流量比 の意味・用法を知る
流量比 とは、半導体のドライエッチング や気相成長(金属層を除く) などの分野において活用されるキーワードであり、東京エレクトロン株式会社 やパナソニック株式会社 などが関連する技術を18,421件開発しています。
このページでは、 流量比 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
流量比の意味・用法
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流量比 を制御するためのシステムを提供する
- 公開日:2016/05/12
- 出典:流量比を制御するためのシステムおよび方法
- 出願人:ジエネラル・エレクトリツク・カンパニー
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次に、表面に開口部を有するマスクMを形成した炭化ケイ素基板Kを基台に載置し、当該炭化ケイ素基板Kを200℃以上に加熱した後、処理チャンバ内にSF6ガス、SiF4ガス及びO2ガスをそれぞれ前記設定した第1 流量比 となるように同時に供給してプラズマ化するとともに、基台にバイアス電力を与え、炭化ケイ素基板Kのエッチングと、保護膜Hの形成とを並行して行い、保護膜Hによって保護しつつ、炭化ケイ素基板Kのエッチングを進行させ、炭化ケイ素基板Kにテーパ形状の凹部を形成する。
- 公開日:2018/01/11
- 出典:プラズマエッチング方法
- 出願人:SPPテクノロジーズ株式会社
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一方、出湯温度を目標値に調整する制御を行っている場合には、脈動中の温度変動が大きくなる点、入水温度が高い場合などのスケール抑制が不要なときも脈動運転をしてしまう点、水質に関係なく一定の 流量比 を維持してしまう点などが課題であった。
- 登録日:2019/04/19
- 出典:熱交換装置およびヒートポンプ式給湯器
- 出願人:三菱電機株式会社
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流量演算器180は、 流量比 演算器160で定められた燃料流量比を用いて、複数の予混合ノズル群54A,54B毎に供給する燃料流量を求める。
- 公開日:2017/02/09
- 出典:燃料流量設定方法、この方法を実行する装置、この装置を備えるガスタービンプラント
- 出願人:三菱日立パワーシステムズ株式会社
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複数の燃料系統を流れる燃料の 流量比 を算出する流量比算出装置140は、燃焼器での燃焼状態を表すことができる第一パラメータ及び第二パラメータの値を受け付け、二つのパラメータと流量比との予め定められた関係を用いて、受け付けた二つのパラメータの値に対する流量比を算出する算出器140p,140tを備える。
- 公開日:2016/03/22
- 出典:流量比算出装置、これを備えている制御装置、この制御装置を備えているガスタービンプラント、流量比算出方法、及び燃料系統の制御方法
- 出願人:三菱日立パワーシステムズ株式会社
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燃焼器での燃焼状態を表すことができる第一パラメータと複数の燃料系統を流れる燃料の 流量比 との予め定められた関係を用いて、第一パラメータの値に応じた流量比を求める流量比演算器141pと、ガスタービンの負荷変化時における流量比の補正値を求める補正値演算器142pと、ガスタービンの負荷の相関値の変動を検知する変動検知器144と、変動検知器144で負荷相関値の変動が検知されると、流量比演算器141pで求められた流量比を補正値演算器142pで求められた補正値で補正する補正器151と、を備える。
- 公開日:2016/03/22
- 出典:流量比算出装置、これを備えている制御装置、この制御装置を備えているガスタービンプラント、流量比算出方法、及び燃料系統の制御方法
- 出願人:三菱日立パワーシステムズ株式会社
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...膜上に酸化物半導体膜を形成し、前記酸化物半導体膜を加工することにより、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形成し、前記活性層上に、前記活性層のチャネル長が1〜50μmとなるようにソース電極及びドレイン電極を形成する半導体装置の製造方法であって、前記条件は、前記基板の加熱温度が100℃以上で且つ前記酸素ガスの 流量比 が70%以上である条件、または、前記基板の加熱温度が170℃以上で且つ前記酸素ガスの流量比が30%以上である条件であり、前記酸化物半導体膜をX線回折によって測定した回転角2θは31°近傍にピークを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 公開日:2013/10/28
- 出典:半導体装置の製造方法
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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このような構成において、制御部42は、混合水栓10の上流側にある2つの通路56,58の 流量比 に基づいて操作レバー22の操作量を推定する形で調温制御を実行する。
- 公開日:2015/11/02
- 出典:混合水栓用制御ユニットおよび混合水栓用温度調節装置
- 出願人:株式会社LIXIL
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各流路を通して圧力降下を最小にしつつ各流路に相対流量を送出する 流量比 コントローラシステムを提供する。
- 公開日:2016/03/17
- 出典:4チャンネルガス送出システム、多チャンネルガス送出システム、および制御バルブを制御する方法
- 出願人:イーエヌアイ,アディビジョンオブアステックアメリカ,インコーポレイティド
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反応性ガスを併用する場合において、反応性ガスの 流量比 (sccm)は特に限定しないが、スパッタガスおよび反応性ガスの合計流量比に対して、例えば、0.1流量%以上5流量%以下である。
- 公開日:2020/03/26
- 出典:ガラス積層体
- 出願人:日東電工株式会社
流量比の問題点 に関わる言及
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したがって、材料放出蓋から添加材料を放出するときに、そのような添加材料を容器内のベース成分に素早く混合するために十分にさらには迅速であるように、添加材料の 流量比 を向上するための解決策を図るという必要性が当業界には存在している。
- 公開日: 2011/06/23
- 出典: 添加成分の放出を向上した材料放出蓋付き飲料充填ボトル及びそのボトルにあって添加成分の放出を向上する方法並びに添加成分の放出を向上した前記ボトルを製造する装置
- 出願人: ジョージアクラウンディストリビューティングカンパニー
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空気調和機用熱交換器の分流器としてパンツパイプがある。パンツパイプにより冷媒を分流させた場合、分流後の冷媒が流れ込む各熱交換器の冷媒 流量比 が不安定となる場合がある。各熱交換器の冷媒流量比が不安定となると、各熱交換器の蒸発性能も不安定となる。
- 公開日: 2012/07/19
- 出典: 熱交換器の分流器並びにその分流器を備えた冷凍サイクル装置及び空気調和機
- 出願人: 日立アプライアンス株式会社
流量比の特徴 に関わる言及
注目されているキーワード
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ