結晶性 の意味・用法を知る
結晶性 とは、再結晶化技術 や高分子組成物 などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社半導体エネルギー研究所 やシャープ株式会社 などが関連する技術を24,392件開発しています。
このページでは、 結晶性 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
結晶性の意味・用法
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0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であり、前記第1金属窒化膜が、 結晶性 Al−Nであり、その結晶構造が六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
- 公開日:2017/09/14
- 出典:サーミスタ用金属窒化膜構造及びその製造方法並びにサーミスタセンサ
- 出願人:三菱マテリアル株式会社
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要約 本発明は、 結晶性 改質(3,4-ジクロロフェニル)プロパンアミド(プロパニル)、その製造方法、結晶性改質5(3,4-ジクロロフェニル)プロパンアミドを含む農薬混合物および組成物、ならびに前記混合物および組成物を用いる雑草に対抗する方法に関する。
- 公開日:2018/02/01
- 出典:結晶性改質プロパニル
- 出願人:ユナイテッドフォスフォラスリミテッド
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結晶性 が高く、活性成分を担持したときに優れた触媒活性を発揮するチャバザイト型ゼオライトとその製造方法を提供する。
- 公開日:2018/03/08
- 出典:高結晶性チャバザイト型ゼオライトおよびその製造方法
- 出願人:日揮触媒化成株式会社
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開示されるハニカム支持構造は、ハニカム本体、および、25℃から600℃まで第1の熱膨張係数を有する無機充填材と25℃から600℃まで第2の熱膨張係数を有する 結晶性 無機繊維材料とを含むセメントから形成された、外層すなわち外皮を備えている。
- 公開日:2017/06/08
- 出典:結晶性無機繊維材料を含むセメント外皮組成物を備えたハニカム構造体
- 出願人:コーニングインコーポレイティッド
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)であり、前記絶縁性窒化物保護膜が、 結晶性 Al−Nであることを特徴とする温度センサ。
- 公開日:2018/03/08
- 出典:温度センサ及びその製造方法
- 出願人:三菱マテリアル株式会社
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第一主表面と、その反対側にある第二主表面とを有し、該第一主表面はM面に平行またはM面に対して傾斜しており、該傾斜が存在する場合においては該傾斜をa軸方向成分およびc軸方向成分に分解したときの該a軸方向成分の絶対値が5°以下かつ該c軸方向成分の絶対値が45°以下である、GaNウエハであって、該GaNウエハは、c軸に直交する方向に延びる 結晶性 低下帯を該第一主表面上に有し、該結晶性低下帯の幅は190μm未満である。
- 公開日:2018/04/19
- 出典:非極性または半極性GaNウエハ
- 出願人:三菱レイヨン株式会社
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従って、量子型の赤外線センサにおいては、光吸収層の 結晶性 を向上させることで、赤外線センサ自体の特性を向上させることが可能となる。
- 公開日:2017/10/05
- 出典:量子型赤外線センサ
- 出願人:旭化成エレクトロニクス株式会社
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酸価が5〜50mgKOH/g-resinである 結晶性 酸変性ポリオレフィン(A)、グリシジルアミン型エポキシ樹脂(B1)、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂(B2)および有機溶剤(C)を含有する自動車構造パネル用接着剤組成物。
- 公開日:2018/04/19
- 出典:ポリオレフィン系自動車構造パネル用接着剤組成物
- 出願人:東洋紡株式会社
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高い 結晶性 を有し、キャリア極性、濃度および移動度の制御性に優れた、窒化銅半導体薄膜等の窒化銅半導体を提供する。
- 公開日:2017/08/03
- 出典:窒化銅半導体およびその製造方法
- 出願人:国立大学法人東京工業大学
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従来よりも反応時に要する温度が低く、且つ工程数を少なくすることができ、簡易に製造することが可能な 結晶性 硫化物固体電解質の製造方法を提供する。
- 公開日:2017/01/12
- 出典:固体電解質の製造方法
- 出願人:出光興産株式会社
結晶性の問題点 に関わる言及
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この欠点は 結晶性 高分子の結晶性に由来するものであり、結晶核剤の添加によって、結晶性高分子の結晶化温度が上昇し、結晶性高分子の結晶化が促進されて微細な結晶を生成する場合に、結晶性高分子の透明性は改善されることが知られている。
- 公開日: 2009/04/16
- 出典: 結晶核剤組成物の製造方法及び結晶性高分子組成物
- 出願人: 株式会社ADEKA
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好ましくは、水溶性重合体はpH非依存性重合体であり、胃腸内pHの個体間および個体内変動の下でさえ、活性成分の 結晶性 喪失および親水性の増強をもたらすことができる。
- 公開日: 2010/04/08
- 出典: 前立腺関連疾患の治療および予防のための化合物およびそれを含有する結腸送達系の医薬組成物
- 出願人: マゼンスインコーポレイテッド
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地肌濃度が高くなる原因は、主に電子供与性呈色性化合物が光により分解することに起因する。そして、この電子供与性呈色性化合物が他の物質と相溶して 結晶性 を失うことにより、光によって分解されやすくなると考えられている。したがって、特に高融点物質が電子供与性呈色性化合物である場合、この化合物の全体あるいは一部が結晶性を保ったまま残存させることによって、分解されやすい電子供与性呈色性化合物の部分を最小限に抑えることができるので、地肌濃度の低い媒体が得られる。
- 公開日: 2002/05/08
- 出典: 熱可逆性記録媒体およびその製造方法
- 出願人: 沖電気工業株式会社
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以上のようなB成分は、低 結晶性 、あるいはゴム性といった特性に基づいて、高結晶性のEVOH樹脂とブレンドすることにより、柔軟性が付与された樹脂組成物を得ることができ、ひいては、耐屈曲性に優れた組成物を提供できる。
- 公開日: 2011/10/13
- 出典: 樹脂組成物並びにこれを用いた成形品及び多層構造体
- 出願人: 日本合成化学工業株式会社
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一方で、一般に低分子量化合物は、 結晶性 が高く、耐熱性が低いため、レジスト化合物として必要な成膜性、耐熱性、さらには感度を有しておらず、レジスト化合物として適用は困難である。
- 公開日: 2005/05/26
- 出典: レジスト用化合物および感放射線性組成物
- 出願人: 三菱瓦斯化学株式会社
結晶性の特徴 に関わる言及
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自己整列して二次元 結晶性 配列構造体を生じる性質を有する機能性分子及びその製造方法、この機能分子の重合体である機能性高分子及びその製造方法、並びに機能分子又は機能性高分子からなる二次元結晶性配列構造体及びその製造方法を提供する。
- 公開日: 2011/02/17
- 出典: 機能性分子及びその製造方法、機能性高分子及びその製造方法、並びに二次元結晶性配列構造体及びその製造方法
- 出願人: ソニー株式会社
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さらに、 結晶性 または非晶質のリチウムイオン伝導性固体電解質は、アレニウス型の温度依存性を示す。結晶性または非晶質のリチウムイオン伝導性固体電解質の導電率の温度依存性はアレニウスの式に従うので、結晶性または非晶質のリチウムイオン伝導性固体電解質の導電率は、比較的高い温度では有機電解質に匹敵するか、有機電解質の導電率を上回る。
- 公開日: 2008/09/25
- 出典: リチウム二次電池、正極活物質被覆用粒子の製造方法およびリチウム二次電池の製造方法
- 出願人: トヨタ自動車株式会社
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AlN結晶は、SiC結晶、Si結晶またはサファイア結晶などに比べて、GaN結晶と同じ結晶構造をとり、また結晶定数も近い。このため、 結晶性 が高いAlN結晶であれば、その主面上に、バッファ層を形成することなく、直接結晶性の高いGaN結晶を成長させることができる。
- 公開日: 2008/10/02
- 出典: 窒化ガリウム結晶の成長方法および窒化ガリウム結晶基板
- 出願人: 住友電気工業株式会社
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複屈折性ナノ粒子は適切な任意の経路を介して複屈折性を示すことができる。ナノ粒子は、 結晶性 である結果として複屈折性を示すことが望ましい。結晶性という用語は、例えばナノ粒子がある程度の結晶性を有することを指し、したがって、その結晶性は半結晶性ナノ粒子と完全な結晶性ナノ粒子の両方を包含するものとする。格子中である程度規則的な原子の配置で結晶を含む場合、ナノ粒子は結晶性であると考えられる。
- 公開日: 2008/05/15
- 出典: 複屈折性標識材料、受像基材及び項目認証システム
- 出願人: ゼロツクスコーポレシヨン
結晶性の使用状況 に関わる言及
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以上のことから、特に 結晶性 透明導電性薄膜に対しての密着性が良好で、導電性を確保した低温加工可能な導電性ペーストが現在強く求められているが、現状はそのような導電性ペーストの開発は十分ではない。
- 公開日: 2013/03/07
- 出典: 導電性ペースト、導電性膜、タッチパネル、及び導電性薄膜の製造方法
- 出願人: 東洋紡株式会社
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燃料電池の出力を向上するためには、酸化物プロトン導電性膜に高いプロトン導電性が求められる。プロトン導電性は、酸化物プロトン導電性膜を構成する酸化物がより結晶化することにより向上するので、この酸化物としては、高い 結晶性 を有するものが望まれる。
- 公開日: 2007/04/19
- 出典: 水素透過構造体の製造方法、水素透過構造体及び燃料電池
- 出願人: 住友電気工業株式会社
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このように、本実施の形態によれば、移動度のばらつきもなく高移動度の特性を有する 結晶性 半導体膜の結晶性を正確に評価できる結晶性評価方法、結晶性評価装置、及びそのコンピュータソフトを実現することができる。
- 公開日: 2014/07/07
- 出典: 結晶性評価方法、結晶性評価装置、及びそのコンピュータソフト
- 出願人: パナソニック株式会社
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結晶化度が求められる予定の被測定サンプルについては、その後、 結晶性 相の表面割合および非晶質相の表面割合を求め、結晶化度CDは上記で示される式に従ってそれらから計算される。
- 公開日: 2012/11/08
- 出典: グリシン-N,N-二酢酸の1種以上の誘導体および/またはグルタミン-N,N-二酢酸の1種以上の誘導体を含む粉末ならびにメチルグリシン-N,N-二酢酸三ナトリウム塩粉末の調製方法
- 出願人: バーゼル、ポリオレフィン、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング
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PCA材料は、生体吸収性およびその最小限の 結晶性 によって特徴付けられる。この結晶性特性は天然の骨と実質的に同一である。PCA材料はまた、生体適合性でありかつその宿主とって有害でない。
- 公開日: 2013/11/07
- 出典: 骨誘導性タンパク質のためのリン酸カルシウム送達ビヒクル
- 出願人: ワイス
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高分子組成物
- 不特定の高分子化合物
- 多糖類
- 不特定のゴム;天然ゴムまたは共役ジエンゴム
- 蛋白質
- 油,脂肪またはワックス
- 天然樹脂
- 瀝青質材料
- リグニン含有材料
- その他の天然高分子
- C=Cのみが関与する反応によって得られる不特定重合体
- オレフィンの(共)重合体
- 不飽和芳香族化合物の共重合体
- ハロゲン化オレフィンの(共)重合体
- 不飽和アルコ−ル,エ−テル,アルデヒド,ケトン,アセタールまたはケタールの(共)重合体
- 飽和カルボン酸,炭酸またはハロ蟻酸の不飽和アルコールとのエステルの(共)重合体
- 不飽和モノカルボン酸またはその誘導体の(共)重合体
- 不飽和ポリカルボン酸またはその誘導体の(共)重合体
- 不飽和アミン,その誘導体または不飽和含窒素複素環化合物の(共)重合体
- 環中にC=Cを含有する炭素環または複素環化合物の(共)重合体
- 1つの不飽和脂肪族基に2個以上のC=Cを含有する化合物の(共)重合体(BK00が優先)
- C三Cを含有する化合物の(共)重合体
- グラフト重合体
- ブロック共重合体
- その他のC=Cのみが関与する反応によって得られる(共)重合体(ABS→BN15,石油脂肪→BA01)
- C=Cのみが関与する重合反応以外の反応により得られる不特定高分子化合物 (ポリテルペン→CE00)
- ポリアセタ−ル
- アルデヒドまたはケトンの縮重合体
- エポキシ樹脂
- 主鎖にC−C結合を形成する反応によって得られる高分子化合物(AC00〜14,BA00〜BQ00、CC00が優先)
- ポリエステル
- ポリカ−ボネ−ト;ポリエステルカ−ボネ−ト
- ポリエ−テル (ポリチオエーテル→CN01)
- その他の、主鎖に酸素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物
- ポリ尿素またはポリウレタン
- ポリアミド
- その他の、主鎖にNを含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物
- 主鎖に硫黄を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物
- 主鎖にけい素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物
- 主鎖にSi,S,N,OおよびC以外の原子を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物
- 元素
- 金属化合物
- 合金
- ハロゲン含有無機化合物
- 酸素含有無機化合物
- 窒素含有無機化合物
- S,SeまたはTe含有無機化合物
- リン含有化合物
- けい素含有無機化合物
- ほう素含有無機化合物
- ガラス
- その他 無機物質
- 炭化水素
- ハロゲン化炭化水素
- アルコ−ル;金属アルコラ−ト
- エ−テル;(ヘミ)アセタ−ル;(ヘミ)ケタール;オルトエステル
- アルデヒド;ケトン
- カルボン酸(環状無水物→EL13,非環状無水物→EF12);カルボン酸無水物
- カルボン酸の金属塩;アンモニウム塩(第4級アンモニウム塩→EN13)
- エステル;エ−テルエステル
- フェノ−ル;フェノラ−ト
- 有機過酸化物
- 異項原子としてOを有する複素環式化合物
- 観点ECからELに属さないO含有基を有する有機化合物
- アミン;第四級アンモニウム化合物
- カルボン酸アミド(環式イミド→EU)
- 1個の他のN原子に結合するN原子を含有する有機化合物
- 1個以上のC=N結合を有する有機化合物
- N−O結合を有する有機化合物
- 視点EN〜ESに属さないN含有有機化合物
- 異項原子として窒素を有する複素環式化合物
- S,SeまたはTe含有有機化合物
- リン含有化合物
- けい素含有有機化合物
- B、AsまたはSb含有有機化合物
- 有機金属化合物、すなわち金属−C結合を有する有機化合物(有機As化合物→EY00,有機Sb化合物→EY02)(アルコラート→EC07、カルボン酸金属塩→EG)
- 形状に特徴を有する配合成分の使用
- 前処理された配合成分の使用
- 添加剤の機能
- 農業用(←殺生物剤の担体)
- 医療、化粧用
- 生活、スポ−ツ用
- 物理化学的処理用
- 生化学的用途
- 積層体用
- 容器、包装用
- 塗料用(←コ−ティング剤)
- 接着、シ−ル用
- 繊維、紙用
- 建築、土木用
- 機械部材用
- 運輸機器用
- 光学関係用
- 電気関係
- 物理関係用
- 情報記録材料
- その他の用途
- 組成物の形態
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長