坩堝 の意味・用法を知る
坩堝 とは、結晶、結晶のための後処理 や物理蒸着 などの分野において活用されるキーワードであり、新日鐵住金株式会社 や株式会社ＳＵＭＣＯ などが関連する技術を15,443件開発しています。
このページでは、 坩堝 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
坩堝の意味・用法
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次に、第３工程Ｓ１０３で、上述した融液収容状態で、 坩堝 内の金属の融液を開口部より引き下げることで、固液界面が開口部の内部に形成された状態とし、開口部の形状を断面形状とした金属部材を作製する。
- 公開日：2017/11/09
- 出典：金属部材製造方法
- 出願人：株式会社Ｃ＆Ａ
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チャンバと、このチャンバ内に配置された 坩堝 と、前記坩堝を加熱することで、シリコン融液にドーパントが添加されたドーパント添加融液を生成する加熱部と、種結晶を前記ドーパント添加融液に接触させた後に引き上げる引き上げ部とを備えた単結晶引き上げ装置を利用したチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、前記シリコン単結晶の肩部を形成する肩部形成工程と、前記シリコン単結晶の直胴部を形成する直胴部形成工程とを備え、前記肩部形成工程は、前記肩部の径方向全域に発生する成長縞のうち、その外縁部が肩部の外周部まで伸びずに別の成長縞で中断されている成長縞で構成され、かつ、育成方向の高さが２００μｍ以上の...
- 公開日：2018/01/11
- 出典：シリコン単結晶の製造方法
- 出願人：株式会社ＳＵＭＣＯ
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黒鉛製の 坩堝 本体と坩堝上蓋を有し、坩堝本体下部の原料充填部に原料炭化珪素を充填すると共に坩堝上蓋の内面に炭化珪素単結晶からなる種結晶基板を設置し、原料炭化珪素を加熱して昇華させ、発生した昇華ガスを前記種結晶基板の表面で再結晶化させる昇華再結晶法により、炭化珪素単結晶を製造するための黒鉛坩堝であって、前記坩堝本体の内壁面に粗面部を有することを特徴とする炭化珪素単結晶製造用の黒鉛坩堝である。
- 公開日：2017/04/06
- 出典：炭化珪素単結晶製造用の黒鉛坩堝
- 出願人：昭和電工株式会社
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酸化物単結晶の原料を融解させた融液２１を貯留する 坩堝 ２０と、坩堝２０の周囲に配置され、酸化物単結晶の原料を加熱するヒーター３０と、坩堝２０の軸心の上方に、酸化物単結晶の種結晶５１が取り付けられた引上げ軸５０とを備え、坩堝２０の融液面には、円形リング２２ａの外周から放射状に延在した複数枚の整流板２２ｂが設けられる整流部材２２を配置する。
- 公開日：2018/03/15
- 出典：単結晶育成装置および単結晶の製造方法
- 出願人：住友金属鉱山シポレックス株式会社
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原料融液１６０を保持可能な 坩堝 １０と、坩堝１０の周囲に配置された第１の加熱手段８０と、第１の加熱手段８０を昇降させる第１の昇降機構と、坩堝１０よりも上方に配置された第２の加熱手段９０と、第２の加熱手段９０を昇降させる第２の昇降機構と、を有し、坩堝１０の上方にはアフターヒーター４０が設けられ、第２の加熱手段９０は、アフターヒーター４０の周囲に設けられた結晶育成装置。
- 公開日：2018/03/29
- 出典：結晶育成装置
- 出願人：住友金属鉱山シポレックス株式会社
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坩堝 は、タンタル金属を含んで構成されるとともに、当該タンタル金属よりも内部空間側にタンタルカーバイド層が設けられ、当該タンタルカーバイド層よりも更に内部空間側にタンタルシリサイド層が設けられている。
- 公開日：2017/10/12
- 出典：ＳｉＣ基板のエッチング方法
- 出願人：東洋炭素株式会社
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坩堝 本体と坩堝蓋体とを有する坩堝の坩堝本体に装填した炭化珪素の原料粉末を加熱して昇華ガスを発生させ、坩堝蓋体に対向配置した炭化珪素の種結晶上に再結晶させる昇華再結晶法により炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法であって、原料粉末の一部として、先立って行われた昇華再結晶法による他の炭化珪素単結晶インゴットの製造後に坩堝内に残留した原料残留物を再生処理した再生原料粉末を用いることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法である。
- 公開日：2018/02/01
- 出典：炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
- 出願人：昭和電工株式会社
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回転引き上げ法により酸化物単結晶を育成する際、 坩堝 底温度を目標温度に安定化させる高周波出力の操作方法を提供する。
- 公開日：2018/04/05
- 出典：高周波出力の操作方法
- 出願人：住友金属鉱山シポレックス株式会社
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成膜材料を収容する 坩堝 と、黒鉛抵抗体への電力供給により前記坩堝を加熱する黒鉛ヒータと、不活性ガスが外部から供給され、前記坩堝の加熱により蒸発した前記成膜材料の前記不活性ガス中での冷却により、前記成膜材料の金属ナノ粒子が生成されるナノ粒子生成室と、前記金属ナノ粒子を外部へ搬送する搬送管とを備える。
- 公開日：2016/12/08
- 出典：金属ナノ粒子生成装置、及び金属ナノ粒子ガスデポジション装置
- 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
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例えば特許文献１にはサファイア原料が充填される 坩堝 と、坩堝外周面を加熱する円筒状ヒータ部並びに坩堝底面を加熱する円盤状ヒータ部を有するカーボン製ヒータと、カーボン製の断熱材料により構成されかつ坩堝とカーボン製ヒータが収容されて上記坩堝が保温される断熱空間室を備えたサファイア単結晶育成装置が開示されている。
- 公開日：2016/12/01
- 出典：断熱構造体
- 出願人：住友金属鉱山シポレックス株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴（クレーム）
- 材料１（元素状、合金）
- 材料２（酸化物）
- 材料３（複合酸化物）
- 材料４（酸素酸塩）
- 材料５（〜化物）
- 材料６（有機物）
- 固相成長
- 液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する）
- 液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先
- 液相成長３（融液の凝固によるもの）
- 液相成長４（ゾーンメルティング）
- 液相成長５（融液からの引き出し）
- 液相成長６（液相エピタキシャル）
- 気相成長１（蒸着、昇華）
- 気相成長２（ＣＶＤ）
- 結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く
- 結晶成長共通２（不純物のドーピング）
- 結晶成長共通３（原料の調製、原料組成）
- 結晶成長共通４（種結晶、基板）
- 結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護）
- 結晶成長共通６（基板への多層成長）
- 結晶成長共通７（装置、治具）
- 結晶成長共通８（検知、制御）
- 結晶成長共通９（特定の成長環境の付加）
- 後処理１（拡散源、その配置）
- 後処理２（後処理のための基板表面の前処理）
- 後処理３（気相からのドーピング）
- 後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング）
- 後処理５（加熱、冷却処理）
- 後処理６（結晶の接合）
- 後処理７（エッチング、機械加工）
- 後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用）
- 後処理９（その他）
- 後処理１０（装置、治具の特徴）
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱（集光加熱等）
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し（保護流体下も含む）
- 結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- ＰＶＤ
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- ＣＶＤ
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
