格子間 の意味・用法を知る

第一には、ＳｉＣは不純物の拡散係数が小さいため、チャネル領域をイオン注入で作らざるを得ず、イオン注入によって誘起される結晶欠陥や、活性化しない 格子間 の不純物が、チャネル移動度を下げている。

• 公開日：2013/05/23
• 出典：炭化珪素半導体装置及びその製造方法
• 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

前記コンピュータは、 格子間 Ｓｉの固溶限界濃度Ｉｓｏｌが、格子間Ｓｉ一定濃度拡散源として働くとし、空孔濃度ＶをＩ＊Ｖ＊＝ＩＶの関係のなかでＩ＝Ｉｓｏｌとして算出する空孔濃度算出手順を実行することを特徴とする請求項２記載の拡散濃度分布発生方法。

• 公開日：2011/12/08
• 出典：濃度分布発生方法及びプロセスシミュレータ
• 出願人：富士通株式会社

核燃料棒束の支持格子で内部格子板の 格子間 及び内部/外部格子板の格子間を溶接するための支持格子内部格子間溶接装置において、円棒形状体で、相互に所定間隔離隔した一対の溶接ツールと、各溶接ツールを相互連結させるためにその間に介在する連結片と、前記各溶接ツールの上端部に引き入れられてレーザーを伝送するための光ファイバー連結部を有する各光ファイバーからなるレーザー器具及びレーザー器具の連結片中心部に連結される支持片と、支持片に連結される移動片と、移動片に連結される直線駆動部からなる制御部を含む。

• 公開日：2007/11/29
• 出典：レーザー器具を利用した支持格子内部格子間溶接装置と溶接方法及びそれによって製造された支持格子
• 出願人：コーリアアトミツクエナジーリサーチインステイテユート

その結果、 格子間 ガリウムはベース層に拡散しなくなり、従ってそのガリウムはベリリウムが置換および拡散しないようにする。

• 公開日：2002/05/24
• 出典：格子間拡散バリア
• 出願人：リトン・システムズ・インコーポレーテッド

基板１４の表面２４上で 格子間 点１４２に複数のパッド１４０が配設される。

• 公開日：2003/11/21
• 出典：フリップチップボンディングのための有機基板
• 出願人：株式会社東芝

低抵抗シリコン基板中の 格子間 型酸素の濃度を正確に測定する。

• 公開日：2000/03/31
• 出典：低抵抗率シリコン基板の酸素濃度測定方法
• 出願人：株式会社ＳＵＭＣＯ

ＳＯＩデバイスの素子分離、とくにＬＯＣＯＳを用いる場合、バルクデバイスと異なり基板内部にＢＯＸが存在する為に、酸化起因で発生する 格子間 Ｓｉが析出しデバイス特性を劣化させる。

• 公開日：2000/05/12
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：シャープ株式会社

すなわち、イオン注入時に発生する欠陥であり、これはＡｓが高濃度にイオン注入された場合には、不純物注入領域が非晶質となり、結晶と非晶質との界面には多くの 格子間 Ｓｉが存在するためであり、この格子間Ｓｉがその後の熱処理により欠陥の発生原因となる。

• 公開日：1996/07/12
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：日本電気株式会社

不純物元素は、 格子間 に配置される。

• 公開日：2021/01/07
• 出典：単結晶ダイヤモンド、それを用いた単結晶ダイヤモンド粒および単結晶ダイヤモンド粒を備える工具
• 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

パラジウムの切替可能な物理的特性は、解剖学的レベルで金属中の 格子間 に溶けている、金属原子と水素との間の相互作用から生じる。

• 公開日：2021/01/07
• 出典：水素センサおよび水素センサの生産方法、測定デバイスならびに水素濃度を測定する方法
• 出願人：-