熱処理条件 の意味・用法を知る

従来、シリンダブロックの寸法を安定化させるための 熱処理条件 を設定する際には、制約が多く条件設定作業が煩雑となっていた。

• 公開日：2011/03/24
• 出典：熱処理条件設定方法および熱処理方法
• 出願人：トヨタ自動車株式会社

処理室内に収容された被処理体の熱処理の内容に応じて、前記処理室内の熱処理温度を含む 熱処理条件 を記憶する熱処理条件記憶手段と、前記熱処理条件記憶手段に記憶された熱処理条件に従って被処理体を熱処理する熱処理手段と、前記熱処理手段による熱処理の回数を記憶する熱処理回数記憶手段と、前記熱処理温度と、前記熱処理に伴って装置内部に付着した付着物の累積膜厚と、前記付着物の付着に起因する前記処理室内の温度誤差を補正する温度補正値との関係を示す温度補正テーブルを記憶する温度補正テーブル記憶手段と、前記熱処理手段が前記熱処理条件に従って被処理体を熱処理するとき、前記熱処理回数記憶手段に基づいて現在の付着物の累積膜...

• 公開日：2008/09/18
• 出典：熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

実施例１〜６および比較例１〜１６ 表１に示す組成を有する４種の鋼材を用意し、前述した通り、優れた加工性を得るとともに、浸炭後の高硬度を得るために、浸炭前に多量の炭化物を析出させた状態とする必要性から、これらの鋼材に球状化焼鈍処理を施した後、型番６２０６の転がり軸受に用いられる２２種類の内輪素材を形成し、これらの内輪素材に 熱処理条件 １〜２２で熱処理を施して内輪（実施例１〜６および比較例１〜１６）を製造した。

• 公開日：2008/01/10
• 出典：転がり、摺動部品およびその製造方法
• 出願人：株式会社ジェイテクト

初期重金属汚染濃度C0と、酸素析出物密度nと、所望の不純物濃度CEとから、下記（１）式、（２）式および（３）式より連続冷却の場合の熱処理温度Tと熱処理時間tの関係を算出し、算出された熱処理温度Tと熱処理時間tの関係を示すＣ−Ｃ−Ｔ線図を作成し、前記作成されたＣ−Ｃ−Ｔ線図の温度軸上で前記初期重金属汚染濃度C0が重金属の固溶度Ceqとなる温度T0の点を通りＣ−Ｃ−Ｔ線図の曲線と最大の傾きになるように接する接線を引き、該接線の傾きにより最適冷却速度を決定するシリコン基板の 熱処理条件 を設定する方法。

• 公開日：2003/10/03
• 出典：シリコン基板の熱処理条件を設定する方法、およびシリコン基板を熱処理する方法、並びにシリコン基板の製造方法
• 出願人：信越半導体株式会社

次に、作業部４の一部である部分６、又は作業部４の全部に於いて回転疲労に対する耐久性に着目した熱処理を施す際の熱処理温度及び保持時間（ 熱処理条件 ）を設定するための試験方法と、結果について説明する。

• 公開日：2006/06/15
• 出典：根管治療器具
• 出願人：マニー株式会社

水素吸蔵合金原料を加熱溶解し、これを鋳造した後、不活性ガス雰囲気中で熱処理し、下記一般式で表されるＣａＣｕ5 型の結晶構造を有するＡＢ5 型水素吸蔵合金を製造する方法であって、該 熱処理条件 が１０２０〜１１００℃、３〜６時間であることを特徴とする水素吸蔵合金の製造方法。

• 公開日：1999/11/09
• 出典：水素吸蔵合金及びその製造方法
• 出願人：三井金属鉱業株式会社

ついで、これらの内輪素材に、図１〜図５に示す 熱処理条件 で、熱処理を施して内輪（実施例１〜３および比較例１〜４）を製造した。

• 公開日：2004/02/19
• 出典：転がり、摺動部品およびその製造方法
• 出願人：株式会社ジェイテクト

インターナルゲッタリングでシリコン基板の不純物を除去する際、効果的な 熱処理条件 を設定することができる熱処理条件の設定方法を提供する。

• 公開日：1999/10/15
• 出典：シリコン基板の熱処理条件を設定する方法、およびシリコン基板を熱処理する方法、並びにシリコン基板の製造方法
• 出願人：信越半導体株式会社

実施例２ 実施例１において、化合物１ １部および 熱処理条件 （１００℃、５分間）を化合物４ １部および熱処理条件（９０℃、１０分間）とする以外は実施例１と同様に行ったところ1.４mJ／cm2 の感度が得られた。

• 公開日：1994/02/18
• 出典：化学増幅型レジスト組成物
• 出願人：協和発酵キリン株式会社

制御部５０は、算出した 熱処理条件 でドープ処理および拡散処理を行うことにより、所望の範囲に含まれる膜中Ｐ濃度に調整する。

• 公開日：2017/05/25
• 出典：熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム
• 出願人：東京エレクトロン株式会社