炭化シリコン の意味・用法を知る

隙間を空けて位置づけられる 炭化シリコン 種結晶１４と固体炭素原料１３とを含むＳｉＣ成長システムを熱し、ガス状ハロシランおよび還元ガスを導入し、前記ガス状ハロシランおよび前記還元ガスを前記ＳｉＣ成長システム内で反応させ元素シリコン蒸気１８を生成し、元素シリコン蒸気１８を固体炭素原料１３と反応させて、シリコンベアリングおよび炭素ベアリング蒸気を生成させ、前記シリコンベアリングおよび炭素ベアリング蒸気を前記ＳｉＣ種１４に輸送し、炭化シリコン単結晶１５を成長させるＳｉＣ単結晶育成方法。

• 公開日：2016/04/14
• 出典：シリコン化学蒸気輸送による炭化シリコン結晶成長
• 出願人：ツーシックス、インコーポレイテッド

また、昨今、より高い動作電流密度が要求され、半導体チップはより大きく発熱することから、半導体チップは今まで使用してきたシリコン（Ｓｉ）から高温動作に優れる 炭化シリコン （ＳｉＣ）へ移り変わろうとしている。

• 公開日：2017/05/25
• 出典：放熱構造体及びそれを利用した半導体モジュール
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

炭化シリコン 素子を用いたパワー半導体モジュールの素子近傍の温度と、外周部の温度に適した封止材を使用したパワー半導体モジュールを提供する。

• 公開日：2013/01/07
• 出典：パワー半導体モジュールおよびその製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

第２の 炭化シリコン 領域は、第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有する。

• 公開日：2012/04/05
• 出典：少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード
• 出願人：クリー，インコーポレイティド

前記ヒューズ要素は、シリコン、シリコン・金属シリサイド、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、及びタングステンのうちの１つを含み、前記圧縮応力材料は、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、及びタングステンのうちの１つを含み、前記第２の材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、 炭化シリコン 、窒素ドープ炭化シリコン、及び水素ドープ炭化シリコンのうちの１つを含む、請求項２に記載のヒューズ。

• 登録日：2013/04/12
• 出典：電気ヒューズ及びその作成方法
• 出願人：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイーシヨン

代替として、コロナ発生イオナイザエミッタ電極１２は、実質的に 炭化シリコン から形成されるか、少なくとも部分的に炭化シリコンでコーティングされた導電性金属ベースから形成されるか、高圧電源２２からエミッタ電極１２に高電圧が印加されたときガスをイオン化し、エミッタ電極は実質的に炭化シリコンから形成され、約１００Ω−ｃｍ以下の抵抗を有する。

• 公開日：2006/04/20
• 出典：ガスイオナイザ用カーバイド材料から形成されるかまたはその材料でコーティングされるエミッタ電極
• 出願人：イリノイツールワークスインコーポレイテッド

炭化シリコン の領域は、ドープされたチャネル層（１６）のキャリア濃度より大きいキャリア濃度を有し、ゲート（２４）から離間される。

• 公開日：2005/03/10
• 出典：デルタドープされた炭化シリコン金属半導体電界効果トランジスタ、およびデルタドープされた炭化シリコン金属半導体電界効果トランジスタの製造方法
• 出願人：クリー，インコーポレイティド

単保護層は、グラファイトに直接に塗布され、 炭化シリコン とシリコンの混合物から構成される。

• 公開日：2002/06/25
• 出典：金属内容物が減少されたシリコン結晶を調整する処理及び装置
• 出願人：サンエジソン・インコーポレイテッド

高温加熱を必要とせず、高品質な 炭化シリコン を作製する。

• 公開日：2005/11/24
• 出典：炭化シリコンの作製方法
• 出願人：国立大学法人埼玉大学

半導体基板１２は、ＳｉＣ（ 炭化シリコン ）の単結晶により構成されている。

• 公開日：2021/01/14
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社デンソー