日：2017/07/27
• 出典：電子部品パッケージ及びその製造方法
• 出願人：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド

配線 部材の縁部に配線の幅広部が形成されている場合に、隣接する他の配線等とのショートの発生を防止すること。

• 公開日：2018/04/05
• 出典：アクチュエータ装置、配線部材の接続構造、液体吐出装置、及び、アクチュエータ装置の製造方法
• 出願人：ブラザー工業株式会社

...ンジスタのゲート、及び前記第２の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方、前記第２のトランジスタのゲート、及び前記第１の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の 配線 と電気的に接続され、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、前記第１の容量素子の他方の電極は、第４の配線と電気的に接続され、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方...

• 公開日：2018/01/25
• 出典：半導体装置、記憶装置及び表示システム
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、 配線 、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

• 公開日：2017/07/06
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所