膜厚 の意味・用法を知る

また、ソース電極層及びドレイン電極層上に形成するゲート絶縁膜の 膜厚 や酸化物半導体膜の膜厚が小さくても段切れが生じにくい断面形状を有するソース電極層及びドレイン電極層を形成する。

• 公開日：2018/03/08
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、前記第１のｎ型ＡｌＧａＮ層の 膜厚 は、１ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。

• 公開日：2017/08/03
• 出典：ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子
• 出願人：豊田合成株式会社

前記位相差付与反射防止層は、前記誘電体膜の各 膜厚 がλ／１００以上λ／２以下（λは使用する波長帯域の任意の波長）であり、前記誘電体膜の層数が８以上１０００以下である請求項１又は２記載の位相差補償素子。

• 公開日：2014/11/20
• 出典：位相差補償素子及び投射型画像投影装置
• 出願人：デクセリアルズ株式会社

半導体発光装置は第１のクラッド層（１２）と活性層（１３）の間に第１のガイド層（３１３）を有し、第２のクラッド層（１４）はリッジ（１４Ａ）を有し、第１のクラッド層（１２）の 膜厚 をＴｎｃとし、第１のガイド層（３１３）の膜厚をＴｎｇとした場合に、Ｔｎｇ［μｍ］≦−０．９８Ｔｎｃ［μｍ］＋０．７６［μｍ］Ｔｎｇ［μｍ］≧−０．９８Ｔｎｃ［μｍ］＋０．５６［μｍ］の２式を満たし、発光波長が５００〜５６０ｎｍである構成とした。

• 公開日：2017/03/09
• 出典：半導体発光装置
• 出願人：パナソニックＩＰマネジメント株式会社

射出成形用原料の製造方法は、組成物全体の質量に対して５０質量％以上の無機粒子と、熱可塑性樹脂とを含む樹脂組成物を、押出機によりダイスをとおしてシート状に成形する成形工程と、ダイスから押出されたシート状の樹脂の 膜厚 を評価する評価工程と、その評価結果に基づいて、射出成形用原料として前記シート状の樹脂を選択する選択工程と、を有する。

• 公開日：2017/10/05
• 出典：射出成形用原料の製造方法、及び樹脂成形体の製造方法
• 出願人：株式会社ＴＢＭ

前記第１直列共振器および前記第２並列共振器は実質的に同じ 膜厚 の温度補償膜を有する、または全て温度補償膜を有さない請求項３記載のデュプレクサ。

• 公開日：2017/08/31
• 出典：デュプレクサ
• 出願人：太陽誘電株式会社

図５（ａ）から図５（ｃ）は、それぞれ 膜厚 Ｔ１＋Ｔ２が１５０μｍ、１００μｍおよび５０μｍのときの支持基板の膜厚Ｔ１と圧電基板１２の膜厚Ｔ２を周波数に対し示した図である。

• 公開日：2017/02/09
• 出典：弾性波デバイスおよびモジュール
• 出願人：太陽誘電株式会社

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、硬質炭素皮膜層内での密着性が高く、初期なじみ性及び耐摩耗性が良好であると共に、簡便な製造方法で所望の 膜厚 に形成することができる硬質炭素皮膜を提供する

• 公開日：2017/02/02
• 出典：硬質炭素皮膜
• 出願人：日本ピストンリング株式会社

図１３は、各 膜厚 Ｔ１０における誘電体層の比誘電率ε１６に対する規格化誘導電流密度を示す図である。

• 公開日：2016/12/01
• 出典：構造体および接着部材
• 出願人：富士通株式会社

被加工基材の上に、光硬化性組成物を配置する配置工程と、 凝縮性ガス雰囲気下で、前記光硬化性組成物とモールドとを接触させる接触工程と、 前記モールドと前記被加工基材との位置を合わせる位置合わせ工程と、 前記光硬化性組成物に光を照射して光硬化膜を得る光照射工程と、 前記光照射工程の後、前記光硬化膜と前記モールドとを引き離す離型工程と、を有するインプリント方法において、 前記位置合わせ工程における前記光硬化性組成物の 膜厚 が、前記離型工程後の前記光硬化膜の膜厚よりも２０％以上厚いことを特徴とするインプリント方法。

• 公開日：2015/02/12
• 出典：インプリント方法および装置
• 出願人：キヤノン株式会社