堆積膜 の意味・用法を知る

この 堆積膜 は放置しておくと、スパークの発生、精度の低下、パーティクル汚染といった品質劣化に繋がる原因となる。

• 公開日：2018/01/11
• 出典：洗浄方法
• 出願人：パナソニックＩＰマネジメント株式会社

この状態で犠牲酸化を行うことで、基体おもて面と 堆積膜 １３との界面に犠牲酸化による熱酸化膜がほぼ成長しないため、ｎ+型ソース領域４の厚さがほぼ維持される。

• 公開日：2017/07/20
• 出典：炭化珪素半導体装置の製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

その際、 堆積膜 ２は絶縁膜である絶縁層１６上にも形成されるが、後で除去される。

• 公開日：2016/12/28
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：住友重機械イオンテクノロジー株式会社

半導体基体上にドリフト領域を形成する工程と、前記ドリフト領域の主面上に開口部を形成し、前記開口部から前記ドリフト領域の内部へ向けて溝を少なくとも１つ形成する工程と、前記溝の内面に 堆積膜 を形成する工程であり、前記開口部の位置における膜厚よりも薄くなる部分が前記ドリフト領域の内部に少なくとも存在するように前記堆積膜を形成する工程と、前記堆積膜の膜厚に応じて前記ドリフト領域の酸化レートが異なる犠牲酸化を行って、前記溝の内面から前記ドリフト領域へ熱酸化膜を形成する工程と、前記溝の内面に形成された前記堆積膜と前記熱酸化膜とをエッチングによって除去する工程と、前記ドリフト領域の主面上に第１領域を形成する工...

• 公開日：2015/04/16
• 出典：半導体装置及びその製造方法
• 出願人：日産自動車株式会社

真空吸引方法は、Ｓｉ、Ｓｉ合金、Ｓｉ化合物、Ｓｉ混合物のいずれかである固相状態のＳｉ系材料を真空処理室内又は前記真空処理室に隣接して連通する予備室内に設置し（Ｓ１）、前記真空処理室内、又は、前記予備室内で、前記Ｓｉ系材料を固相状態から直接的又は間接的に気相状態とし、前記真空処理室内又は予備室内の少なくとも一部にＳｉ系 堆積膜 を堆積させて（Ｓ３）、前記真空処理室内、又は、前記真空処理室及び前記予備室内を真空にする（Ｓ４）。

• 公開日：2014/11/20
• 出典：真空吸引方法及び真空処理装置ならびにサブリメーションポンプ
• 出願人：日本放送協会

トレンチゲート電極１０および層間絶縁膜９を覆うように、引っ張り応力を有する 堆積膜 １４が形成されている。

• 公開日：2015/03/19
• 出典：半導体装置およびその製造方法
• 出願人：三菱電機株式会社

この 堆積膜 は成膜処理時の熱等により半導体ウエハ等の側面等に溶着して貼り付いてしまう場合がある。

• 公開日：2015/06/04
• 出典：半導体製造装置
• 出願人：株式会社デンソー

本発明は、堆積性ガスを用いて被エッチング膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、マスク上に堆積した 堆積膜 の膜厚を測定し、前記測定された堆積膜の膜厚と前記堆積膜の膜厚の目標値との差を求め、前記求められた差が許容値より大きい場合、前記求められた差が許容値内となるようにエッチングパラメータを制御しながら前記被エッチング膜をエッチングすることを特徴とする。

• 公開日：2014/12/11
• 出典：プラズマ処理方法
• 出願人：株式会社日立ハイテクサイエンス

本発明の一実施形態に係る基板加工方法は、基板の凹部の開口部に形成された 堆積膜 に、基板面内方向に対して第１の角度の方向から粒子ビームを照射して、堆積膜の厚さ方向の一部を除去する第１の照射工程と、第１の照射工程の後に、第１の角度よりも基板面内方向に対してより垂直に近い第２の角度の方向から粒子ビームを照射して、残存する堆積膜の厚さ方向の一部を除去する第２の照射工程と、を有する。

• 公開日：2017/03/23
• 出典：基板加工方法及び半導体装置の製造方法
• 出願人：キヤノンアネルバ株式会社

堆積膜 の膜厚のバラツキが抑制された堆積膜形成方法、および、該堆積膜形成方法利用した電子写真感光体の製造方法を提供する。

• 公開日：2013/12/19
• 出典：堆積膜形成方法および電子写真感光体の製造方法
• 出願人：キヤノン株式会社