炭化シリコン の意味・用法を知る
炭化シリコン とは、半導体の電極 や再結晶化技術 などの分野において活用されるキーワードであり、クリー,インコーポレイティド や三菱電機株式会社 などが関連する技術を13,377件開発しています。
このページでは、 炭化シリコン を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
炭化シリコンの意味・用法
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隙間を空けて位置づけられる 炭化シリコン 種結晶14と固体炭素原料13とを含むSiC成長システムを熱し、ガス状ハロシランおよび還元ガスを導入し、前記ガス状ハロシランおよび前記還元ガスを前記SiC成長システム内で反応させ元素シリコン蒸気18を生成し、元素シリコン蒸気18を固体炭素原料13と反応させて、シリコンベアリングおよび炭素ベアリング蒸気を生成させ、前記シリコンベアリングおよび炭素ベアリング蒸気を前記SiC種14に輸送し、炭化シリコン単結晶15を成長させるSiC単結晶育成方法。
- 公開日:2016/04/14
- 出典:シリコン化学蒸気輸送による炭化シリコン結晶成長
- 出願人:ツーシックス、インコーポレイテッド
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また、昨今、より高い動作電流密度が要求され、半導体チップはより大きく発熱することから、半導体チップは今まで使用してきたシリコン(Si)から高温動作に優れる 炭化シリコン (SiC)へ移り変わろうとしている。
- 公開日:2017/05/25
- 出典:放熱構造体及びそれを利用した半導体モジュール
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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炭化シリコン 素子を用いたパワー半導体モジュールの素子近傍の温度と、外周部の温度に適した封止材を使用したパワー半導体モジュールを提供する。
- 公開日:2013/01/07
- 出典:パワー半導体モジュールおよびその製造方法
- 出願人:富士電機株式会社
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第2の 炭化シリコン 領域は、第1のドーピング濃度よりも低い第2のドーピング濃度を有する。
- 公開日:2012/04/05
- 出典:少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード
- 出願人:クリー,インコーポレイティド
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前記ヒューズ要素は、シリコン、シリコン・金属シリサイド、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、及びタングステンのうちの1つを含み、前記圧縮応力材料は、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、及びタングステンのうちの1つを含み、前記第2の材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、 炭化シリコン 、窒素ドープ炭化シリコン、及び水素ドープ炭化シリコンのうちの1つを含む、請求項2に記載のヒューズ。
- 登録日:2013/04/12
- 出典:電気ヒューズ及びその作成方法
- 出願人:インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイーシヨン
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代替として、コロナ発生イオナイザエミッタ電極12は、実質的に 炭化シリコン から形成されるか、少なくとも部分的に炭化シリコンでコーティングされた導電性金属ベースから形成されるか、高圧電源22からエミッタ電極12に高電圧が印加されたときガスをイオン化し、エミッタ電極は実質的に炭化シリコンから形成され、約100Ω−cm以下の抵抗を有する。
- 公開日:2006/04/20
- 出典:ガスイオナイザ用カーバイド材料から形成されるかまたはその材料でコーティングされるエミッタ電極
- 出願人:イリノイツールワークスインコーポレイテッド
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炭化シリコン の領域は、ドープされたチャネル層(16)のキャリア濃度より大きいキャリア濃度を有し、ゲート(24)から離間される。
- 公開日:2005/03/10
- 出典:デルタドープされた炭化シリコン金属半導体電界効果トランジスタ、およびデルタドープされた炭化シリコン金属半導体電界効果トランジスタの製造方法
- 出願人:クリー,インコーポレイティド
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単保護層は、グラファイトに直接に塗布され、 炭化シリコン とシリコンの混合物から構成される。
- 公開日:2002/06/25
- 出典:金属内容物が減少されたシリコン結晶を調整する処理及び装置
- 出願人:サンエジソン・インコーポレイテッド
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高温加熱を必要とせず、高品質な 炭化シリコン を作製する。
- 公開日:2005/11/24
- 出典:炭化シリコンの作製方法
- 出願人:国立大学法人埼玉大学
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半導体基板12は、SiC( 炭化シリコン )の単結晶により構成されている。
- 公開日:2021/01/14
- 出典:半導体装置
- 出願人:株式会社デンソー
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ