液相法 の意味・用法を知る
液相法 とは、発光性組成物 やガス放電表示管 などの分野において活用されるキーワードであり、コニカミノルタ株式会社 や住友電気工業株式会社 などが関連する技術を1,363件開発しています。
このページでは、 液相法 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
液相法の意味・用法
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酸化ジルコニウム層55の上方に、第一電極膜60と、圧電体層70と、第二電極膜80とからなる圧電素子300を備えた液体噴射ヘッドであって、酸化ジルコニウム層55は、 液相法 により形成され且つ(111)面に優先配向している。
- 公開日:2014/05/12
- 出典:アクチュエーター、液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置
- 出願人:セイコーエプソン株式会社
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本発明は、一般式SiaH2a+2(式中、a=3〜10)の少なくとも1種のヒドリドシランから製造可能な少なくとも1種の高級シランを基板上に塗布し、引き続き熱的に、主にシリコンからなる層に変換し、その際、この高級シランの熱的変換は500〜900℃の温度でかつ≦5分の変換時間で行う、基板上にシリコン層を熱的に製造する 液相法 、前記方法により製造可能なシリコン層及びその使用に関する。
- 公開日:2013/04/04
- 出典:シリコン層の製造方法
- 出願人:デグサゲーエムベーハー
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上記の 液相法 がMOD法、またはゾルゲル法であることを特徴とする金属粉末焼結多孔体基板への薄膜製造方法。
- 公開日:2011/10/06
- 出典:金属粉末焼結多孔体基板への薄膜製造方法
- 出願人:山陽特殊製鋼株式会社
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本III族窒化物結晶の製造方法は、 液相法 により第1のIII族窒化物結晶10を成長させる工程と、第1のIII族窒化物結晶10の表面を、表面粗さRaが5nm以下かつ反りの曲率半径が2m以上になるように加工する工程と、加工がされた第1のIII族窒化物結晶10上に気相法により第2のIII族窒化物結晶20を成長させる工程と、を含む。
- 公開日:2010/12/16
- 出典:GaN結晶の製造方法、GaN結晶基板およびIII族窒化物半導体デバイス
- 出願人:住友電気工業株式会社
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本III族窒化物結晶の製造方法は、 液相法 により少なくとも1種類の金属元素を含有する溶媒とIII族元素とを含む結晶成長用液体2を用いて第1のIII族窒化物結晶10を成長させる工程と、金属元素の少なくとも1種類を含む結晶処理用液体4中で第1のIII族窒化物結晶10を熱処理する工程と、熱処理がされた第1のIII族窒化物結晶10上に気相法により第2のIII族窒化物結晶20を成長させる工程とを含む。
- 公開日:2009/02/12
- 出典:GaN結晶の製造方法
- 出願人:住友電気工業株式会社
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液相法 を用いた多層構造からなる発光層の製造を可能とし、低コスト化する。
- 公開日:2008/04/10
- 出典:有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
- 出願人:セイコーエプソン株式会社
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一方、比較的反応温度が低い 液相法 の提案として特開昭58−61236と特開平1−242554があるが、前者は転化率が30〜50%と低く、後者は取扱が難しい過酸化水素を酸化剤とし、好ましくは反応を加速するために光の照射を必要とする。
- 公開日:1999/11/16
- 出典:ピルビン酸メチルまたはピルビン酸エチルの製造方法
- 出願人:東レ・ファインケミカル株式会社
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多孔質電極基板Eの上に、蒸着法によって第1の電解質1aを形成し、この上に 液相法 によってさらに第2の電解質1bを成膜し、もって当該第2の電解質1bが第1の電解質1aの表面の一部又は全面を覆い、第1の電解質1aを構成する柱状結晶間の隙間の少なくとも一部に充填されたものとする。
- 公開日:2015/02/16
- 出典:固体酸化物形燃料電池用電解質及び固体酸化物形燃料電池
- 出願人:日産自動車株式会社
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4−アミノ−5−クロロ−2−エトキシ−N−[[4−(4−フルオロベンジル)−2−モルホリニル]メチル]ベンズアミド又はその生理学的に許容される塩および 液相法 で製造された軽質無水ケイ酸を含む製剤を製造することで、特定の薬物を含む製剤であって苛酷な状況を含む種々の状況下においても安定な溶出性を有する製剤の製造方法及びその製剤の提供。
- 公開日:2013/08/29
- 出典:薬物の溶出性に優れた製剤
- 出願人:大日本住友製薬株式会社
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また、 液相法 としては、例えば、晶析法、共沈法、ゾルゲル法、液相還元法、水熱合成法等が挙げられる。
- 公開日:2021/01/07
- 出典:化粧シート及びその製造方法
- 出願人:凸版印刷株式会社
液相法の特徴 に関わる言及
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長