拡散 の意味・用法を知る

育成中のシリコン単結晶中における点欠陥濃度を計算する方法において、点欠陥の 拡散 を、結晶成長軸に平行な拡散と、結晶径方向の拡散とを、それぞれ１次元の拡散として計算することを特徴とする点欠陥濃度計算方法。

• 公開日：2016/01/28
• 出典：点欠陥濃度計算方法、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥計算方法、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥面内分布計算方法及びこれらを用いたシリコン単結晶製造方法
• 出願人：信越半導体株式会社

貫通孔(3a3)を有する筒状の基部(3a)と、基部(3a)の一端(3a1)側に接続され他端(3a2)側に向け基部(3a)を覆うよう傘状に延出した傘状部(3b)と、貫通孔(3a3)の他端(3a2)側に設けられてイヤホン(51)の音筒部(2)と係合する係合部(3f)と、貫通孔(3a3)の内周面(3e2)において凹状又は凸状として形成され、他端(3a2)側から進行して到達した音(M)を偏向反射する 拡散 部(KB)と、を有している。

• 公開日：2015/05/28
• 出典：イヤーピース及びそれを備えたイヤホン
• 出願人：株式会社ＪＶＣケンウッド

なお、ｎ−型のドリフト領域３２ａは「第１ドリフト領域」の一例に相当し、ドリフト領域３２ｂは「第２ドリフト領域」の一例に相当し、 拡散 領域３４は「第１フローティング領域」の一例に相当する。

• 公開日：2015/04/09
• 出典：半導体装置
• 出願人：トヨタ自動車株式会社

この半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に絶縁膜を介して配置され、高電位側の電源電位が供給される第１の電源端子及び低電位側の電源電位が供給される第２の電源端子と、半導体基板内に形成され、第１の電源端子に電気的に接続された第１のＮ型不純物 拡散 領域と、半導体基板に形成された少なくとも１つのトランジスターを含む回路ブロックと、第１のＮ型不純物拡散領域内に形成されて第１のＮ型不純物拡散領域の比抵抗よりも小さい比抵抗を有し、少なくとも１つのトランジスターのソース又はドレインに電気的に接続された第２のＮ型不純物拡散領域とを含み、第１の電源端子から第１のＮ型不純物拡散領域を介して少なくとも１つのトランジ...

• 公開日：2015/01/19
• 出典：半導体装置及び電子機器
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

本発明は、カセット筐体５０と、テープリール５４、５８によって送り出し可能な分析用テストテープ２０と、テストテープ２０上に格納され、体液を塗布する 拡散 織物３０および体液中の検体を検出する下層試薬層３６を有する複数の分析用テストエレメント２４とを備えるテストテープカセットであって、カセット筐体５０が、テストエレメント２４を供給するために、テストテープ２０を曲げるアプリケーションチップ１８を有するテストテープカセットに関する。

• 公開日：2014/10/09
• 出典：テストテープカセットおよびテストテープカセット用の分析用テストテープ
• 出願人：エフホフマン−ラロッシュアクチェンゲゼルシャフト