熱処理条件 の意味・用法を知る
熱処理条件 とは、物品の熱処理 や熱処理 などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社ジェイテクト や信越半導体株式会社 などが関連する技術を1,517件開発しています。
このページでは、 熱処理条件 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
熱処理条件の意味・用法
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制御部50は、算出した 熱処理条件 でドープ処理および拡散処理を行うことにより、所望の範囲に含まれる膜中P濃度に調整する。
- 公開日:2017/05/25
- 出典:熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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従来、シリンダブロックの寸法を安定化させるための 熱処理条件 を設定する際には、制約が多く条件設定作業が煩雑となっていた。
- 公開日:2011/03/24
- 出典:熱処理条件設定方法および熱処理方法
- 出願人:トヨタ自動車株式会社
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処理室内に収容された被処理体の熱処理の内容に応じて、前記処理室内の熱処理温度を含む 熱処理条件 を記憶する熱処理条件記憶手段と、前記熱処理条件記憶手段に記憶された熱処理条件に従って被処理体を熱処理する熱処理手段と、前記熱処理手段による熱処理の回数を記憶する熱処理回数記憶手段と、前記熱処理温度と、前記熱処理に伴って装置内部に付着した付着物の累積膜厚と、前記付着物の付着に起因する前記処理室内の温度誤差を補正する温度補正値との関係を示す温度補正テーブルを記憶する温度補正テーブル記憶手段と、前記熱処理手段が前記熱処理条件に従って被処理体を熱処理するとき、前記熱処理回数記憶手段に基づいて現在の付着物の累積膜...
- 公開日:2008/09/18
- 出典:熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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実施例1〜6および比較例1〜16 表1に示す組成を有する4種の鋼材を用意し、前述した通り、優れた加工性を得るとともに、浸炭後の高硬度を得るために、浸炭前に多量の炭化物を析出させた状態とする必要性から、これらの鋼材に球状化焼鈍処理を施した後、型番6206の転がり軸受に用いられる22種類の内輪素材を形成し、これらの内輪素材に 熱処理条件 1〜22で熱処理を施して内輪(実施例1〜6および比較例1〜16)を製造した。
- 公開日:2008/01/10
- 出典:転がり、摺動部品およびその製造方法
- 出願人:株式会社ジェイテクト
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初期重金属汚染濃度C0と、酸素析出物密度nと、所望の不純物濃度CEとから、下記(1)式、(2)式および(3)式より連続冷却の場合の熱処理温度Tと熱処理時間tの関係を算出し、算出された熱処理温度Tと熱処理時間tの関係を示すC−C−T線図を作成し、前記作成されたC−C−T線図の温度軸上で前記初期重金属汚染濃度C0が重金属の固溶度Ceqとなる温度T0の点を通りC−C−T線図の曲線と最大の傾きになるように接する接線を引き、該接線の傾きにより最適冷却速度を決定するシリコン基板の 熱処理条件 を設定する方法。
- 公開日:2003/10/03
- 出典:シリコン基板の熱処理条件を設定する方法、およびシリコン基板を熱処理する方法、並びにシリコン基板の製造方法
- 出願人:信越半導体株式会社
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次に、作業部4の一部である部分6、又は作業部4の全部に於いて回転疲労に対する耐久性に着目した熱処理を施す際の熱処理温度及び保持時間( 熱処理条件 )を設定するための試験方法と、結果について説明する。
- 公開日:2006/06/15
- 出典:根管治療器具
- 出願人:マニー株式会社
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水素吸蔵合金原料を加熱溶解し、これを鋳造した後、不活性ガス雰囲気中で熱処理し、下記一般式で表されるCaCu5 型の結晶構造を有するAB5 型水素吸蔵合金を製造する方法であって、該 熱処理条件 が1020〜1100℃、3〜6時間であることを特徴とする水素吸蔵合金の製造方法。
- 公開日:1999/11/09
- 出典:水素吸蔵合金及びその製造方法
- 出願人:三井金属鉱業株式会社
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ついで、これらの内輪素材に、図1〜図5に示す 熱処理条件 で、熱処理を施して内輪(実施例1〜3および比較例1〜4)を製造した。
- 公開日:2004/02/19
- 出典:転がり、摺動部品およびその製造方法
- 出願人:株式会社ジェイテクト
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インターナルゲッタリングでシリコン基板の不純物を除去する際、効果的な 熱処理条件 を設定することができる熱処理条件の設定方法を提供する。
- 公開日:1999/10/15
- 出典:シリコン基板の熱処理条件を設定する方法、およびシリコン基板を熱処理する方法、並びにシリコン基板の製造方法
- 出願人:信越半導体株式会社
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実施例2 実施例1において、化合物1 1部および 熱処理条件 (100℃、5分間)を化合物4 1部および熱処理条件(90℃、10分間)とする以外は実施例1と同様に行ったところ1.4mJ/cm2 の感度が得られた。
- 公開日:1994/02/18
- 出典:化学増幅型レジスト組成物
- 出願人:協和発酵キリン株式会社
熱処理条件の問題点 に関わる言及
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すなわち、上記ポジ型感光性樹脂組成物は光酸発生剤と塩基性化合物を含有するものの、光酸発生剤及び塩基性化合物のいずれもが、シラン化合物を架橋させる成分として配合されているものではなかった。ポジ型感光性樹脂組成物では、光酸発生剤は、シラン化合物の架橋を防止するために配合されていた。このようなポジ型感光性樹脂組成物では、酸と塩基とを中和させるために、光酸発生剤及び塩基性化合物の種類や配合量、また 熱処理条件 や光照射条件などを厳密に制御しなければならなかった。
- 公開日: 2007/12/06
- 出典: ネガ型感光性樹脂組成物、これを用いた薄膜パターンの製造方法、電子機器用保護膜、トランジスタ、カラーフィルタ、有機EL素子、ゲート絶縁膜及び薄膜トランジスタ
- 出願人: 積水化学工業株式会社
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また、レベラでは大板での形状に観点を置いて条件の設定が行われており、残留応力の大きさの程度、切断後の形状の点から条件の設定が行われていなかった。このため、従来の方法では、適用前の残留応力の大きさ、 熱処理条件 、レベラ条件によっては、残留応力に起因して切断後に形状不良が発生する場合があった。
- 公開日: 1996/04/09
- 出典: 切断後の形状に優れた鋼板の製造方法
- 出願人: 株式会社神戸製鋼所
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
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