炭素濃度 の意味・用法を知る

規定ドーズ量の陽子と規定温度プロフィルのうちの少なくとも１つは半導体基板の少なくとも一部分内の 炭素濃度 に関する情報を示す炭素関連パラメータに依存して選択される。

• 公開日：2017/12/28
• 出典：半導体装置を形成する方法および半導体装置
• 出願人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー

金属組織は、ポリゴナルフェライト、ベイナイト、焼戻しマルテンサイト、および残留オーステナイトを含み、前記金属組織を走査型電子顕微鏡で観察したときに、金属組織全体に対して、ポリゴナルフェライト：１０〜５０面積％、ベイナイト：１０〜５０面積％、焼戻しマルテンサイト：１０〜８０面積％を満足し、前記金属組織をＸ線回折法で測定したときに、金属組織全体に対して、残留オーステナイト：５．０体積％以上、 炭素濃度 が１．０質量％以下の残留オーステナイト：３．５体積％以上、炭素濃度が０．８質量％以下の残留オーステナイト：２．４体積％以下を満足する高強度鋼板。

• 公開日：2017/09/07
• 出典：高強度鋼板およびその製造方法
• 出願人：株式会社神戸製鋼所

これにより、コーナー部７の表面７ａの 炭素濃度 が部分的に低くなり、表面７ａの靱性が高くなる。

• 公開日：2017/05/18
• 出典：鋼部品の表面処理方法
• 出願人：日産自動車株式会社

...００％、Ｐ:０．０３０％以下、Ｓ:０．０６０％以下、Ｃｒ:０．０１〜０．２９％、Ａｌ:０．０１０〜０．３００％およびＮ:０．００３〜０．０３０％を含有し、残部がＦｅおよび不純物からなる化学組成を有し、表面が平坦部３とエッジ部とを有し、前記平坦部３の表面から深さ０．０５ｍｍの位置までの平坦部表層領域の 炭素濃度 が０．７０％以上０．８９％以下であり、前記エッジ部の表面から深さ０．０５ｍｍの位置までのエッジ部表層領域の炭素濃度が１．２０％以下であり、粒界酸化層深さが１μｍ以下であり、前記芯部のビッカース硬さが２６０以上である浸炭部品１００とする。

• 公開日：2016/11/10
• 出典：浸炭部品
• 出願人：新日鐵住金株式会社

...ｉ:０．１６〜１．４０％、Ｍｎ:１．４０〜３．００％、Ｐ:０．０３０％以下、Ｓ:０．０６０％以下、Ｃｒ:０．０１〜０．２９％、Ａｌ:０．０１０〜０．１００％およびＮ:０．００３〜０．０３０％を含有し、表面が平坦部３とエッジ部とを有し、前記平坦部３の表面から深さ０．０５ｍｍの位置までの平坦部表層領域の 炭素濃度 が０．７０％以上０．８９％以下であり、前記エッジ部の表面から深さ０．０５ｍｍの位置までのエッジ部表層領域の炭素濃度が１．２０％以下であり、前記平坦部の表面から深さ０．３ｍｍの位置のビッカース硬さが６５０以上であり、粒界酸化層深さが１μｍ以下であり、前記芯部のビッカース硬さが２６０以上である浸...

• 公開日：2018/02/22
• 出典：浸炭部品
• 出願人：新日鐵住金株式会社

鋼の表面にレーザ光が照射されて鋼の表面粗さに相当する深さまで鋼の表面が除去され（Ｓ１）、当該表面が除去された位置にパルスレーザ光が照射されて受光される炭素元素の発光波長の発光スペクトルと鉄元素の発光波長の発光スペクトルとがそれぞれ積算されて炭素の発光強度が計算されると共に鉄の発光強度が計算され（Ｓ２，Ｓ３）、これら炭素の発光強度と鉄の発光強度との比が（Ｓ４）、予め定められた炭素の発光強度と鉄の発光強度との比と 炭素濃度 との間の関係式に当てはめられることによって鋼の炭素濃度が求められる（Ｓ５）ようにした。

• 公開日：2017/09/28
• 出典：鋼の炭素濃度の計測方法、計測装置、及び計測プログラム
• 出願人：一般財団法人電力中央研究所

前記バッファ層と前記機能積層体との間に、 炭素濃度 を傾斜させた炭素濃度傾斜層を有する、請求項３に記載のIII族窒化物半導体デバイス用基板。

• 公開日：2017/05/25
• 出典：ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス用基板およびその製造方法
• 出願人：ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社

ガス流路を有する燃料電池用セパレータの製造方法は、純チタン又はチタン合金からなる基材であって、その最表面から深さ１０ｎｍの位置での 炭素濃度 が１０原子％以下である基材に、ガス流路の方向に平行に、カーボンブラックを塗布する工程（３０１）と、カーボンブラックが塗布された基材を、酸素分圧が２５Ｐａ以下である低酸素分圧下で熱処理する工程（３０２）とを備える。

• 公開日：2017/11/09
• 出典：燃料電池用セパレータの製造方法
• 出願人：トヨタ自動車株式会社

エッジ部から深さ０．０５ｍｍまでの領域における 炭素濃度 ＣＰ２は、炭素濃度ＣＰ１よりも高く１．２０％以下である。

• 公開日：2017/09/28
• 出典：浸炭窒化部品
• 出願人：新日鐵住金株式会社

シリコン単結晶ウェーハの表層の 炭素濃度 を高濃度とし、かつ表面の炭素濃度分布を均一にすることにより、ウェーハ強度を向上させることができる炭素ドープシリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法を提供する。

• 公開日：2021/01/28
• 出典：炭素ドープシリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法
• 出願人：信越半導体株式会社