反射防止膜形成 の意味・用法を知る
反射防止膜形成 とは、半導体の露光(電子、イオン線露光を除く) や半導体の露光(電子、イオン線露光を除く) などの分野において活用されるキーワードであり、東京エレクトロン株式会社 や株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ などが関連する技術を1,267件開発しています。
このページでは、 反射防止膜形成 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
反射防止膜形成の意味・用法
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微細で寸法精度に優れたリブパターンを形成でき、かつ残渣物をリブパターン上に残すことがないリブ加工用 反射防止膜形成 溶液溶剤、反射防止膜を有するリブ形成用積層体およびリブパターンの形成方法を提供すること。
- 公開日:2000/07/18
- 出典:リブ加工用反射防止膜形成溶液、それを塗布したリブ形成用積層体およびリブパターンの形成方法
- 出願人:東京応化工業株式会社
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例えば第1のブロックG1には、図3に示すように複数の液処理装置、例えばウェハWを現像処理する現像装置30、ウェハWのレジスト膜の下層に反射防止膜(以下、「下部反射防止膜」という)を形成する下部 反射防止膜形成 装置31、ウェハWにレジスト液を塗布して塗布膜としてのレジスト膜を形成するレジスト塗布装置32、ウェハWのレジスト膜の上層に反射防止膜(以下、「上部反射防止膜」という)を形成する上部反射防止膜形成装置33が下から順に4段に重ねられている。
- 公開日:2014/02/20
- 出典:熱処理装置、熱処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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(4)半導体層領域形成工程と 反射防止膜形成 工程 次に、スルーホールの内壁面を覆うフォトレジストマスクを除去した後、n型多結晶シリコン基板51の受光面に、気相拡散法、塗布拡散法などを用いてp型不純物を拡散させることにより、p型多結晶シリコン層52を形成する。
- 公開日:2009/06/18
- 出典:太陽電池及び太陽電池の製造方法
- 出願人:三洋電機株式会社
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そして、主面1aを下に向けて半導体ウェハ1を回転させながら 反射防止膜形成 液2を主面1aの全域に塗布して行く。
- 公開日:1998/04/10
- 出典:塗布方法および装置
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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この塗布、現像装置1は、被処理体である基板例えばウエハWに夫々薬液を供給して処理を行うレジスト塗布モジュール1A、1B、 反射防止膜形成 モジュール1C、1D、保護膜形成モジュール1E、1Fを備えている。
- 公開日:2021/02/18
- 出典:異物検査装置、基板処理装置及び基板処理システム
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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...ことができるが、装置の製造コストを考えると非現実的であり、複数のユニット及び当該複数のユニット間でウエハWを搬送する搬送機構を一つのブロック制御部Cによって制御することが現実的である。そして、上記の装置1の運用例では、ウエハWにレジスト膜形成処理と現像処理とを行っているが、例えばレジスト膜形成処理、 反射防止膜形成 処理、現像処理のうちの1つあるいは2つのみを行う運用がなされる場合が有る。レジスト膜形成処理、反射防止膜形成処理、現像処理のうち、行われていない処理に関わるユニットを制御するブロック制御部Cを動作停止させてメンテナンスができるようにすること、及び既述したように一つのブロック制御部Cで複...
- 公開日:2021/02/12
- 出典:基板処理装置
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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)を形成する上部 反射防止膜形成 装置33が下からこの順に配置されている。
- 公開日:2021/01/14
- 出典:熱処理方法及び熱処理装置
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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前記1)ステップにおける有機底 反射防止膜形成 ステップは、上述のとおりである。
- 公開日:2020/09/24
- 出典:底反射防止膜形成用の重合体およびこれを含む底反射防止膜形成用の組成物
- 出願人:エスケーエネルギー株式会社
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単位ブロックE1、E2の搬送機構F1、F2は、搬入用の受け渡しモジュールTRS1、TRS2→温度調整モジュールSCPL1、SCPL2→ 反射防止膜形成 モジュール18→加熱モジュール13→搬出用の受け渡しモジュールTRS1、TRS2の順にウエハWを搬送する。
- 公開日:2020/08/31
- 出典:基板処理装置及び基板処理方法
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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近年、光学デバイスの普及に伴い、透明材料について、その表面への 反射防止膜形成 による反射防止作用などの光学特性の付与等が要求されている。
- 公開日:2020/06/04
- 出典:感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び反射防止膜
- 出願人:信越化学工業株式会社
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半導体の露光(電子、イオン線露光を除く)
- 半導体の露光の共通事項
- 紫外線,光露光の種類
- 紫外線,光露光用光源
- 光学系
- ステージ,チャック機構,及びそれらの動作
- ウェハ,マスクの搬送
- 露光の制御,調整の対象,内容
- 検知機能
- 検知機能の取付場所
- 制御,調整に関する表示,情報
- 位置合わせマーク
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- 位置合わせマークの特殊用途
- 位置を合わせるべき2物体上のマーク
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- 検出用光学系
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- X線露光用マスク
- レジスト塗布以前のウェハの表面処理
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- ドライ現像
- レジスト膜の剥離
- 多層レジスト膜及びその処理
- 光の吸収膜,反射膜
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塗料、除去剤
- 無機系フィルム形成性成分
- 有機天然高分子又は有機天然化合物
- ジエン系重合体、天然ゴム又は不特定のゴム
- オレフィンの(共)重合体
- 不飽和芳香族化合物の(共)重合体
- ハロゲン化オレフィンの(共)重合体
- 不飽和アルコール、エーテル、アルデヒド、ケトン、アセタール又はケタールの(共)重合体
- 飽和カルボン酸と不飽和アルコールとのエステルの(共)重合体
- 不飽和(ポリ)カルボン酸又はその誘導体の(共)重合体
- 不飽和(ポリ)カルボン酸エステルのアルコール残基
- 不飽和カルボン酸エステルと共重合する単量体
- 複素環の(共)重合体
- B、P、Se、Te又は他の金属を含有する単量体の(共)重合体
- 環内に重合性炭素−炭素二重結合を有する炭素環又は複素環の(共)重合体
- 炭素三重結合含有化合物の(共)重合体
- グラフト(共)重合体
- ブロック(共)重合体
- 不特定の(共)重合体又はその他の(共)重合体
- フェノール、アミノ又はアセタール樹脂(*)
- エポキシ樹脂
- 主鎖に炭素−炭素連結基を生成する(共)重合体
- ポリエステル系
- ポリカーボネート系
- ポリエーテル系
- ポリウレタン、ポリ尿素
- ポリアミド
- 窒素含有連結基ポリマー
- 硫黄含有連結基ポリマー
- けい素含有連結基高分子
- りん、ほう素又は金属含有高分子
- 構造不明又はその他の重縮合系高分子
- 不特定の又は構造不明の高分子
- 組成物に配合する重合性単量体
- 組成物に存在する化合物の官能基
- 無機添加剤(又はフィルム形成性成分)
- C、H、O又はハロゲン以外の元素を含まない有機添加剤
- Nを含みC、H、O又はハロゲン以外の元素を含まない有機添加剤
- O又はN以外の元素を含む有機添加剤及びその他の添加剤
- 添加剤の特性又は処理
- 組成物の製造方法又は処理
- 高分子、組成物の形態又は特性
- 目的又は効果
- フィルム形成方法
- 用途
- 被塗装素材
- 化学的塗膜又はインキ除去剤