組成比 の意味・用法を知る
組成比 とは、ガラス組成物(第三版) や磁気記録担体 などの分野において活用されるキーワードであり、コニカミノルタ株式会社 やアルプス電気株式会社 などが関連する技術を83,530件開発しています。
このページでは、 組成比 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
組成比の意味・用法
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第2のp型AlGaN層6は、第1のAlGaN層(井戸層41)よりもAlの 組成比 が大きい。
- 公開日:2017/08/10
- 出典:紫外線発光素子
- 出願人:パナソニック株式会社
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銅または銅合金からなる基材10の表面にSnめっき12、16が施され、その最表層12が深さ方向でCuとNiとSnの 組成比 が略一定のCu−Ni−Sn合金からなる層であり、16は組成が傾斜しており、かつ最表層12の表面の算術平均粗さRaが0.15μm以下、最大高さRzが0.8μm以下である。
- 公開日:2017/03/02
- 出典:Snめっき材およびその製造方法
- 出願人:DOWAメタルテック株式会社
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本発明の一実施例のPdRu合金電極材料の製造工程を説明する工程図である。 図1の工程により得られた7種類のPdRuの 組成比 のPdRu合金電極材料(PdxRu1−x/C)についての、粉末X線回折結果(XRDパターン)をそれぞれ示す図である。 図1の工程により得られた3種類のPdRuの組成比のPdRu合金電極材料(PdxRu1−x/C)についての、高角散乱環状暗視野走査透過顕微鏡法による像(HAADF−STEM像)を上段に、エネルギ分散型X線分析装置EDXによる元素マッピング像を中段および下段に示す図である。 図1の工程により得られた7種類のPdRuの組成比のPdRu合金電極材料(PdxRu1−x...
- 公開日:2016/09/05
- 出典:PdRu合金電極材料およびその製造方法
- 出願人:株式会社ノリタケカンパニーリミテド
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遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスを気相中で化学反応させることにより、シリコン/遷移金属の 組成比 が3より大で16以下の前駆体を気相中で作製した後に、該前駆体を基板上に堆積して、シリコン/遷移金属の組成比が3より大で16以下の遷移金属シリサイド膜を該基板上に作製する。
- 公開日:2016/12/15
- 出典:遷移金属シリサイド膜、その製造方法及び製造装置並びに半導体装置
- 出願人:独立行政法人産業技術総合研究所
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実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、タングステン、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、ニオブ、ルテニウム、オスミウム、レニウム、およびイリジウムの群より選ばれた少なくとも1種の金属と、ボロンと、炭素とを含み、金属の 組成比 がボロンの組成比および炭素の組成比よりも高いマスク層を、被エッチング層上に形成する工程と、マスク層をパターニングする工程と、パターニングされたマスク層を用いて被エッチング層をドライエッチングし、被エッチング層にホールまたは溝を形成する工程と、を備えている。
- 公開日:2017/01/05
- 出典:半導体装置の製造方法
- 出願人:東芝メモリ株式会社
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支持基板2と、支持基板2上に配置された金属または金属酸化物を含む剥離層3と、剥離層3上に配置された樹脂基板4と、を備え、樹脂基板4を構成する樹脂材料は、フッ素元素を含有し、樹脂基板4において、剥離層3と反対側の表面領域Fのフッ素 組成比 に対する剥離層3と接する側の裏面領域Rのフッ素組成比の比が0.45以下である。
- 公開日:2016/01/14
- 出典:支持基板付き樹脂基板、及び、その製造方法、並びに、その樹脂基板を用いた電子デバイス
- 出願人:パナソニックIPマネジメント株式会社
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キャップ層(5)は、井戸層(42)よりもAlの 組成比 が大きく且つ第1のp型AlGaN層(61)よりもAlの組成比が小さな、第3のAlGaN層である。
- 公開日:2017/04/13
- 出典:紫外線発光素子及びそれを用いた電気機器
- 出願人:独立行政法人理化学研究所
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横軸をニッケルとタングステンの 組成比 とし、縦軸をNi—W粒子の融点としたグラフ上に粒子径(半径)が異なる複数の融点曲線を図示したグラフである。
- 公開日:2017/06/22
- 出典:金属材料、及びそれを用いた電子部品、並びに、金属材料の製造方法、及び電子部品の製造方法
- 出願人:富士電機株式会社
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組成比 がRXT(100−X−Y)CY(ただし、RはSmを必須とし、Y、La、Pr、Ce、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuの1種以上からなる希土類元素、TはFe、もしくはFeとCoを必須とする1種以上の遷移金属元素、15<X<40、5<Y<15、1.5<(100−X−Y)/X<4)であり、主相がNd5Fe17型結晶構造を有する。
- 公開日:2016/10/06
- 出典:永久磁石
- 出願人:TDK株式会社
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また、E12E2E3で表されるL21型結晶構造を有するフルホイスラー合金のバンド構造の特徴として、化合物の 組成比 を変化させたときに、バンド構造が大きく変化せずに、フェルミ準位のエネルギー位置だけが変化するという固定バンドモデル(rigid band model)的な振る舞いをする。
- 公開日:2018/04/05
- 出典:熱電変換材料
- 出願人:日立金属株式会社
組成比の問題点 に関わる言及
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基板上に製膜された薄膜または自立した薄板を対象とした、酸化度、窒化度、熱伝導率および 組成比 の測定を安価に行うことができ、特に、熱伝導率の測定では、測定感度と同程度以下の熱伝導率の測定が可能となる、酸化度、窒化度、熱伝導率および組成比の測定方法を提供する。
- 公開日: 2007/06/28
- 出典: 熱伝導率の測定方法
- 出願人: 日本放送協会
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なお、標準試料としては、分析試料の組成に極力近い組成の試料を用いることが好ましいが、組成分析すべき主要な元素の構成が分析試料と共通するものであればよく、各元素の 組成比 は異なるものであってもよい。
- 公開日: 2009/10/01
- 出典: 合金の組成分析方法及び組成分析装置
- 出願人: 富士電機株式会社
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しかしながら、これらの方法においては、製造原料として用いる官能基含有ノルボルネン系単量体の重合反応性が低いため、収率よく開環重合体を得るためには多量の重合触媒を必要とする問題があった。また、官能基含有ノルボルネン系単量体は、官能基を持たないノルボルネン系単量体よりも重合反応性が低いので、これらを共重合しようとしても、多量の官能基含有ノルボルネン系単量体を必要とする上、所望の 組成比 と分子量をもつ共重合体が得られない場合があった。
- 公開日: 2003/10/15
- 出典: ノルボルネン系開環重合体、ノルボルネン系開環重合体水素化物及びそれらの製造方法
- 出願人: 日本ゼオン株式会社
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しかしながら、これらの方法においては、製造原料として用いる官能基含有ノルボルネン系単量体の重合反応性が低いため、収率よく開環重合体を得るためには多量の重合触媒を必要とするという問題があった。また、官能基含有ノルボルネン系単量体は、官能基を持たないノルボルネン系単量体よりも重合反応性が低いので、これらを共重合しようとしても、多量の官能基含有ノルボルネン系単量体を必要とする上、所望の 組成比 と分子量をもつ共重合体が得られない場合があった。
- 公開日: 2003/10/21
- 出典: ノルボルネン系開環重合体、ノルボルネン系開環重合体水素化物およびそれらの製造方法
- 出願人: 日本ゼオン株式会社
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また、本実施の一形態の酸化物半導体膜は、単層の酸化物半導体膜に限定されず、構成元素の異なる酸化物半導体、同じ構成元素であっても 組成比 の異なる酸化物半導体を積層した酸化物半導体膜にも適用できる。
- 公開日: 2011/10/13
- 出典: 半導体膜の作製方法
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所
組成比の特徴 に関わる言及
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基準層および低稠密度層を導電性層とすることにより、十分に高い導電性を有する光透過性導電性膜が得られ、当該導電性層を混合物により形成する場合には、当該混合物を構成する導電性材料の 組成比 を変更することにより容易に制御された程度の稠密度を有する光透過性導電性膜を得ることができる。
- 公開日: 2001/07/19
- 出典: 光透過性導電性膜、これを有する光学部材、電子部品および装置
- 出願人: コニカミノルタ株式会社
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積層型感光層の場合、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層が形成される。電荷輸送層は単一の層でもよいし、構成成分あるいは 組成比 の異なる複数の層を重ねたものでもかまわない。また、単層型感光層では、積層型感光層の電荷輸送層と同様の構成の電荷輸送媒体の中に電荷発生物質が分散される。積層型感光層の電荷輸送層及び単層型感光層の電荷輸送媒体は、通常、上記電荷輸送物質を、バインダー樹脂により結着することで得られる。
- 公開日: 2009/06/04
- 出典: 電子写真感光体、該電子写真感光体を備える感光体カートリッジ及び画像形成装置
- 出願人: 三菱化学株式会社
組成比の使用状況 に関わる言及
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カドミウムの 組成比 を関数として各カドミウムの組成比に対応する各臨界膜厚を近似する関係式を求め、その関係式によって所望のカドミウムの組成比を有する化合物半導体層の臨界膜厚を求める方法によれば、その関係式が実験的に求めた臨界膜厚を近似しているので、化合物半導体層中の所望のカドミウムの組成比によって、その組成比の化合物半導体層の臨界膜厚がほぼ正確に求めることができる。
- 公開日: 1996/05/31
- 出典: 化合物半導体層の臨界膜厚の求め方およびそれを用いた光半導体装置の製造方法
- 出願人: ソニー株式会社
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n型窒化物半導体層のAl 組成比 は介在層のAl組成比よりも高いことが好ましく、n型窒化物半導体層のIn組成比は介在層のIn組成比よりも低いことが好ましい。n型窒化物半導体層の絶対屈折率値は、介在層の絶対屈折率値よりも小さいことが好ましい。
- 公開日: 2013/04/04
- 出典: 光電変換素子
- 出願人: シャープ株式会社
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
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- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
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半導体レーザ
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(1)
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(2)
- 垂直共振器を有するレーザの構造
- モノリシックな集積(同じ成長基板上に複数の素子を備えたもの)
- 半導体の積層方向の構造−1
- 半導体の積層方向の構造−2
- 活性層の材料系−基板材料
- 不純物に特徴があるもの
- 電極構造・材料に特徴があるもの
- 被覆構造・材料に特徴があるもの
- 製造方法1
- 製造方法2
- 課題・目的
- レーザ動作のタイプ
- モジュール・パッケージの用途
- モジュール・パッケージのタイプ(典型的なタイプを抽出)
- マウント・モジュール・パッケージにおける目的
- LDチップのマウント
- パッケージ・光モジュールの構成
- 発明の特徴となっている組合せ光学要素(LDチップ外)
- 駆動におけるレーザーのタイプ
- 用途(駆動)
- 駆動において特徴となる目的
- 安定化制御(主に検知・帰還制御)
- 駆動制御
- 異常対策
- 回路構成に特徴があるもの
- 被試験・被検査形状
- 試験・検査する項目
- 試験・検査において特徴と認められる点
- 試験・検査の内容