型化合物 の意味・用法を知る

クラスレート 型化合物 は、式(1)で表される化合物である。

• 公開日：2015/12/07
• 出典：触媒、触媒の製造方法、アンモニア合成方法、アンモニア分解方法
• 出願人：株式会社ＩＨＩ

結着樹脂を含むトナー粒子と、平均円相当径が０．３μｍ以上３μｍ未満である第１のぺロブスカイト 型化合物 及び平均円相当径が３μｍ以上７μｍ未満の第２のぺロブスカイト型化合物を含む外添剤と、を含有し、トナー全体に占める前記第１のぺロブスカイト型化合物の含有率をα（質量％）としたときのトナー全体に占める前記第２のぺロブスカイト型化合物の含有率β（質量％）が、α／１０以上α／２未満である静電荷像現像用トナー。

• 公開日：2015/10/05
• 出典：静電荷像現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法
• 出願人：富士ゼロックス株式会社

トリアリールメタン 型化合物 （Ａ）とアルデヒド化合物（Ｂ）とを必須の成分として反応させて得られるノボラック樹脂中間体と、炭素原子数９〜２４のアルケン化合物（Ｃ）とを反応させて得られるフェノール性水酸基含有樹脂、これを含有する感光性組成物、硬化性組成物、及びレジスト膜。

• 公開日：2017/11/30
• 出典：フェノール性水酸基含有樹脂及びレジスト膜
• 出願人：ＤＩＣ株式会社

フェノール化合物（ａ）と芳香族アルデヒド化合物（ｂ）とを酸触媒条件下で反応させて二つのフェノール性水酸基を有するトリアリールメタン 型化合物 （Ｘ）を得、次いで、該トリアリールメタン型化合物（Ｘ）とアルデヒド化合物（ｃ）とを酸触媒条件下で反応させて得られる請求項１記載のノボラック型フェノール性水酸基含有樹脂。

• 公開日：2017/04/06
• 出典：ノボラック型フェノール性水酸基含有樹脂、その製造方法、硬化性組成物、レジスト用組成物及びカラーレジスト
• 出願人：ＤＩＣ株式会社

本発明に係る化合物半導体太陽電池は、基板と、前記基板上に設けられた裏面電極と、前記裏面電極上に設けられたｐ 型化合物 半導体光吸収層と、前記ｐ型化合物半導体光吸収層上に設けられたｎ型化合物半導体バッファ層と、前記ｎ型化合物半導体バッファ層上に設けられた透明電極と、を有する化合物半導体太陽電池において、前記ｐ型化合物半導体光吸収層が、（ＡｇｘＣｕ１−ｘ）２ａＺｎｂ（ＧｅｙＳｎ１−ｙ）ｃ（Ｓ１−ｚＳｅｚ）４０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０．５≦ａ≦１．５、０．５≦ｂ≦１．５、０．５≦ｃ≦１．５であり、前記ｎ型化合物半導体バッファ層がＳｎまたはＧｅを含有し、前記ｎ型化合物半導体バッファ層におけるＳ...

• 公開日：2015/03/16
• 出典：化合物半導体太陽電池
• 出願人：ＴＤＫ株式会社

第１のｎ 型化合物 半導体領域１３と第２のｐ型化合物半導体領域１９とにわたって電圧が印加されるとき、第１のｐ−ｎ接合２３ａ及び第２のｐ−ｎ接合２３ｂのいずれか一方に逆バイアスが印加される。

• 公開日：2013/09/19
• 出典：半導体光変調器
• 出願人：住友電気工業株式会社

本発明に係る化合物半導体太陽電池は、基板と、前記基板上に設けられた裏面電極と、前記裏面電極上に設けられたｐ 型化合物 半導体光吸収層と、前記ｐ型化合物半導体光吸収層上に設けられたｎ型化合物半導体バッファ層と、前記ｎ型化合物半導体バッファ層上に設けられた透明電極と、を有する化合物半導体太陽電池において、前記ｐ型化合物半導体光吸収層の断面構造が、厚さ方向に、単一の粒子のみの部分と、複数の粒子が積み重なった部分とを有し、複数の粒子が積み重なった部分において、前記裏面電極に接する粒子のＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比ｙ１と、ｎ型化合物半導体バッファ層に接する粒子のＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比ｙ２が、ｙ１＞ｙ２である。

• 公開日：2015/07/30
• 出典：化合物半導体太陽電池
• 出願人：ＴＤＫ株式会社

具体的には、下記一般式（Ｉ）で表されるシッフベース 型化合物 、並びにこれを用いた色素材料、色変換層、光吸収層、色変換フィルタ、光吸収フィルタ、色変換発光デバイス及び光電変換デバイスを提供する。

• 公開日：2013/01/07
• 出典：シッフベース型化合物及び該化合物を含有する色素材料
• 出願人：株式会社ＡＤＥＫＡ

本発明は、熱安定性に欠けるカルボン酸クロライドや、高沸点で実質的に蒸留困難なカルボン酸クロライド中のヴィルスマイヤー試薬 型化合物 を効率良く、且つ、簡便な操作で分解し、次工程に悪影響を及ぼす事のない、カルボン酸クロライドの製造方法に関し、より詳しくは、触媒の存在下、塩素化剤とカルボン酸とを反応させ、該反応後に過剰の塩素化剤を系外に除去し、その後、さらに前記触媒に対して１.０〜３.０当量の原料カルボン酸を系に添加して、系内に残存するヴィルスマイヤー試薬型化合物を分解することを特徴とする、カルボン酸クロライドの製造方法に関するものである。

• 公開日：2010/06/03
• 出典：カルボン酸クロライドの製造方法
• 出願人：三井化学株式会社

ｎ 型化合物 の半導体層１０２、活性層１０４及びｐ型化合物の半導体層１０６を備える化合物半導体発光素子のｐ型化合物の半導体層１０６上に形成される反射電極２６において、ｐ型化合物の半導体層１０６の上面の一部に所定幅に形成されたオーミックコンタクト層２１と、オーミックコンタクト層２１、及びオーミックコンタクト層２１により覆われていないｐ型化合物の半導体層１０６の上面を覆う反射電極層２５と、を備え、ｐ型化合物の半導体層１０６の上面に、反射電極層２５とｐ型化合物の半導体層１０６とが直接コンタクトされるコンタクト領域１１ａ、１１ｂが設けられた化合物半導体発光素子の反射電極２６、及び反射電極２６を備える化合物...

• 公開日：2006/08/31
• 出典：反射電極及びそれを備える化合物半導体の発光素子
• 出願人：サムソンエルイーディー株式会社