結晶品質 の意味・用法を知る
結晶品質 とは、結晶、結晶のための後処理 や発光ダイオード などの分野において活用されるキーワードであり、信越半導体株式会社 や新日鐵住金株式会社 などが関連する技術を5,030件開発しています。
このページでは、 結晶品質 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
結晶品質の意味・用法
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ｐクラッド層１５の 結晶品質 を良好に保ちつつ、厚さを薄くできるため、駆動電圧を低減することができる。
- 公開日：2012/12/13
- 出典：ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法
- 出願人：豊田合成株式会社
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ＩｎＰ半導体基板と、前記ＩｎＰ半導体基板上に形成された３元組成の材料からなる光吸収層と、前記光吸収層の上部に形成された増倍層と、前記増倍層を含む領域に形成されたガードリングと、前記ＩｎＰ半導体基板と前記光吸収層との間に形成された、４元組成の材料からなる４元バッファ層と前記４元バッファ層の中に形成される 結晶品質 回復層と、を有し、前記光吸収層の最上端と前記結晶品質回復層の最上端との間の幅が、１.５μｍ以下であることを特徴とする半導体受光素子。
- 登録日：2013/12/20
- 出典：半導体受光素子
- 出願人：日本電気株式会社
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所望の 結晶品質 のシリコン単結晶をより確実に得ることができ、生産性や歩留りの向上を実現するシリコン単結晶の製造システムおよびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。
- 公開日：2008/01/10
- 出典：シリコン単結晶の製造システムおよびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法
- 出願人：信越半導体株式会社
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エピタキシャル基板などのIII族窒化物結晶基板を構成するIII族窒化物結晶における 結晶品質 の改善を実現する。
- 公開日：2008/02/07
- 出典：ＩＩＩ族窒化物結晶の結晶品質改善方法
- 出願人：日本碍子株式会社
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所定の単結晶基板上において、高い 結晶品質 のＡｌ含有III族窒化物膜を形成することが可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。
- 公開日：2004/07/15
- 出典：エピタキシャル成長用基板および半導体素子
- 出願人：日本碍子株式会社
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ＣＺ法による単結晶の製造において、複数の単結晶を育成する際に、単結晶製造装置のチャンバ内の構造物を取り替えることなく、各単結晶がそれぞれ所望の 結晶品質 を有するように単結晶を製造できる単結晶の製造方法を提供する。
- 公開日：2005/07/14
- 出典：単結晶の製造方法
- 出願人：信越半導体株式会社
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結晶品質 を容易に安定させて単結晶を製造するための単結晶製造装置及び単結晶の製造方法を提供する。
- 公開日：2008/05/08
- 出典：単結晶製造装置及び単結晶の製造方法
- 出願人：信越半導体株式会社
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チョクラルスキー法による単結晶の引き上げにおいて、過去の引き上げ操業実績及び 結晶品質 に関するデータを記憶しているデータベース部と、次回引き上げるときのルツボ回転数、炉内圧、不活性ガス流量等の操作量のプロファイルに関する計算をする操作量設定部と、操作量設定部にて計算された操作量のプロファイルに対して、設定環境因子および過去の統計的データに基づいて、確信度を計算する確信度計算部と、確信度計算部にて計算された確信度を評価する確信度評価部と、操作量のプロファイル及び確信度または確信度評価として提示するガイダンス出力部を有することを特徴とするシリコン単結晶中の酸素濃度制御ガイダンス装置。
- 公開日：2003/02/13
- 出典：シリコン単結晶中の酸素濃度制御ガイダンス方法及びその装置
- 出願人：株式会社ＳＵＭＣＯ
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高分子の結晶構造解析に用いる結晶の 結晶品質 を迅速且つ簡便に評価する方法を開発する。
- 公開日：2005/01/06
- 出典：高分子の結晶品質を評価する方法
- 出願人：一般財団法人日本宇宙フォーラム
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光反射多層膜上の活性層の 結晶品質 が低下するのを防いで輝度を向上させる。
- 公開日：1999/03/30
- 出典：発光ダイオード
- 出願人：シャープ株式会社
結晶品質の問題点 に関わる言及
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混合結晶の純度、結晶の大きさ、 結晶品質 および可能な構造は粗顔料の物理的状態にとって重要である。一般に、純粋で高結晶質の粗顔料は汚れた顔料および結晶格子に欠陥のある顔料よりも長期間微粉砕すべきである。
- 公開日： 1994/03/15
- 出典： α相の銅フタロシアニン顔料調製物の製造方法
- 出願人： クラリアント・プロドゥクテ・（ドイチュラント）・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング
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単結晶基板の 結晶品質 が不十分であると、エピタキシャル成長中に単結晶基板と磁性ガーネット単結晶膜との間に応力が生じる。単結晶の割れは、単結晶基板がこの応力に耐えられないために発生するものと考えられる。単結晶基板の結晶性が低下すると結晶格子が歪むことになり、ガーネット型の単結晶では生じないはずの複屈折が発生する。複屈折が生じると単結晶基板の消光比は低下することになる。したがって、単結晶基板の結晶性を評価する基準として消光比を用いることができる。消光比が高いほど単結晶基板の結晶性が高いと考えられる。
- 公開日： 2005/04/21
- 出典： 磁性ガーネット単結晶膜育成用基板及びそれを用いた磁性ガーネット単結晶膜の製造方法
- 出願人： ＴＤＫ株式会社
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しかしながら、以上に示した昇華法による炭化珪素単結晶成長では、結晶の成長速度が遅いという課題がある。結晶の成長速度は主に成長温度、成長圧力、坩堝設計により決定されるが、成長温度および成長圧力は、結晶多形を維持するための最適条件が存在し、この最適条件を外れると異種結晶多形の混入により 結晶品質 が低下しやすくなる。そのため、成長温度および成長圧力は、目的の結晶多形に応じて、ほぼ決められた条件にする必要があり、坩堝設計は、単結晶分離成長の観点からの制約条件があるので、自由な設計を行うことが難しい。
- 公開日： 2007/03/29
- 出典： 単結晶の製造装置及び製造方法
- 出願人： パナソニック株式会社
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また、種結晶１１１が全く溶融しない場合も同様に、結晶方位の異なる単結晶が結晶成長するといったことや、そもそも単結晶には結晶成長せず、多結晶として結晶成長してしまうといったことが起き、 結晶品質 の低下を招く。
- 公開日： 2014/09/08
- 出典： 単結晶製造装置
- 出願人： シャープ株式会社
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また、従来の疑似電子走行層を備えた高電子移動度トランジスタにおいては、疑似電子走行層に圧縮方向に強い歪みがかかるため、疑似電子走行層の 結晶品質 が劣化してしまい、この疑似電子走行層における電子の移動度が低下して、電子移動度の高い高電子移動度トランジスタを得ることが困難であるという問題があった。
- 公開日： 1997/04/22
- 出典： 半導体装置，及び半導体レーザ，並びに高電子移動度トランジスタ装置
- 出願人： 三菱電機株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴（クレーム）
- 材料１（元素状、合金）
- 材料２（酸化物）
- 材料３（複合酸化物）
- 材料４（酸素酸塩）
- 材料５（〜化物）
- 材料６（有機物）
- 固相成長
- 液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する）
- 液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先
- 液相成長３（融液の凝固によるもの）
- 液相成長４（ゾーンメルティング）
- 液相成長５（融液からの引き出し）
- 液相成長６（液相エピタキシャル）
- 気相成長１（蒸着、昇華）
- 気相成長２（ＣＶＤ）
- 結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く
- 結晶成長共通２（不純物のドーピング）
- 結晶成長共通３（原料の調製、原料組成）
- 結晶成長共通４（種結晶、基板）
- 結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護）
- 結晶成長共通６（基板への多層成長）
- 結晶成長共通７（装置、治具）
- 結晶成長共通８（検知、制御）
- 結晶成長共通９（特定の成長環境の付加）
- 後処理１（拡散源、その配置）
- 後処理２（後処理のための基板表面の前処理）
- 後処理３（気相からのドーピング）
- 後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング）
- 後処理５（加熱、冷却処理）
- 後処理６（結晶の接合）
- 後処理７（エッチング、機械加工）
- 後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用）
- 後処理９（その他）
- 後処理１０（装置、治具の特徴）
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱（集光加熱等）
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し（保護流体下も含む）
- 結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- ＰＶＤ
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- ＣＶＤ
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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気相成長（金属層を除く）
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件（１）成膜温度Ｔ 請求項＋実施例に記載されている成膜温度を全て付与する（除く従来例）
- 成長条件（２）成膜時の圧力Ｐ 請求項＋実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する（除く従来例）
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式（１）基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 装置の形式（２）成膜室の形態 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱（照射）・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
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半導体レーザ
- 半導体レーザの構造（垂直共振器を除く）−（１）
- 半導体レーザの構造（垂直共振器を除く）−（２）
- 垂直共振器を有するレーザの構造
- モノリシックな集積（同じ成長基板上に複数の素子を備えたもの）
- 半導体の積層方向の構造−１
- 半導体の積層方向の構造−２
- 活性層の材料系−基板材料
- 不純物に特徴があるもの
- 電極構造・材料に特徴があるもの
- 被覆構造・材料に特徴があるもの
- 製造方法１
- 製造方法２
- 課題・目的
- レーザ動作のタイプ
- モジュール・パッケージの用途
- モジュール・パッケージのタイプ（典型的なタイプを抽出）
- マウント・モジュール・パッケージにおける目的
- ＬＤチップのマウント
- パッケージ・光モジュールの構成
- 発明の特徴となっている組合せ光学要素（ＬＤチップ外）
- 駆動におけるレーザーのタイプ
- 用途（駆動）
- 駆動において特徴となる目的
- 安定化制御（主に検知・帰還制御）
- 駆動制御
- 異常対策
- 回路構成に特徴があるもの
- 被試験・被検査形状
- 試験・検査する項目
- 試験・検査において特徴と認められる点
- 試験・検査の内容
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放射線を利用した材料分析
- 試料入射粒子（源），刺激（含意図外，直分析外）
- 利用，言及生起現象；分折手法（含意図外、直分析外）
- 試料出射粒子（含意図外，直分析外）
- 検出器関連言及
- 分光；弁別（Ｅ，λ；ｅ／ｍ；粒子）
- 信号処理とその周辺手段（測定出力提供とその精度向上関連
- 測定内容；条件；動作等関連変数，量ψ
- 表示；記録；像化；観察；報知等
- 制御；動作；調整；安定化；監視；切換；設定等
- 分析の目的；用途；応用；志向
- 対象試料言及（物品レベル）
- 試料形状言及
- 検出；定量；着目物質とその構成元素；関連特定状態等
- 測定前後の試料の動き
- 試料保特，収容手段；状態等
- 試料作成；調製；試料及び他部分に対する処理；措置等
- 機能要素；部品素子；技術手段要素等；雑特記事項その他
