液相法 の意味・用法を知る

酸化ジルコニウム層５５の上方に、第一電極膜６０と、圧電体層７０と、第二電極膜８０とからなる圧電素子３００を備えた液体噴射ヘッドであって、酸化ジルコニウム層５５は、 液相法 により形成され且つ（１１１）面に優先配向している。

• 公開日：2014/05/12
• 出典：アクチュエーター、液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

本発明は、一般式ＳｉaＨ2a+2（式中、ａ＝３〜１０）の少なくとも１種のヒドリドシランから製造可能な少なくとも１種の高級シランを基板上に塗布し、引き続き熱的に、主にシリコンからなる層に変換し、その際、この高級シランの熱的変換は５００〜９００℃の温度でかつ≦５分の変換時間で行う、基板上にシリコン層を熱的に製造する 液相法 、前記方法により製造可能なシリコン層及びその使用に関する。

• 公開日：2013/04/04
• 出典：シリコン層の製造方法
• 出願人：デグサゲーエムベーハー

上記の 液相法 がＭＯＤ法、またはゾルゲル法であることを特徴とする金属粉末焼結多孔体基板への薄膜製造方法。

• 公開日：2011/10/06
• 出典：金属粉末焼結多孔体基板への薄膜製造方法
• 出願人：山陽特殊製鋼株式会社

本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、 液相法 により第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０の表面を、表面粗さＲａが５ｎｍ以下かつ反りの曲率半径が２ｍ以上になるように加工する工程と、加工がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を含む。

• 公開日：2010/12/16
• 出典：ＧａＮ結晶の製造方法、ＧａＮ結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイス
• 出願人：住友電気工業株式会社

本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、 液相法 により少なくとも１種類の金属元素を含有する溶媒とＩＩＩ族元素とを含む結晶成長用液体２を用いて第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、金属元素の少なくとも１種類を含む結晶処理用液体４中で第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を熱処理する工程と、熱処理がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。

• 公開日：2009/02/12
• 出典：ＧａＮ結晶の製造方法
• 出願人：住友電気工業株式会社

液相法 を用いた多層構造からなる発光層の製造を可能とし、低コスト化する。

• 公開日：2008/04/10
• 出典：有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

一方、比較的反応温度が低い 液相法 の提案として特開昭５８−６１２３６と特開平１−２４２５５４があるが、前者は転化率が３０〜５０％と低く、後者は取扱が難しい過酸化水素を酸化剤とし、好ましくは反応を加速するために光の照射を必要とする。

• 公開日：1999/11/16
• 出典：ピルビン酸メチルまたはピルビン酸エチルの製造方法
• 出願人：東レ・ファインケミカル株式会社

多孔質電極基板Ｅの上に、蒸着法によって第１の電解質１ａを形成し、この上に 液相法 によってさらに第２の電解質１ｂを成膜し、もって当該第２の電解質１ｂが第１の電解質１ａの表面の一部又は全面を覆い、第１の電解質１ａを構成する柱状結晶間の隙間の少なくとも一部に充填されたものとする。

• 公開日：2015/02/16
• 出典：固体酸化物形燃料電池用電解質及び固体酸化物形燃料電池
• 出願人：日産自動車株式会社

４−アミノ−５−クロロ−２−エトキシ−Ｎ−［［４−（４−フルオロベンジル）−２−モルホリニル］メチル］ベンズアミド又はその生理学的に許容される塩および 液相法 で製造された軽質無水ケイ酸を含む製剤を製造することで、特定の薬物を含む製剤であって苛酷な状況を含む種々の状況下においても安定な溶出性を有する製剤の製造方法及びその製剤の提供。

• 公開日：2013/08/29
• 出典：薬物の溶出性に優れた製剤
• 出願人：大日本住友製薬株式会社

また、 液相法 としては、例えば、晶析法、共沈法、ゾルゲル法、液相還元法、水熱合成法等が挙げられる。

• 公開日：2021/01/07
• 出典：化粧シート及びその製造方法
• 出願人：凸版印刷株式会社