炭化シリコン の意味・用法を知る

隙間を空けて位置づけられる 炭化シリコン 種結晶１４と固体炭素原料１３とを含むＳｉＣ成長システムを熱し、ガス状ハロシランおよび還元ガスを導入し、前記ガス状ハロシランおよび前記還元ガスを前記ＳｉＣ成長システム内で反応させ元素シリコン蒸気１８を生成し、元素シリコン蒸気１８を固体炭素原料１３と反応させて、シリコンベアリングおよび炭素ベアリング蒸気を生成させ、前記シリコンベアリングおよび炭素ベアリング蒸気を前記ＳｉＣ種１４に輸送し、炭化シリコン単結晶１５を成長させるＳｉＣ単結晶育成方法。

• 公開日：2016/04/14
• 出典：シリコン化学蒸気輸送による炭化シリコン結晶成長
• 出願人：ツーシックス、インコーポレイテッド

また、昨今、より高い動作電流密度が要求され、半導体チップはより大きく発熱することから、半導体チップは今まで使用してきたシリコン（Ｓｉ）から高温動作に優れる 炭化シリコン （ＳｉＣ）へ移り変わろうとしている。

• 登録日：2018/02/09
• 出典：放熱構造体及びそれを利用した半導体モジュール
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

炭化シリコン 素子を用いたパワー半導体モジュールの素子近傍の温度と、外周部の温度に適した封止材を使用したパワー半導体モジュールを提供する。

• 公開日：2013/01/07
• 出典：パワー半導体モジュールおよびその製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

第２の 炭化シリコン 領域は、第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有する。

• 公開日：2012/04/05
• 出典：少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード
• 出願人：クリー，インコーポレイティド

本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、少数キャリアの注入が抑制される 炭化シリコン 接合障壁ショットキーダイオードを提供することにある。

• 登録日：2014/01/10
• 出典：少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード
• 出願人：クリー，インコーポレイティド

前記ヒューズ要素は、シリコン、シリコン・金属シリサイド、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、及びタングステンのうちの１つを含み、前記圧縮応力材料は、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、及びタングステンのうちの１つを含み、前記第２の材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、 炭化シリコン 、窒素ドープ炭化シリコン、及び水素ドープ炭化シリコンのうちの１つを含む、請求項２に記載のヒューズ。

• 登録日：2013/04/12
• 出典：電気ヒューズ及びその作成方法
• 出願人：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイーシヨン

代替として、コロナ発生イオナイザエミッタ電極１２は、実質的に 炭化シリコン から形成されるか、少なくとも部分的に炭化シリコンでコーティングされた導電性金属ベースから形成されるか、高圧電源２２からエミッタ電極１２に高電圧が印加されたときガスをイオン化し、エミッタ電極は実質的に炭化シリコンから形成され、約１００Ω−ｃｍ以下の抵抗を有する。

• 公開日：2006/04/20
• 出典：ガスイオナイザ用カーバイド材料から形成されるかまたはその材料でコーティングされるエミッタ電極
• 出願人：イリノイツールワークスインコーポレイテッド

デルタドープされた 炭化シリコン 金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）を含むＭＥＳＦＥＴのユニットセルであって、炭化シリコン基板と、該基板上の第１の導電型の炭化シリコンのデルタドープされた層と前記デルタドープされた層の少なくとも１つのキャリア濃度より小さいキャリア濃度を有する、前記デルタドープされた層上の前記第１の導電型の炭化シリコンのドープされたチャネル層と、前記ドープされたチャネル層の両端に形成されたソースおよびドレインと、前記ソースおよび前記ドレイン上のオーミックコンタクトと、前記ソースと前記ドレインとの間にあり、かつ前記チャネル層の中まで延在したゲートと、前記ドープされたチャネル...

• 登録日：2012/02/10
• 出典：デルタドープされた炭化シリコン金属半導体電界効果トランジスタ、およびデルタドープされた炭化シリコン金属半導体電界効果トランジスタの製造方法
• 出願人：クリー，インコーポレイティド

チョクラルスキー法により成長され、金属不純物の量が減少されている、シリコン単結晶を、生成する結晶引出装置において、成長チャンバと、該成長チャンバ内部に配置される構成部品とを含み、該構成部品は、グラファイトを含み、該グラファイトを覆う第１の保護層と該第１の保護層の頂部上の第２の保護層とを有し、該第２の保護層は、シリコンであり該第１の保護層を完全に覆い、該第１の保護層は 炭化シリコン 又はガラス状カーボンからなるものである、結晶引出装置。

• 登録日：2011/02/18
• 出典：金属内容物が減少されたシリコン結晶を調整する処理及び装置
• 出願人：サンエジソン・インコーポレイテッド

高温加熱を必要とせず、高品質な 炭化シリコン を作製する。

• 公開日：2005/11/24
• 出典：炭化シリコンの作製方法
• 出願人：国立大学法人埼玉大学