膜厚 の意味・用法を知る

膜厚 が１μｍ以上であり、電気特性に優れた結晶性半導体膜を提供する。

• 公開日：2017/04/06
• 出典：結晶性半導体膜および半導体装置
• 出願人：株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

厚さが５〜３００μｍの基材２と、基材２の一方に抗菌コーティング剤からなる 膜厚 が０．０１〜１０μｍとなるように設けられたコーティング層３と、を備え、コーティング層３と相対する反対面が抗菌機能を備える抗菌性積層体１。

• 公開日：2017/08/10
• 出典：抗菌コーティング剤、抗菌性積層体、抗菌性積層体の製造方法、および抗菌性積層体を用いたフィルムまたはシート、包装容器、包装袋、蓋材
• 出願人：東京インキ株式会社

インク成分の均一性を維持し、形成される機能層における 膜厚 の均一性が向上し、残留溶媒を低減したインク組成物、有機半導体素子の製造方法、有機半導体装置、光学素子の製造方法を提供すること。

• 公開日：2018/02/01
• 出典：インク組成物、有機半導体素子の製造方法、有機半導体装置、および光学素子の製造方法
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

油性固形化粧料に関し、更に詳細には本発明の化粧料は、成形性が良好で、使用した際のなめらかさ及び仕上がりの 膜厚 感に優れ、密着感、うるおい感、ふっくら感に優れた油性固形化粧料を提供する。

• 公開日：2017/05/25
• 出典：油性固形化粧料
• 出願人：株式会社コーセー

透明性に優れ、 膜厚 １μｍ以上の酸化イットリウム膜を提供する。

• 公開日：2016/12/22
• 出典：酸化イットリウム膜
• 出願人：株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

ｎ側超格子層１５０を形成する工程では、ＩｎＧａＮ層１５１とＩｎＧａＮ層１５１よりＩｎ組成の小さいＧａＮ層１５２とを交互に積層するとともに、ＩｎＧａＮ層１５１のＩｎ組成および 膜厚 を次式 Ｙ ≦ １８０Ｘ ＋ ２２， ０ ≦ Ｘ ≦ ０．１， ０ ＜ Ｙ， Ｘ：ＩｎＧａＮ層１５１のＩｎ組成， Ｙ：ＩｎＧａＮ層１５１の膜厚（ｎｍ）を満たすように形成する。

• 公開日：2018/01/25
• 出典：ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子とその製造方法
• 出願人：豊田合成株式会社

多層膜の各層の 膜厚 を精度良く推定する方法の提供。

• 公開日：2017/12/14
• 出典：多層膜の成膜方法
• 出願人：日東電工株式会社

前記中間層と前記光触媒層の 膜厚 の和は、０．３μｍ以上１．５μｍ以下である。

• 公開日：2017/04/06
• 出典：光触媒塗装体
• 出願人：ＴＯＴＯ株式会社

前記ビア内の前記第２の層の 膜厚 は、前記第１の層と重なる領域における前記第２の層の膜厚よりも大きい、請求項１に記載の配線基板。

• 公開日：2017/06/15
• 出典：配線基板、配線基板を有する半導体パッケージ、およびその製造方法
• 出願人：株式会社ジェイデバイス

基板上に、多層反射膜及び吸収体膜をこの順で有する反射型マスクブランクの製造方法であって、シミュレーションにより、吸収体膜の 膜厚 と、吸収体膜表面での反射率との関係を得る工程と、膜厚Ｄ０の吸収体膜表面での反射率Ｒａｂｓと、吸収体膜を除去して多層反射膜又は保護膜を露出させた多層反射膜表面又は保護膜表面での反射率Ｒｍｕｌｔｉとから、第１のコントラスト値Ｃ１を算出する工程と、前記第１のコントラスト値Ｃ１よりも高い第２のコントラスト値Ｃ２を有する、吸収体膜の膜厚方向の一部を除去して残膜させた場合の残膜層の膜厚ｄ及び総膜厚Ｄ＝Ｄ１（ただし、Ｄ０＝Ｄ１−ｄ）を求める工程と、前記吸収体膜を前記総膜厚Ｄとなる...

• 公開日：2018/03/01
• 出典：反射型マスク、並びに反射型マスクブランク及び半導体装置の製造方法
• 出願人：ＨＯＹＡＴｅｃｈｎｏｓｕｒｇｉｃａｌ株式会社