プラズマCVD の意味・用法を知る

本発明の透光性樹脂部材１は、ポリカーボネート基板２上に、アクリル系ハードコート層３、ＳｉＯＸ（１．２＜Ｘ＜２）層４及びＳｉ（１−Ｙ）ＣＹＯｘ（０＜Ｙ＜１、１．２＜Ｘ＜２）層５をこの順に有する。アクリル系ハードコート層３は酸素非存在下でＵＶ硬化されたもの、ＳｉＯＸ層４は蒸着により形成されたもの、Ｓｉ（１−Ｙ）ＣＹＯｘ層５はプラズマＣＶＤにより形成されたものであることが好ましい。

• 公開日：2016/02/08
• 出典：透光性樹脂部材
• 出願人：株式会社小糸製作所

...、膜面欠陥耐性に優れた機能性層を形成する成膜装置及び成膜方法を提供することである。 本発明の成膜装置は、ロールｔｏロール方式で、ロール状の可撓性樹脂基材を繰り出すアンワインダー部と、対向する一対のローラー電極を具備し、当該ローラー電極間に形成した放電空間で、前記可撓性樹脂基材上に機能性層を形成するプラズマＣＶＤ処理部と、可撓性樹脂基材を巻き取るワインダー部を有し、前記連続搬送する可撓性樹脂基材は、裏面側に帯電防止層を有し、プラズマＣＶＤ処理部を構成する一対のローラー電極に対し、可撓性樹脂基材の搬送方向の上流側及び下流側で、それぞれ最も近い距離に位置する４つのガイドローラーの少なくとも一つを、...

• 公開日：2017/03/09
• 出典：成膜装置及び成膜方法
• 出願人：コニカミノルタ株式会社

メタクリル樹脂製のワークに対して金属薄膜を成膜する成膜方法であって、メタクリル樹脂製のワークに対してＳｉの存在下でプラズマ処理を実行することにより、前記ワークの上にＳｉとＯとＣとの混合層を形成する工程と、引き続き、Ｓｉの原料を供給してプラズマＣＶＤを実行することにより、前記混合層の上に、Ｓｉ酸化膜層を形成する工程と、前記ワークに対して金属製のターゲット材料によりスパッタリング成膜を実行することにより、前記Ｓｉ酸化膜層に対して前記スパッタリング成膜が実行されることとなり、前記金属薄膜を構成する原子とＳｉとＯとが共有結合し、あるいは、前記金属薄膜を構成する原子とＳｉとＯとが拡散混合層を形成する混在...

• 登録日：2018/07/06
• 出典：構造体および成膜方法
• 出願人：株式会社島津製作所

基板を高温に加熱することなく、その表面にシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、あるいはシリコン酸化膜を従来よりも高密度で成膜することができるプラズマＣＶＤ成膜方法を提供する。

• 公開日：2015/08/24
• 出典：プラズマＣＶＤ成膜方法
• 出願人：サムコ株式会社

入り込み影響が殆どなく、端部膜厚の均一性が高く、且つ洗浄ガスに対する耐食性に優れたプラズマＣＶＤ成膜用マスクを提供する。

• 公開日：2014/11/17
• 出典：プラズマＣＶＤ成膜用マスク、及びプラズマＣＶＤ成膜方法
• 出願人：コニカミノルタ株式会社

有機材料の表面にプラズマＣＶＤによってガスバリア膜を形成する際に、目的とするガスバリア性を有するガスバリア膜を、安定して形成することを可能にする。

• 公開日：2010/04/08
• 出典：ガスバリア膜の形成方法およびガスバリア膜
• 出願人：富士フイルム株式会社

...０４は、例えば、ガラス、シリコン、水晶、あるいは、サファイア等の基板が用いられる。半導体層３００は、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層、微晶質シリコン(μーＳｉ）層、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）層等の非単結晶半導体層が用いられる。半導体層３００は、スパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ（低圧ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ等の特殊なＣＶＤを含む））等の周知の方法で基板３０４上に形成される。

• 公開日：2009/10/29
• 出典：半導体層のレーザーアニール方法およびこの方法により製造された半導体装置
• 出願人：株式会社ジャパンディスプレイ

本発明の目的は、成膜される窒化珪素膜に高いストレスを持たせることができ、かつプラズマダメージが少ないプラズマＣＶＤ方法を提供する

• 公開日：2009/10/08
• 出典：窒化珪素膜の形成方法、半導体装置の製造方法およびプラズマＣＶＤ装置
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

前記シリカ膜層は、酸化性ガスにＯ２、Ｏ３、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、ＣＯ２、ＣＯのいずれか又は２種以上の組み合わせで用いたプラズマＣＶＤにより形成されたことを特徴とする請求項１に記載の透明樹脂積層体。

• 公開日：2010/03/04
• 出典：透明樹脂積層体及びその製造方法
• 出願人：アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社

不飽和フッ素化炭素化合物からなり、水素原子含有化合物量が９０重量ｐｐｍ以下であることを特徴とするプラズマＣＶＤ用ガス。

• 公開日：2007/10/04
• 出典：半導体装置、半導体装置の製造方法及びプラズマＣＶＤ用ガス
• 出願人：東京エレクトロン株式会社