部電極 の意味・用法を知る
部電極 とは、半導体メモリ や半導体集積回路 などの分野において活用されるキーワードであり、パナソニック株式会社 やルネサスエレクトロニクス株式会社 などが関連する技術を67,492件開発しています。
このページでは、 部電極 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
部電極の意味・用法
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...120と、弾性部に個別に設けられた複数の圧電駆動部131a〜131f、132a〜132fと、圧電駆動部を少なくとも部分的に覆う絶縁膜153と、絶縁膜153に設けられた開口部154を介して少なくとも2つの圧電駆動部を接続する接続部151と、を有し、圧電駆動部131a〜131f、132a〜132fは、下 部電極 201と、圧電部202と、上部電極203と、が積層されており、接続部151は、圧電駆動部131a〜131f、132a〜132fの上部電極203および圧電部202とに当接する光偏向器13。
- 公開日:2018/02/08
- 出典:光偏向器、画像表示装置、画像投影装置、光書き込み装置、物体認識装置、車両
- 出願人:株式会社リコー
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圧電素子は、可動膜上に形成された第1電極膜(下 部電極 )と、第1電極膜上に配置された第2電極膜(上部電極)と、それらの間に挟まれた圧電体層(圧電体膜)とからなる。
- 公開日:2018/04/05
- 出典:ノズル基板、インクジェットプリントヘッドおよびノズル基板の製造方法
- 出願人:ローム株式会社
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圧電素子9の下 部電極 11は、圧電素子9を構成している主電極部11Aと、主電極部11Aから金属バリア膜82の表面に沿う方向に引き出され、平面視において、圧力室7の天面部周縁の外方に延びた延長部11Bとを含む。
- 公開日:2018/02/08
- 出典:圧電素子利用装置およびその製造方法
- 出願人:ローム株式会社
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上記のようにITO層を分断して配置する場合においても、当該分断部分上方における有機EL膜の上 部電極 と下部電極のショートを防止する。
- 公開日:2018/03/01
- 出典:有機EL表示装置
- 出願人:株式会社ジャパンディスプレイ
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プラズマ処理装置100において、1以上の流体入口及び1以上の流体出口を有する上 部電極 112は、処理ガスを処理領域内に分配するように構成された中央マニホールド120と、処理ガスを処理領域内に分配するように構成された1以上の外側マニホールド122とを備え、基板支持アセンブリ160の中心軸周りに対称的に配置された複数のガスチューブ129は外側マニホールド122に結合され、リングマニホールド128と結合される複数の導電性フィッティング132と、上部電極に結合された複数の導電性プラグ133とは、基板支持アセンブリ160の中心軸周りに対称的に配置される。
- 公開日:2018/03/08
- 出典:対称プラズマ処理チャンバ
- 出願人:アプライドマテリアルズ,インコーポレイティド
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インクジェットプリントヘッド1は、複数の圧力室7を有するアクチュエータ基板2と、複数の圧力室7上に配置されかつ複数の圧力室7の天面部を区画する複数の可動膜10Aを含む可動膜形成層10と、複数の可動膜10A上に形成され、下 部電極 11と下部電極11上に形成された圧電体膜12と圧電体膜12上に形成された上部電極13とを含む複数の圧電素子9と、複数の圧電素子9の上部電極13に接続された複数の上部配線17とを含む。
- 公開日:2018/02/08
- 出典:インクジェットプリントヘッドおよびその製造方法
- 出願人:ローム株式会社
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表示パネル1は、基板11と、第1、第2、第3下 部電極 12a、12b、12cと、第1、第2列バンク131、132と、第1、第2、第3有機発光層15B、15B、15Gと、上部電極18とを備える。
- 公開日:2017/10/05
- 出典:表示パネル及びその製造方法
- 出願人:株式会社JOLED
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例えば、上 部電極 にCo、バリア層に膜厚3nmのBaTiO3、下部電極にLa0.67Sr0.33MnO3、基板にNdGaO3単結晶を用いたトンネル接合型素子が報告されている。
- 公開日:2018/04/05
- 出典:トンネル接合素子及び不揮発性メモリ素子
- 出願人:独立行政法人産業技術総合研究所
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また、圧電素子本体50は、下 部電極 51、圧電膜52、及び上部電極53が順に積層された積層体として構成される。
- 公開日:2018/04/05
- 出典:圧電素子、圧電アクチュエーター、超音波探触子、超音波装置、電子機器、液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置
- 出願人:セイコーエプソン株式会社
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下 部電極 、圧電部、上部電極を形成する電極形成工程と、梁部のシリコン活性層の上に形成されている第1の保護膜の上に、前記下部電極、前記圧電部及び前記上部電極を覆うように、第1の保護膜及び第2の保護膜のうちの少なくとも前記第2の保護膜を形成する保護膜形成工程と、光を反射するための反射面を形成する反射面形成工程と、前記少なくとも第2の保護膜をパターニングする保護膜パターニング工程と、前記梁部のシリコン活性層の上に前記第1の保護膜が存在するように前記第2の保護膜をエッチングして除去する第2の保護膜エッチング工程と、を含む光偏向器の製造方法。
- 公開日:2018/02/01
- 出典:光偏向器、光走査装置、画像形成装置及び画像投影装置
- 出願人:株式会社リコー
部電極の原理 に関わる言及
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さらに、剪断力検出素子200は、剪断力検出用圧電体210Aの剪断力検出用上 部電極 213と、剪断力検出用圧電体210Bの剪断力検出用下部電極212とを接続し、剪断力検出用圧電体210Aの剪断力検出用下部電極212と、剪断力検出用圧電体210Bの剪断力検出用上部電極213とを接続することで、各剪断力検出用圧電体210Aから出力される信号を加算する演算回路220を備えている。このような演算回路220により、より大きな剪断力検出信号を得ることができ、剪断力検出精度をより一層向上させることができる。
- 公開日: 2011/06/09
- 出典: 剪断力検出素子、触覚センサー、および把持装置
- 出願人: セイコーエプソン株式会社
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そこで、上 部電極 および該電極の昇降装置を水平方向に移動させるための駆動装置を設け、さらにアーク炉炉体傾動用駆動装置と上部電極の水平方向駆動装置の変位量検出器およびこれらの演算処理装置を設ける。
- 公開日: 1996/11/01
- 出典: アーク炉の予熱装置
- 出願人: 新日鐵住金株式会社
部電極の問題点 に関わる言及
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一方、被加熱材がチューブ形状を呈する場合、被加熱材を、上 部電極 と下部電極の間に配置して、高周波誘電加熱により加熱すると、被加熱材の上下方向の厚さが不均一であるため、被加熱材を均一に加熱することができない。
- 公開日: 2007/01/25
- 出典: 高周波誘電加熱装置
- 出願人: ニッタ株式会社
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光電素子を構成する要素であって、上述した基板、下 部電極 、光吸収層、バッファ層、窓層、及び上部電極以外の付加的な層としては、具体的には、接着層、光散乱層、反射防止層などがある。
- 公開日: 2009/02/05
- 出典: 光電素子
- 出願人: 株式会社豊田中央研究所
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しかしながら現実には製造装置の部品のばらつき、その製造装置を製造する工程のばらつき、あるいは上 部電極 と設置間のインピーダンス等の設置条件のばらつきにより製造装置間で製造装置そのもののインピーダンスのばらつき、すなわち装置個体差を生じてしまう。
- 公開日: 1998/12/04
- 出典: 半導体装置の製造装置及びその調整方法
- 出願人: ルネサスセミコンダクタパッケージ&テストソリューションズ株式会社
部電極の特徴 に関わる言及
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キャリア注入層およびキャリア輸送層の電流リークは、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層および電子輸送層のいずれかにかかわらず、発光層より下 部電極 に近い側のリークが問題となる。
- 公開日: 2014/07/03
- 出典: 発光装置及びその製造方法
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所
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他の一態様に係る光電変換装置の製造方法、ならびにその他の一態様に係る光電変換装置の製造方法の何れによっても、基板から下 部電極 層が剥離し難い光電変換装置が製造され得る。
- 公開日: 2013/04/18
- 出典: 光電変換装置、および光電変換装置の製造方法
- 出願人: 京セラ株式会社
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なお、本実施の形態に用いられるリーク電流ブロック層は、バンクの傾斜面を這い上がる正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層の這い上がり部と上 部電極 との間に形成することができる。
- 公開日: 2012/07/12
- 出典: 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
- 出願人: 住友化学株式会社
部電極の使用状況 に関わる言及
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ