寄生抵抗 の意味・用法を知る
寄生抵抗 とは、CAD や半導体集積回路 などの分野において活用されるキーワードであり、パナソニック株式会社 やルネサスエレクトロニクス株式会社 などが関連する技術を459件開発しています。
このページでは、 寄生抵抗 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
寄生抵抗の意味・用法
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オフトランジスタのソースの 寄生抵抗 を低減する半導体装置を提供する。
- 公開日:2016/08/18
- 出典:半導体装置
- 出願人:エイブリック株式会社
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また、半導体モジュール1のベース10にグリース層17を介して設けられる冷却器11に冷却器端子11aを設け、冷却器端子11aと、P端子6,N端子7,AC端子8のいずれかの端子との間の静電容量及びこの静電容量に対して直列に寄生する 寄生抵抗 を計測し、計測された静電容量及び/または寄生抵抗に基づいて、ベース10と冷却器11との間のグリース層17の劣化度合いを評価する。
- 公開日:2015/05/14
- 出典:半導体モジュールの検査方法及び半導体システム
- 出願人:株式会社明電エンジニアリング東日本
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...ten信号及びnresen信号を出力する動作検出回路250と、動作検出回路と接続されたラッチ誤動作保護回路(121)と、第1乃至第6の抵抗(R1,R1M,R1L,R2,R2M,R2L)を介して第1及び第2の直列回路の第1及び第2のレベルシフト出力端子に接続されたラッチ回路(122)と、第1及び第2の 寄生抵抗 (Rpar1,2)とそれぞれ並列に接続された第3及び第4のスイッチング素子(PM1,2)と、電源電位、第1及び第2の抵抗の接続点又は第3及び第4の抵抗の接続点、及び動作検出回路に接続された第5及び第6のスイッチング素子(PM1b,PM2b)とを備える。
- 公開日:2013/10/24
- 出典:半導体基板中の寄生抵抗を利用するレベルシフト回路
- 出願人:富士電機株式会社
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インダクタンス素子Lと、容量素子Cと、増幅器30と、をそれぞれ第1の端子と第2の端子との間に並列に接続し、インダクタンス素子と容量素子とによって生じる共振を増幅器によって増幅し、第1の端子と第2の端子とから出力する発振器であって、第1の端子と第2の端子との間にインダクタンス素子の 寄生抵抗 RLより抵抗値の大きな第1の抵抗素子Rcが第1の端子と第2の端子との間に容量素子と直列に接続されている。
- 公開日:2012/08/30
- 出典:発振器及び半導体集積回路装置
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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本発明は、 寄生抵抗 の抵抗値の大小に関係なく、遅延時間に影響を与えないレベルシフト回路を提供する
- 公開日:2014/05/19
- 出典:半導体基板中の抵抗を利用するレベルシフト回路
- 出願人:富士電機株式会社
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本発明の目的は、S/D部に形成する金属間化合物膜の膜厚を制御することができ、 寄生抵抗 の低減をはかり得るMOS型半導体装置及びその製造方法を提供する
- 公開日:2013/02/07
- 出典:半導体装置及びその製造方法
- 出願人:株式会社東芝
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この半導体装置(10)は、カレントミラー回路(11,12)を含む半導体素子(30)と、前記カレントミラー回路(11,12)に形成された 寄生抵抗 (Ra,Rb)と、ボンディングワイヤ(40a〜40d)を含む導電体により前記カレントミラー回路(11,12)の一部と電気的に接続され、半導体装置(10)の外部と信号の入出力を行う接続端子(20a,20b)と、を有し、前記ボンディングワイヤ(40a〜40d)の抵抗値(Rc〜Rf)は、前記寄生抵抗(Ra,Rb)に起因する前記カレントミラー回路(11,12)の出力電流(Io)のずれを補正する値に調整されていることを要件とする。
- 公開日:2010/05/13
- 出典:半導体装置
- 出願人:ミツミ電機株式会社
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RC値/違反情報生成部10は、RC抽出部7が抽出した寄生容量、 寄生抵抗 が論理接続情報抽出部3が抽出した寄生抵抗値、静電容量値よりも大きいと判断するとエラー情報を生成し、レイアウト編集部5を介して表示部11のレイアウト図上にエラー情報を表示し、論理設計段階で付加された制約を遵守してレイアウト設計ができるようにする。
- 公開日:2008/08/21
- 出典:レイアウト設計システムおよび半導体集積回路装置の設計方法
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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温度ヒューズ1の溶断金属5は、周囲から加熱され、さらに、 寄生抵抗 6のジュール熱によっても加熱されて溶断される。
- 公開日:2001/11/09
- 出典:自己発熱素子を有する温度ヒューズとこの温度ヒューズを内蔵するパック電池
- 出願人:三洋電機株式会社
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DRAMにおけるキャパシタの 寄生抵抗 を簡単かつ安価に測定すること。
- 公開日:1999/07/30
- 出典:キャパシタ寄生抵抗の測定方法、およびその評価方法
- 出願人:沖電気工業株式会社
寄生抵抗の問題点 に関わる言及
寄生抵抗の特徴 に関わる言及
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