成膜室 の意味・用法を知る

制御部は、原料ガス供給部から 成膜室 １０に原料ガスが供給されている間、処理ガスを、処理ガス貯留部から第２のガス配管９０に流して成膜室１０に供給するように制御する。

• 公開日：2017/10/05
• 出典：成膜装置及び成膜方法
• 出願人：株式会社昭和真空

この発光強度比に応じて、第１８族元素のうち、前記第１希ガス及び第２希ガスと異なる第３希ガスを前記 成膜室 に供給することにより、あるいは前記第３希ガスの供給を調整することにより、前記プラズマの電子温度を調整して前記薄膜の膜質を調整する。

• 公開日：2017/06/15
• 出典：薄膜製造方法及び成膜装置
• 出願人：岡山県

ガスバリア性膜が形成される容器を収容する 成膜室 を有し、前記ガスバリア性膜の成膜時に前記成膜室が真空状態とされるチャンバと、前記ガスバリア性膜を成膜するのに用いられる媒質ガスを前記容器の内部に導くガス流路を有し、その軸線方向に沿って昇降移動するガス供給管と、前記ガス供給管に支持される発熱体と、を備え、前記ガス供給管は、前記ガスバリア性膜の成膜時に、前記成膜室に収容される前記容器に挿入され、前記ガス流路を介して前記媒質ガスを供給し、前記ガスバリア性膜の成膜を行わない待機時に、前記成膜室から退避するとともに、前記ガス流路が減圧状態に維持され、前記発熱体は前記ガス供給管の挿抜に追従して、前記容器への挿...

• 登録日：2019/08/30
• 出典：成膜装置及び成膜方法
• 出願人：三菱重工メカトロシステムズ株式会社

基材を真空予備室から 成膜室 へ搬送する際に、基材が落下することを抑制することができるプラズマ成膜方法を提供する。

• 公開日：2018/03/01
• 出典：プラズマ成膜方法
• 出願人：トヨタ自動車株式会社

電気絶縁性の原料粒子Ｐを収容した密閉容器２にガスを導入して、原料粒子ＰのエアロゾルＡを生成し、密閉容器２に接続された搬送管６を介して、密閉容器２よりも低圧の 成膜室 ３にエアロゾルＡ’を搬送し、搬送管６の先端に取り付けられたノズル１８から、成膜室３に設置されたターゲット１９に向けてエアロゾルＡ’を噴射し、原料粒子Ｐをターゲット１９に衝突させ、原料粒子Ｐをプラスに帯電させ、帯電した原料粒子Ｐの放電によって、原料粒子Ｐの微細粒子を生成し、微細粒子を成膜室３に設置された基材Ｓ上に堆積させる成膜方法。

• 公開日：2016/02/18
• 出典：成膜方法及び成膜装置
• 出願人：有限会社渕田ナノ技研

成膜室 が円筒状または略円筒状であり、成膜室の側面に前記ミストまたは前記液滴の搬入口が設けられている請求項８または９に記載の成膜方法。

• 公開日：2016/08/12
• 出典：成膜装置および成膜方法
• 出願人：株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

成膜装置１は、長尺帯状の基材が搬送される搬送路の途中に設けられ、調圧された雰囲気の下で基材上に薄膜の成膜を行う 成膜室 ３０と、成膜室３０の前段に配置され、雰囲気圧を調圧可能な第１バッファ室２０と、成膜室３０の後段に配置され、雰囲気圧を調圧可能な第２バッファ室４０とを備え、成膜室３０においては、基材の一区間を成膜位置Ｐに繰り入れて静止させて成膜を行い、成膜後には一区間を成膜位置Ｐから繰り出すと共に次の区間を成膜位置Ｐに繰り入れて成膜を繰り返し、薄膜の成膜時には、第１バッファ室２０及び第２バッファ室４０の雰囲気圧を減圧し、成膜位置に対して基材を移動させるときには、第１バッファ室２０、成膜室３０及び第...

• 公開日：2017/01/12
• 出典：成膜装置及び成膜方法
• 出願人：コニカミノルタ株式会社

基板を加熱しながら、前記基板上に酸化物半導体膜を形成する工程と、前記酸化物半導体膜に対し、加熱処理を行う工程と、ゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート電極を形成する工程と、を有し、前記酸化物半導体膜は、四重極形質量分析計で測定される質量電荷比が４４であるガスの分圧が３×１０−５Ｐａ以下である 成膜室 に、希ガスおよび酸素の一種以上を含むガスを供給し、ターゲットに電力を印加して、スパッタリング法を用いて成膜され、前記加熱処理として、減圧雰囲気又は不活性雰囲気で加熱処理を行った後、酸化性雰囲気に切り替えて加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。

• 公開日：2017/08/17
• 出典：半導体装置の作製方法
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

ガスの供給を受ける第１の供給口（２５、２７）及び第２の供給口（２９）と、供給された前記ガスを 成膜室 （５）内に放出する放出口（３１）とを備えたシャワーヘッド（７）であって、前記シャワーヘッドの内部における、前記第１の供給口から前記放出口に至るガスの流路の途中に、前記第２の供給口が設けられていることを特徴とするシャワーヘッド。

• 公開日：2016/09/01
• 出典：シャワーヘッド、シャワーヘッドシステム、及び成膜装置
• 出願人：株式会社デンソー

ターンテーブルの回転及びターンテーブルに載置された第１の半導体基板と第２の半導体基板の昇降により、第１の半導体基板と第２の半導体基板を、第１ 成膜室 及び第２成膜室間で移設し、第１の半導体基板と第２の半導体基板上に積層膜を形成する。

• 公開日：2016/09/29
• 出典：半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置
• 出願人：東芝メモリ株式会社