縦形 の意味・用法を知る

通常、主軸は切削動力を伝える軸であり、図１に示す実施形態のように主軸が鉛直方向にある 縦形 の加工機の場合は、主軸をＺ軸として表わし、テーブル４２Ａを移動させる互いに直交する水平方向２軸の送り軸をそれぞれＸ軸とＹ軸として表す。

• 公開日：2016/09/08
• 出典：加工工程管理機能付き数値制御装置および加工工程管理プログラム
• 出願人：株式会社ソディック

...の第１主面側に存在して能動または受動で電流を流す活性部と、前記活性部に導電接続する第１の電極と、前記基板の第２主面側に存在する第１導電型の低抵抗層と、前記低抵抗層に導電接続する第２の電極と、前記活性部と前記低抵抗層との間に介在し、オン状態ではドリフト電流が縦方向に流れるとともにオフ状態では空乏化する 縦形 ドリフト部と、前記縦形ドリフト部は前記基板の厚み方向に配向する第１の縦形第１導電型領域と前記基板の厚み方向に配向する第１の縦形第２導電型領域とが第１の繰り返しピッチを以って交互に繰り返し接合してなる第１並列ｐｎ構造と、を有する半導体装置であって、前記第１主面上に絶縁膜を介して設けられたオン・オフ...

• 公開日：2017/04/27
• 出典：半導体装置
• 出願人：富士電機株式会社

基板の第１主面側に存在して能動または受動で電流を流す素子活性部と、前記基板の第２主面側に存在する第１導電型の低抵抗層と、前記素子活性部と前記低抵抗層との間に介在し、オン状態ではドリフト電流が縦方向に流れるとともにオフ状態では空乏化する 縦形 ドリフト部と、前記基板の第１主面側に設けられた複数の第２導電型ベース領域とを有し、前記縦形ドリフト部が、前記基板の厚み方向に配向する縦形第１導電型領域と前記基板の厚み方向に配向する第１の縦形第２導電型領域とが交互に繰り返し接合してなる並列ｐｎ構造をなす半導体素子であって、複数の前記第２導電型ベース領域のうちの最も外側に設けられた第２導電型ベース領域では、相対的...

• 公開日：2012/06/07
• 出典：半導体素子
• 出願人：富士電機株式会社

縦形 半導体に関連する欠点を克服して、改善された手段を実現し、デバイスエリアサイズを小型化すると共に、デバイスサイズを過度に縮小せず、さらなるデバイス作製を制限しないデバイス技術を実現すること。

• 公開日：1999/11/30
• 出典：ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアレイ、およびＤＲＡＭデバイス
• 出願人：シ−メンスアクチエンゲゼルシヤフト

基板の第１主面側に存在して能動または受動で電流を流す素子活性部と、前記基板の第２主面側に存在する第１導電型の低抵抗層と、前記素子活性部と前記低抵抗層との間に介在し、オン状態ではドリフト電流が縦方向に流れるとともにオフ状態では空乏化する 縦形 ドリフト部と、前記縦形ドリフト部の周りで前記第１主面と前記低抵抗層との間に介在し、オン状態では概ね非電路領域であってオフ状態では空乏化する素子周縁部とを有し、前記縦形ドリフト部は前記基板の厚み方向に配向する第１の縦形第１導電型領域と前記基板の厚み方向に配向する第１の縦形第２導電型領域とが交互に繰り返し接合してなる第１の並列ｐｎ構造であるとともに、前記素子周縁部...

• 公開日：2006/03/16
• 出典：半導体素子
• 出願人：富士電機株式会社

縦形 ＭＯＳＦＥＴにおいて、第１の並列ｐｎ構造の縦形ドリフト部１の周りで表面とドレイン層１１との間に介在し、オン状態では概ね非電路領域であってオフ状態では空乏化する耐圧構造部（素子外周部）２が、縦形ｎ型領域２ａと縦形ｐ型領域２ｂとを交互に繰り返して接合して成る第２の並列ｐｎ構造を備えている。

• 公開日：2001/10/26
• 出典：半導体装置
• 出願人：富士電機株式会社

縦形 ＭＯＳＦＥＴにおいて、縦形並列ｐｎ構造の縦形ドリフト部２２の周りで表面とドレイン層１１との間に介在し、オン状態では非電路領域であってオフ状態では空乏化する耐圧構造部（素子外周部）２０が、縦形のｎ型領域２０ａと縦形のｐ型領域とを交互に繰り返して接合して成る縦形並列ｐｎ構造を備えている。

• 公開日：2001/10/26
• 出典：半導体装置及びその製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

シリコン基板と埋め込みシリコン酸化膜層と表面シリコン単結晶層からなるSOI構造を有し、前記表面シリコン単結晶層内に、 縦形 または横形のNPN構造と、縦形または横形のPNP構造を有し、前記NPN構造のP領域と前記PNP構造の一方のP領域がシリコン単結晶層内のP型層抵抗を介し導通し、前記PNP構造のN領域と前記NPN構造の一方のN領域がシリコン単結晶層内のN型層抵抗を介して導通するサイリスタ構造を有することを特徴としたSOI−CMOS半導体装置。

• 公開日：2002/11/15
• 出典：半導体装置
• 出願人：セイコーインスツル株式会社

縦形 取り付けと伏せ形取り付けの両用のチューナーケース

• 公開日：2001/05/18
• 出典：チューナー
• 出願人：ソニー株式会社

高密度化を達成可能とするヒューズ及び抵抗を含む 縦形 ナノ回路を提供すること。

• 公開日：2003/06/06
• 出典：縦形ナノヒューズ及びナノ抵抗回路素子
• 出願人：ヒュ－レット・パッカ－ド・カンパニ－