反射防止膜形成 の意味・用法を知る

微細で寸法精度に優れたリブパターンを形成でき、かつ残渣物をリブパターン上に残すことがないリブ加工用 反射防止膜形成 溶液溶剤、反射防止膜を有するリブ形成用積層体およびリブパターンの形成方法を提供すること。

• 公開日：2000/07/18
• 出典：リブ加工用反射防止膜形成溶液、それを塗布したリブ形成用積層体およびリブパターンの形成方法
• 出願人：東京応化工業株式会社

例えば第１のブロックＧ１には、図３に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像装置３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下、「下部反射防止膜」という）を形成する下部 反射防止膜形成 装置３１、ウェハＷにレジスト液を塗布して塗布膜としてのレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下、「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３が下から順に４段に重ねられている。

• 公開日：2014/02/20
• 出典：熱処理装置、熱処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

（４）半導体層領域形成工程と 反射防止膜形成 工程 次に、スルーホールの内壁面を覆うフォトレジストマスクを除去した後、ｎ型多結晶シリコン基板５１の受光面に、気相拡散法、塗布拡散法などを用いてｐ型不純物を拡散させることにより、ｐ型多結晶シリコン層５２を形成する。

• 公開日：2009/06/18
• 出典：太陽電池及び太陽電池の製造方法
• 出願人：三洋電機株式会社

そして、主面１ａを下に向けて半導体ウェハ１を回転させながら 反射防止膜形成 液２を主面１ａの全域に塗布して行く。

• 公開日：1998/04/10
• 出典：塗布方法および装置
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像処理装置３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部 反射防止膜形成 装置３１、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３が下からこの順に配置されている。

• 公開日：2019/08/29
• 出典：液処理装置
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

単位ブロックＥ１、Ｅ２は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴの代わりに 反射防止膜形成 モジュールを備え、単位ブロックＥ５、Ｅ６は、現像モジュールを備える。

• 公開日：2019/08/29
• 出典：洗浄具、基板洗浄装置及び基板洗浄方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

次いで、顕微鏡を用いて光学レンズの両面および角板の 反射防止膜形成 面側を観察した。

• 公開日：2019/08/29
• 出典：光学部材および光学機器
• 出願人：三井化学株式会社

より詳しくは、液処理ユニットＳＵａ、ＳＵｂ、ＳＵｅ、ＳＵｆは、基板Ｗに反射防止膜材料を塗布し、基板Ｗの表面に反射防止膜を形成する 反射防止膜形成 処理を行う。

• 公開日：2019/07/11
• 出典：基板処理装置
• 出願人：株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

単位ブロックＥ１、Ｅ２は、塗布モジュール２の代わりに、ウエハＷに 反射防止膜形成 用の薬液を供給する反射防止膜形成モジュールを備えている。

• 公開日：2019/06/20
• 出典：基板処理装置及び塗布モジュールのパラメータの調整方法並びに記憶媒体
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像処理装置３０、ウェハＷの処理膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部 反射防止膜形成 装置３１、ウェハＷにレジストを塗布して処理膜を形成する処理液塗布装置としてのレジスト塗布装置３２、ウェハＷの処理膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成層内３３が下からこの順に配置されている。

• 公開日：2019/04/11
• 出典：加熱処理装置及び加熱処理方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社