炭素濃度 の意味・用法を知る
炭素濃度 とは、結晶、結晶のための後処理 や溶融状態での鋼の処理 などの分野において活用されるキーワードであり、新日鐵住金株式会社 やJFEスチール株式会社 などが関連する技術を757件開発しています。
このページでは、 炭素濃度 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
炭素濃度の意味・用法
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規定ドーズ量の陽子と規定温度プロフィルのうちの少なくとも1つは半導体基板の少なくとも一部分内の 炭素濃度 に関する情報を示す炭素関連パラメータに依存して選択される。
- 公開日:2017/12/28
- 出典:半導体装置を形成する方法および半導体装置
- 出願人:インフィネオンテクノロジーズアーゲー
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金属組織は、ポリゴナルフェライト、ベイナイト、焼戻しマルテンサイト、および残留オーステナイトを含み、前記金属組織を走査型電子顕微鏡で観察したときに、金属組織全体に対して、ポリゴナルフェライト:10〜50面積%、ベイナイト:10〜50面積%、焼戻しマルテンサイト:10〜80面積%を満足し、前記金属組織をX線回折法で測定したときに、金属組織全体に対して、残留オーステナイト:5.0体積%以上、 炭素濃度 が1.0質量%以下の残留オーステナイト:3.5体積%以上、炭素濃度が0.8質量%以下の残留オーステナイト:2.4体積%以下を満足する高強度鋼板。
- 公開日:2017/09/07
- 出典:高強度鋼板およびその製造方法
- 出願人:株式会社神戸製鋼所
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これにより、コーナー部7の表面7aの 炭素濃度 が部分的に低くなり、表面7aの靱性が高くなる。
- 公開日:2017/05/18
- 出典:鋼部品の表面処理方法
- 出願人:日産自動車株式会社
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...00%、P:0.030%以下、S:0.060%以下、Cr:0.01〜0.29%、Al:0.010〜0.300%およびN:0.003〜0.030%を含有し、残部がFeおよび不純物からなる化学組成を有し、表面が平坦部3とエッジ部とを有し、前記平坦部3の表面から深さ0.05mmの位置までの平坦部表層領域の 炭素濃度 が0.70%以上0.89%以下であり、前記エッジ部の表面から深さ0.05mmの位置までのエッジ部表層領域の炭素濃度が1.20%以下であり、粒界酸化層深さが1μm以下であり、前記芯部のビッカース硬さが260以上である浸炭部品100とする。
- 公開日:2016/11/10
- 出典:浸炭部品
- 出願人:新日鐵住金株式会社
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...i:0.16〜1.40%、Mn:1.40〜3.00%、P:0.030%以下、S:0.060%以下、Cr:0.01〜0.29%、Al:0.010〜0.100%およびN:0.003〜0.030%を含有し、表面が平坦部3とエッジ部とを有し、前記平坦部3の表面から深さ0.05mmの位置までの平坦部表層領域の 炭素濃度 が0.70%以上0.89%以下であり、前記エッジ部の表面から深さ0.05mmの位置までのエッジ部表層領域の炭素濃度が1.20%以下であり、前記平坦部の表面から深さ0.3mmの位置のビッカース硬さが650以上であり、粒界酸化層深さが1μm以下であり、前記芯部のビッカース硬さが260以上である浸...
- 公開日:2018/02/22
- 出典:浸炭部品
- 出願人:新日鐵住金株式会社
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鋼の表面にレーザ光が照射されて鋼の表面粗さに相当する深さまで鋼の表面が除去され(S1)、当該表面が除去された位置にパルスレーザ光が照射されて受光される炭素元素の発光波長の発光スペクトルと鉄元素の発光波長の発光スペクトルとがそれぞれ積算されて炭素の発光強度が計算されると共に鉄の発光強度が計算され(S2,S3)、これら炭素の発光強度と鉄の発光強度との比が(S4)、予め定められた炭素の発光強度と鉄の発光強度との比と 炭素濃度 との間の関係式に当てはめられることによって鋼の炭素濃度が求められる(S5)ようにした。
- 公開日:2017/09/28
- 出典:鋼の炭素濃度の計測方法、計測装置、及び計測プログラム
- 出願人:一般財団法人電力中央研究所
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前記バッファ層と前記機能積層体との間に、 炭素濃度 を傾斜させた炭素濃度傾斜層を有する、請求項3に記載のIII族窒化物半導体デバイス用基板。
- 公開日:2017/05/25
- 出典:III族窒化物半導体デバイス用基板およびその製造方法
- 出願人:DOWAエレクトロニクス株式会社
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ガス流路を有する燃料電池用セパレータの製造方法は、純チタン又はチタン合金からなる基材であって、その最表面から深さ10nmの位置での 炭素濃度 が10原子%以下である基材に、ガス流路の方向に平行に、カーボンブラックを塗布する工程(301)と、カーボンブラックが塗布された基材を、酸素分圧が25Pa以下である低酸素分圧下で熱処理する工程(302)とを備える。
- 公開日:2017/11/09
- 出典:燃料電池用セパレータの製造方法
- 出願人:トヨタ自動車株式会社
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エッジ部から深さ0.05mmまでの領域における 炭素濃度 CP2は、炭素濃度CP1よりも高く1.20%以下である。
- 公開日:2017/09/28
- 出典:浸炭窒化部品
- 出願人:新日鐵住金株式会社
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シリコン単結晶ウェーハの表層の 炭素濃度 を高濃度とし、かつ表面の炭素濃度分布を均一にすることにより、ウェーハ強度を向上させることができる炭素ドープシリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法を提供する。
- 公開日:2021/01/28
- 出典:炭素ドープシリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法
- 出願人:信越半導体株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ