基体 の意味・用法を知る
基体の意味・用法
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モータサイクル100のブレーキキャリパ107,114に設けられているホイールシリンダに供給されるブレーキ液の液圧を制御するブレーキ液圧制御装置2であって、内部に流路が形成されている 基体 と、流路を開放又は閉止するバルブと、を備え、基体は、モータサイクル100の胴体部101と車輪(前輪106,後輪113)とを連結する連結部130A,130Bのうちの、バネ下に固定されているものである。
- 公開日:2018/03/01
- 出典:ブレーキ液圧制御装置、及び、アンチロックブレーキシステム
- 出願人:ローべルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
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発光素子(20)を搭載するための基板(10)であって、 基体 (12)と、基体(12)の表面に、直接、又は間接的に配された絶縁層(30)とを備え、絶縁層(30)は、光を反射する反射層(32)と、反射層(32)内に配され、反射層(32)より線膨張率が小さい網目状のガラスシート31とからなる。
- 公開日:2017/09/14
- 出典:基板、発光装置および照明装置
- 出願人:シャープ株式会社
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基体 の薄型化を図りながらも、外部電源に接続されている給電端子に対する受電端子の接続状態の安定性向上を図りうる基板保持装置を提供する。
- 公開日:2017/04/20
- 出典:基板保持装置
- 出願人:日本特殊陶業株式会社
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給電端子またはそこに接続されている電線を 基体 の側方から延在させることができる基板保持装置を提供する。
- 公開日:2017/04/20
- 出典:基板保持装置
- 出願人:日本特殊陶業株式会社
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半導体素子が載置される載置領域を含む主面を有する板状の 基体 と、前記載置領域を囲むように前記基体の前記主面に設けられて枠状を成す周壁体とを含み、前記周壁体は、前記主面に垂直に立設された矩形板状の第1壁体であって、前記主面に平行な方向の一方端部に第1凸部が設けられ、かつ他方端部に第2凸部が設けられるとともに、厚み方向に貫通した貫通開口が設けられた第1壁体と、前記主面に垂直に立設された、前記第1壁体に対向する矩形板状の第2壁体であって、前記主面に平行な方向の一方端部に第3凸部が設けられ、かつ他方端部に第4凸部が設けられた第2壁体と、前記主面に垂直に立設された、前記第1壁体および前記第2壁体に隣接する...
- 公開日:2017/03/02
- 出典:半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
- 出願人:京セラ株式会社
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また、 基体 と、基体上の少なくとも一部の領域に配置され、飽和吸水量が50mg/cm3以上であり、マルテンス硬さが2N/mm2以上である樹脂層とを備える防曇性物品である。
- 公開日:2017/04/13
- 出典:防曇剤組成物並びに防曇性物品及びその製造方法
- 出願人:旭硝子株式会社
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流体ディスペンサ(200)を梱包するパッケージ装置であって、前記ディスペンサは、流体を収容する少なくとも1つの貯蔵器(210)と、手動により作動して前記流体を投与するディスペンサユニット(220)、を含み、前記パッケージ装置は、 基体 (110)、及びカバー(120)を有するケーシング(100)を含み、前記カバー(120)は、前記基体(110)に対し、前記ディスペンサ(200)が前記ケーシング(100)に梱包された閉位置から前記ディスペンサ(200)が前記ケーシング(100)から取り外し可能な開位置まで分離可能であり、前記ケーシング(100)は、少なくとも前記カバー(120)が前記閉位置にあるとき...
- 公開日:2017/02/09
- 出典:流体製品ディスペンサパッケージ装置
- 出願人:バロワ・ソシエテ・アノニム
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すなわち、 基体 33のポンプ中心軸37に沿った長さが無駄に大きくなることを防ぎ、基体33の小型化が図れる。
- 公開日:2016/11/10
- 出典:車両用ブレーキ液圧制御装置
- 出願人:ヴィオニア日信ブレーキシステムジャパン株式会社
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レーダー波反射率及び 基体 との密着性に優れる硬化物を形成可能なレーダー波反射用樹脂組成物、並びにこのレーダー波反射用樹脂組成物の硬化物を備えるレーダー波反射構造物の提供。
- 公開日:2016/06/30
- 出典:レーダー波反射用樹脂組成物及びレーダー波反射構造物
- 出願人:日立化成株式会社
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第4半導体層は 基体 と第3領域との間に設けられる。
- 公開日:2016/04/04
- 出典:半導体発光素子
- 出願人:株式会社東芝
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積層体(2)
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- 処理、手段
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- 用途
- 模様、装飾
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- 電気・磁気的性質・機能
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- 機械的性質・機能
- その他の性質・機能
- 状態
- 光学的性質・機能
- 数値を限定したもの(クレームにのみ適用)
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
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- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ