成膜法 の意味・用法を知る
成膜法 とは、物理蒸着 や流動性材料の適用方法、塗布方法 などの分野において活用されるキーワードであり、キヤノン株式会社 やセイコーエプソン株式会社 などが関連する技術を22,647件開発しています。
このページでは、 成膜法 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
成膜法の意味・用法
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成膜法 及び被覆物品を提供する。
- 公開日:2014/12/18
- 出典:成膜法及び被覆物品
- 出願人:ジエネラル・エレクトリツク・カンパニー
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薄膜形成法には、物理的気相 成膜法 (PVD:physical vapor deposition)、化学的気相成膜法(CVD:chemical vapor deposition)、液相成膜法(めっき、塗布、ゾルゲル法、スピンコート法など)、熱酸化法が含まれる。
- 公開日:2017/01/19
- 出典:積層構造体、圧電素子および圧電素子の製造方法
- 出願人:富士フイルム株式会社
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簡易な方法で、材料表面に優れた撥油性及び撥水性を付与できる膜を形成することができる 成膜法 及びその成膜法により得られる刃物材料を提供する。
- 公開日:2013/08/08
- 出典:成膜法
- 出願人:学校法人トヨタ学園
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CSD 成膜法 は、ケミカルソリューシンデポジション成膜法の略称である。
- 公開日:2007/05/10
- 出典:圧電体膜及びその製造方法
- 出願人:キヤノン株式会社
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数十nm(ナノメートル)程度の非常に薄い厚さで平滑な膜の作製が可能なレーザアブレーション 成膜法 により、エピタキシャル成長させたTi2O3膜とTiO2膜の二重構造の膜を形成することにより高い光触媒性をもった二酸化チタン膜を作製することにある。
- 公開日:2003/04/08
- 出典:二層構造の光触媒酸化チタン膜及びその製造方法
- 出願人:独立行政法人日本原子力研究開発機構
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スピンコート法でゾルゲル液を用い、大面積の基板上に10μm程度以下、特に1μm程度以下の均一な光学薄膜を連続的に成膜する 成膜法 を得る。
- 公開日:1997/09/02
- 出典:成膜法
- 出願人:セントラル硝子株式会社
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スピンコート法でゾルゲル液を用い、大面積の基板上に2μm程度以下、特に1μm程度以下の均一な光学薄膜を連続的に成膜する 成膜法 を得る。
- 公開日:1997/09/09
- 出典:ゾルゲル薄膜の成膜法
- 出願人:セントラル硝子株式会社
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溶液キャスト 成膜法 により製造する際の、ポリサルホン系樹脂溶液の支持体表面との濡れの改善を図り、外観、平滑性、厚み精度に優れたポリサルホン系樹脂フィムムを製造する方法を提供することを目的とする。
- 公開日:1994/03/22
- 出典:ポリサルホン系樹脂フィルムの製造方法
- 出願人:積水化学工業株式会社
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AIP 成膜法 のエッチング工程において、イオン化したプロセスガスが、ワークの奥まった部位まで適切に供給されていることが確認できるエッチング強度測定装置を提供する。
- 公開日:2015/09/07
- 出典:エッチング強度測定装置
- 出願人:トヨタ自動車株式会社
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ZnO薄膜を形成する方法としては、蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性プラズマ蒸着法、イオンアシスト蒸着法、スパッタリング法、パルスレーザ堆積法などの気相 成膜法 が用いられる。
- 公開日:2021/01/28
- 出典:波長変換部材、光源、蛍光体粒子及び波長変換部材の製造方法
- 出願人:パナソニックIPマネジメント株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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重金属無機化合物(I)
- 構成元素(亜鉛化合物)
- 製造および処理(亜鉛化合物)
- 有用性(亜鉛化合物)
- 形状・構造(亜鉛化合物)
- 構成元素(カドミウム硫化物)
- 製造および処理(カドミウム硫化物)
- 有用性(カドミウム硫化物)
- 形状・構造(カドミウム硫化物)
- 構成元素(チタン化合物)
- 製造および処理(チタン化合物)
- 有用性(チタン化合物)
- 形状・構造(チタン化合物)
- 超電導材料の形状
- 材料のマクロ,ミクロ構造,物性の特定
- 超電導材料の組成(クレ−ム)
- 製法1 原料、原料混合物の調整
- 製法2 固体原料の焼成によるもの
- 製法3 溶液からの晶出、融液からの製造
- 製法4 基板上への膜形成(気相法を除く)
- 製法5 気相からの製造(蒸着)
- 製法6 気相からの製造(CVD)
- 気相法共通
- 超電導材料の処理・その他
- 用途(クレ−ム)
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触媒
- 技術主題
- 成分1特定物質
- 成分2無機物質
- 成分3金属元素
- 成分4非金属元素
- 成分5有機物質及び配位子
- 使用対象反応1環境保全関連
- 使用対象反応II化学合成用(C1化学除く)
- 使用対象反応3エネルギーと化学原料関連
- 使用対象反応4その他
- 使用形態
- 構造及び物性1‐1外形(それ自体)
- 構造及び物性1‐2外形に関する他の特徴
- 構造及び物性2微細構造
- 構造及び物性III 物性
- 構造及び物性IV その他
- 調製及び活性化I 目的
- 調製及び活性化II プロセス
- 調製及び活性化III材料及び条件(クレーム)
- 再生または再活性化
- ゼオライト及びモレキュラーシーブ(MS)
- ゼオライト及びMSの合成
- ゼオライト及びMS触媒の特定(クレームのみ)
- ゼオライト及びMS触媒の処理・修飾
- 処理・修飾及び組成物の目的(目的記載個所)
- 触媒組成物の態様
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触媒
- 技術主題
- 成分I特定物質
- 成分II無機物質
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- 成分IV非金属元素
- 成分V有機物質及び配位子
- 使用対象反応I環境保全関連
- 使用対象反応II化学合成用(C1化学除く)
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- 使用対象反応IVその他
- 使用形態
- 構造及び物性I‐I外形(それ自体)
- 構造及び物性I‐II外形に関する他の特徴
- 構造及び物性II微細構造
- 構造及び物性III 物性
- 構造及び物性IV その他
- 調製及び活性化I 目的
- 調製及び活性化II プロセス
- 調製及び活性化III材料及び条件(クレーム)
- 再生または再活性化
- 光触媒の技術主題
- 光触媒の成分
- 光触媒の活性化
- 光触媒の調製
- 光触媒の使用対象
- その他
- ゼオライト及びモレキュラーシーブ(MS)
- ゼオライト及びMSの合成
- ゼオライト及びMS触媒の特定(クレームのみ)
- ゼオライト及びMS触媒の処理・修飾
- 処理・修飾及び組成物の目的(目的記載個所)
- 触媒組成物の態様