炭素濃度 の意味・用法を知る
炭素濃度 とは、結晶、結晶のための後処理 や溶融状態での鋼の処理 などの分野において活用されるキーワードであり、新日鐵住金株式会社 やＪＦＥスチール株式会社 などが関連する技術を6,478件開発しています。
このページでは、 炭素濃度 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
炭素濃度の意味・用法
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鋼の表面にレーザ光が照射されて鋼の表面粗さに相当する深さまで鋼の表面が除去され（Ｓ１）、当該表面が除去された位置にパルスレーザ光が照射されて受光される炭素元素の発光波長の発光スペクトルと鉄元素の発光波長の発光スペクトルとがそれぞれ積算されて炭素の発光強度が計算されると共に鉄の発光強度が計算され（Ｓ２，Ｓ３）、これら炭素の発光強度と鉄の発光強度との比が（Ｓ４）、予め定められた炭素の発光強度と鉄の発光強度との比と 炭素濃度 との間の関係式に当てはめられることによって鋼の炭素濃度が求められる（Ｓ５）ようにした。
- 公開日：2017/09/28
- 出典：鋼の炭素濃度の計測方法、計測装置、及び計測プログラム
- 出願人：一般財団法人電力中央研究所
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前記バッファ層と前記機能積層体との間に、 炭素濃度 を傾斜させた炭素濃度傾斜層を有する、請求項３に記載のIII族窒化物半導体デバイス用基板。
- 公開日：2017/05/25
- 出典：ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス用基板およびその製造方法
- 出願人：ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社
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ガス流路を有する燃料電池用セパレータの製造方法は、純チタン又はチタン合金からなる基材であって、その最表面から深さ１０ｎｍの位置での 炭素濃度 が１０原子％以下である基材に、ガス流路の方向に平行に、カーボンブラックを塗布する工程（３０１）と、カーボンブラックが塗布された基材を、酸素分圧が２５Ｐａ以下である低酸素分圧下で熱処理する工程（３０２）とを備える。
- 公開日：2017/11/09
- 出典：燃料電池用セパレータの製造方法
- 出願人：トヨタ自動車株式会社
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規定ドーズ量の陽子と規定温度プロフィルのうちの少なくとも１つは半導体基板の少なくとも一部分内の 炭素濃度 に関する情報を示す炭素関連パラメータに依存して選択される。
- 公開日：2016/05/26
- 出典：半導体装置を形成する方法および半導体装置
- 出願人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー
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エッジ部から深さ０．０５ｍｍまでの領域における 炭素濃度 ＣＰ２は、炭素濃度ＣＰ１よりも高く１．２０％以下である。
- 公開日：2017/09/28
- 出典：浸炭窒化部品
- 出願人：新日鐵住金株式会社
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基板１２と、該基板１２上に設けられ、窒化物半導体からなるバッファ層１５と、バッファ層１５上に設けられた窒化物半導体層からなるデバイス能動層２９とを有する半導体デバイス用基板１０であって、バッファ層１５は炭素及び鉄を含有し、バッファ層１５の上面の 炭素濃度 は、バッファ層の下面の炭素濃度より高く、バッファ層１５の上面の鉄の濃度は、バッファ層１５の下面の鉄の濃度より低い。
- 公開日：2017/01/19
- 出典：半導体デバイス用基板、半導体デバイス、並びに半導体デバイスの製造方法
- 出願人：サンケン電気株式会社
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シリコン試料の 炭素濃度 を評価するための新たな方法を提供すること。
- 公開日：2018/01/25
- 出典：シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法
- 出願人：株式会社ＳＵＭＣＯ
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測定対象シリコン試料に水素原子を導入すること、前記水素原子を導入した測定対象シリコン試料を、電子線照射処理を行うことなく、シリコンのバンドギャップ中のトラップ準位を評価する評価法による評価に付すこと、前記評価により得られた評価結果の中で、Ｅｃ−０．１０ｅＶ、Ｅｃ−０．１３ｅＶおよびＥｃ−０．１５ｅＶからなる群から選ばれる少なくとも１つのトラップ準位における評価結果に基づき、前記測定対象シリコン試料の 炭素濃度 を求めること、を含み、前記求められる炭素濃度は１．０Ｅ＋１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満である、シリコン試料の炭素濃度測定方法。
- 公開日：2017/10/19
- 出典：シリコン試料の炭素濃度測定方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法
- 出願人：株式会社ＳＵＭＣＯ
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真空浸炭工程において、粗大な炭化物の析出を抑制しながら、鋼材表面の 炭素濃度 を高めることができる高濃度浸炭鋼の製造方法を提供すること。
- 公開日：2016/12/22
- 出典：高濃度浸炭鋼の製造方法
- 出願人：大同特殊鋼株式会社
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少なくともチョクラルスキー法により引き上げられた結晶の固化率が９０％までの結晶直胴部において、 炭素濃度 が１．０×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であり、かつ、光導電減衰法により測定されたバルクライフタイムが３０ｍｓｅｃ以上であるシリコン単結晶を得る。
- 公開日：2016/04/04
- 出典：シリコン単結晶
- 出願人：グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴（クレーム）
- 材料１（元素状、合金）
- 材料２（酸化物）
- 材料３（複合酸化物）
- 材料４（酸素酸塩）
- 材料５（〜化物）
- 材料６（有機物）
- 固相成長
- 液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する）
- 液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先
- 液相成長３（融液の凝固によるもの）
- 液相成長４（ゾーンメルティング）
- 液相成長５（融液からの引き出し）
- 液相成長６（液相エピタキシャル）
- 気相成長１（蒸着、昇華）
- 気相成長２（ＣＶＤ）
- 結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く
- 結晶成長共通２（不純物のドーピング）
- 結晶成長共通３（原料の調製、原料組成）
- 結晶成長共通４（種結晶、基板）
- 結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護）
- 結晶成長共通６（基板への多層成長）
- 結晶成長共通７（装置、治具）
- 結晶成長共通８（検知、制御）
- 結晶成長共通９（特定の成長環境の付加）
- 後処理１（拡散源、その配置）
- 後処理２（後処理のための基板表面の前処理）
- 後処理３（気相からのドーピング）
- 後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング）
- 後処理５（加熱、冷却処理）
- 後処理６（結晶の接合）
- 後処理７（エッチング、機械加工）
- 後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用）
- 後処理９（その他）
- 後処理１０（装置、治具の特徴）
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱（集光加熱等）
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し（保護流体下も含む）
- 結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- ＰＶＤ
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- ＣＶＤ
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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気相成長（金属層を除く）
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件（１）成膜温度Ｔ 請求項＋実施例に記載されている成膜温度を全て付与する（除く従来例）
- 成長条件（２）成膜時の圧力Ｐ 請求項＋実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する（除く従来例）
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式（１）基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 装置の形式（２）成膜室の形態 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱（照射）・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
