成膜法 の意味・用法を知る
成膜法 とは、物理蒸着 や流動性材料の適用方法、塗布方法 などの分野において活用されるキーワードであり、キヤノン株式会社 やセイコーエプソン株式会社 などが関連する技術を22,647件開発しています。
このページでは、 成膜法 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
成膜法の意味・用法
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成膜法 及び被覆物品を提供する。
- 公開日：2014/12/18
- 出典：成膜法及び被覆物品
- 出願人：ジエネラル・エレクトリツク・カンパニー
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薄膜形成法には、物理的気相 成膜法 （ＰＶＤ：physical vapor deposition）、化学的気相成膜法（ＣＶＤ：chemical vapor deposition）、液相成膜法（めっき、塗布、ゾルゲル法、スピンコート法など）、熱酸化法が含まれる。
- 公開日：2017/01/19
- 出典：積層構造体、圧電素子および圧電素子の製造方法
- 出願人：富士フイルム株式会社
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簡易な方法で、材料表面に優れた撥油性及び撥水性を付与できる膜を形成することができる 成膜法 及びその成膜法により得られる刃物材料を提供する。
- 公開日：2013/08/08
- 出典：成膜法
- 出願人：学校法人トヨタ学園
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CSD 成膜法 は、ケミカルソリューシンデポジション成膜法の略称である。
- 公開日：2007/05/10
- 出典：圧電体膜及びその製造方法
- 出願人：キヤノン株式会社
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数十ｎｍ（ナノメートル）程度の非常に薄い厚さで平滑な膜の作製が可能なレーザアブレーション 成膜法 により、エピタキシャル成長させたＴｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二重構造の膜を形成することにより高い光触媒性をもった二酸化チタン膜を作製することにある。
- 公開日：2003/04/08
- 出典：二層構造の光触媒酸化チタン膜及びその製造方法
- 出願人：独立行政法人日本原子力研究開発機構
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スピンコート法でゾルゲル液を用い、大面積の基板上に10μｍ程度以下、特に１μｍ程度以下の均一な光学薄膜を連続的に成膜する 成膜法 を得る。
- 公開日：1997/09/02
- 出典：成膜法
- 出願人：セントラル硝子株式会社
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スピンコート法でゾルゲル液を用い、大面積の基板上に２μｍ程度以下、特に１μｍ程度以下の均一な光学薄膜を連続的に成膜する 成膜法 を得る。
- 公開日：1997/09/09
- 出典：ゾルゲル薄膜の成膜法
- 出願人：セントラル硝子株式会社
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溶液キャスト 成膜法 により製造する際の、ポリサルホン系樹脂溶液の支持体表面との濡れの改善を図り、外観、平滑性、厚み精度に優れたポリサルホン系樹脂フィムムを製造する方法を提供することを目的とする。
- 公開日：1994/03/22
- 出典：ポリサルホン系樹脂フィルムの製造方法
- 出願人：積水化学工業株式会社
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ＡＩＰ 成膜法 のエッチング工程において、イオン化したプロセスガスが、ワークの奥まった部位まで適切に供給されていることが確認できるエッチング強度測定装置を提供する。
- 公開日：2015/09/07
- 出典：エッチング強度測定装置
- 出願人：トヨタ自動車株式会社
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ＺｎＯ薄膜を形成する方法としては、蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性プラズマ蒸着法、イオンアシスト蒸着法、スパッタリング法、パルスレーザ堆積法などの気相 成膜法 が用いられる。
- 公開日：2021/01/28
- 出典：波長変換部材、光源、蛍光体粒子及び波長変換部材の製造方法
- 出願人：パナソニックＩＰマネジメント株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴（クレーム）
- 材料１（元素状、合金）
- 材料２（酸化物）
- 材料３（複合酸化物）
- 材料４（酸素酸塩）
- 材料５（〜化物）
- 材料６（有機物）
- 固相成長
- 液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する）
- 液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先
- 液相成長３（融液の凝固によるもの）
- 液相成長４（ゾーンメルティング）
- 液相成長５（融液からの引き出し）
- 液相成長６（液相エピタキシャル）
- 気相成長１（蒸着、昇華）
- 気相成長２（ＣＶＤ）
- 結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く
- 結晶成長共通２（不純物のドーピング）
- 結晶成長共通３（原料の調製、原料組成）
- 結晶成長共通４（種結晶、基板）
- 結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護）
- 結晶成長共通６（基板への多層成長）
- 結晶成長共通７（装置、治具）
- 結晶成長共通８（検知、制御）
- 結晶成長共通９（特定の成長環境の付加）
- 後処理１（拡散源、その配置）
- 後処理２（後処理のための基板表面の前処理）
- 後処理３（気相からのドーピング）
- 後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング）
- 後処理５（加熱、冷却処理）
- 後処理６（結晶の接合）
- 後処理７（エッチング、機械加工）
- 後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用）
- 後処理９（その他）
- 後処理１０（装置、治具の特徴）
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱（集光加熱等）
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し（保護流体下も含む）
- 結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- ＰＶＤ
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- ＣＶＤ
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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重金属無機化合物（Ｉ）
- 構成元素（亜鉛化合物）
- 製造および処理（亜鉛化合物）
- 有用性（亜鉛化合物）
- 形状・構造（亜鉛化合物）
- 構成元素（カドミウム硫化物）
- 製造および処理（カドミウム硫化物）
- 有用性（カドミウム硫化物）
- 形状・構造（カドミウム硫化物）
- 構成元素（チタン化合物）
- 製造および処理（チタン化合物）
- 有用性（チタン化合物）
- 形状・構造（チタン化合物）
- 超電導材料の形状
- 材料のマクロ，ミクロ構造，物性の特定
- 超電導材料の組成（クレ−ム）
- 製法１ 原料、原料混合物の調整
- 製法２ 固体原料の焼成によるもの
- 製法３ 溶液からの晶出、融液からの製造
- 製法４ 基板上への膜形成（気相法を除く）
- 製法５ 気相からの製造（蒸着）
- 製法６ 気相からの製造（ＣＶＤ）
- 気相法共通
- 超電導材料の処理・その他
- 用途（クレ−ム）
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触媒
- 技術主題
- 成分１特定物質
- 成分２無機物質
- 成分３金属元素
- 成分４非金属元素
- 成分５有機物質及び配位子
- 使用対象反応１環境保全関連
- 使用対象反応ＩＩ化学合成用（Ｃ１化学除く）
- 使用対象反応３エネルギーと化学原料関連
- 使用対象反応４その他
- 使用形態
- 構造及び物性１‐１外形（それ自体）
- 構造及び物性１‐２外形に関する他の特徴
- 構造及び物性２微細構造
- 構造及び物性ＩＩＩ 物性
- 構造及び物性ＩＶ その他
- 調製及び活性化Ｉ 目的
- 調製及び活性化ＩＩ プロセス
- 調製及び活性化ＩＩＩ材料及び条件（クレーム）
- 再生または再活性化
- ゼオライト及びモレキュラーシーブ（ＭＳ）
- ゼオライト及びＭＳの合成
- ゼオライト及びＭＳ触媒の特定（クレームのみ）
- ゼオライト及びＭＳ触媒の処理・修飾
- 処理・修飾及び組成物の目的（目的記載個所）
- 触媒組成物の態様
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触媒
- 技術主題
- 成分Ｉ特定物質
- 成分ＩＩ無機物質
- 成分ＩＩＩ金属元素
- 成分ＩＶ非金属元素
- 成分Ｖ有機物質及び配位子
- 使用対象反応Ｉ環境保全関連
- 使用対象反応ＩＩ化学合成用（Ｃ１化学除く）
- 使用対象反応ＩＩＩエネルギーと化学原料関連
- 使用対象反応ＩＶその他
- 使用形態
- 構造及び物性Ｉ‐Ｉ外形（それ自体）
- 構造及び物性Ｉ‐ＩＩ外形に関する他の特徴
- 構造及び物性ＩＩ微細構造
- 構造及び物性ＩＩＩ 物性
- 構造及び物性ＩＶ その他
- 調製及び活性化Ｉ 目的
- 調製及び活性化ＩＩ プロセス
- 調製及び活性化ＩＩＩ材料及び条件（クレーム）
- 再生または再活性化
- 光触媒の技術主題
- 光触媒の成分
- 光触媒の活性化
- 光触媒の調製
- 光触媒の使用対象
- その他
- ゼオライト及びモレキュラーシーブ（ＭＳ）
- ゼオライト及びＭＳの合成
- ゼオライト及びＭＳ触媒の特定（クレームのみ）
- ゼオライト及びＭＳ触媒の処理・修飾
- 処理・修飾及び組成物の目的（目的記載個所）
- 触媒組成物の態様
