双方向性 の意味・用法を知る

ｐ型基板81と、前記ｐ型基板の中に形成されるＮＰＮ 双方向性 トランジスタ63を形成するように構成される、第１のｎ型ウェル領域94a、第２のｎ型ウェル領域94b、および第１のｐ型ウェル領域92と、前記ＮＰＮ双方向性トランジスタを包囲するｐ型タブと、前記ｐ型タブを包囲するｎ型タブと、前記ｎ型タブを包囲するｐ型エピタキシャル領域91と、を備え、前記第１のｎ型ウェル領域、前記ｐ型タブ、および前記ｎ型タブは、第１の寄生ＮＰＮバイポーラトランジスタを形成するように構成され、前記ｐ型エピタキシャル領域、前記ｎ型タブ、および前記ｐ型タブは、寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタ99を形成するように構成される。

• 公開日：2014/08/25
• 出典：送受信機信号絶縁および電圧固定法のための装置、および同装置を形成する方法
• 出願人：アナログデバイシーズインコーポレイテッド

特に、本発明は、装置の 双方向性 がブラジル・デジタル・テレビジョン（ＤＴＶ）標準規格（ＩＳＤＢ−Ｔｂ標準規格）を満たすか否かをテストするために、ブラジルＤＴＶ標準規格に関するテストを管理するための装置に関する。

• 公開日：2013/03/28
• 出典：ブラジル・デジタル・テレビジョン標準規格に準拠するために双方向性をテストするためのテスト管理装置および方法
• 出願人：ティーキューティーブイディーソフトウェアエルティーディーエー

高電圧ＰＩＮのＥＳＤ保護用の 双方向性 逆並列積層シリコン制御整流子（ＳＣＲ）デバイス、その製造方法、およびその設計構造体を提供する。

• 公開日：2013/12/19
• 出典：シリコン制御整流子（ＳＣＲ）デバイス、その製造方法およびその設計構造体
• 出願人：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイーシヨン

第１ 双方向性 多重化器と、第２双方向性多重化器と、第１双方向性多重化器と第２双方向性多重化器とを連結する光ファイバと、第１双方向性多重化器に連結され、第１発光波長帯域で動作する少なくとも１つの第１発光素子と、第２双方向性多重化器に連結され、第１受光波長帯域で動作する少なくとも１つの第１受光素子と、第２双方向性多重化器に連結され、第１発光波長帯域と異なる第２発光波長帯域で動作する少なくとも１つの第２発光素子と、第１双方向性多重化器に連結され、第２受光波長帯域で動作する少なくとも１つの第２受光素子と、を含み、第１発光波長帯域は、第１受光波長帯域に含まれ、第２発光波長帯域は、前記第２受光波長帯域に含ま...

• 公開日：2013/12/12
• 出典：光通信モジュール
• 出願人：オプティシスカンパニーリミテッド

音響管１０内に単一指向性マイクユニット２０および 双方向性 マイクユニット３０とを収納し、単一指向性マイクユニット２０から出力される主信号Ｍと双方向性マイクユニット３０から出力される方向信号Ｓとをマトリクス回路４０に入力して、（Ｍ＋Ｓ），（Ｍ−Ｓ）なるＬＲの各チャンネル信号を得るにあたって、双方向性マイクユニット３０を単一指向性マイクユニット２０よりも音響管１０の先端側に配置し、双方向性マイクユニット３０から出力される方向信号Ｓを各マイクユニット２０，３０の距離に応じて生ずる音の時間差分遅らせる遅延回路４１を通してマトリクス回路４０に入力する。

• 公開日：2002/12/26
• 出典：ステレオ狭指向性マイクロホン
• 出願人：株式会社オーディオテクニカ

...キャパシタにより形成される直流電圧回路（２）を有し、ここで、前記直流電圧回路（２）は、第一のプリンシパル接続（３）、第二のプリンシパル接続（４）、及び前記二つの隣接して且つ相互に接続されたキャパシタにより形成されるサブ接続（５）を有しており、また、当該システムは、第一、第二、第三及び第四の駆動可能な 双方向性 の電力半導体スイッチ（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）、及び第五及び第六の電力半導体スイッチ（Ｓ５，Ｓ６）を有しており、第一、第二、第三及び第四の電力半導体スイッチ（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）は直列に接続され、第一の電力半導体スイッチ（Ｓ１）は第一のプリンシパル接続（３）に接続され、第四の電力半導体ス...

• 公開日：2008/01/31
• 出典：三つの電圧レベルのスイッチングのためのコンバータ回路における漏電処理のための方法
• 出願人：アーベーベー・シュバイツ・アーゲー

複数のスイッチング電圧レベルのスイッチングのためのコンバータ回路であって、各相（Ｒ，Ｙ，Ｂ）に対してｎ個の第一スイッチング・グループ（1.1, ..., 1.n）を有していて、第ｎの第一スイッチング・グループ（1.n）は、第一の駆動可能な 双方向性 の電力半導体スイッチ（２）及び第二の駆動可能な双方向性の電力半導体スイッチ（３）により構成され、第一の第一スイッチング・グループ（１，１）から第（ｎ−１）の第一スイッチング・グループ（1.（n-1））までは、第一の駆動可能な双方向性の電力半導体スイッチ（２）、第二の駆動可能な双方向性の電力半導体スイッチ（３）、及び第一及び第二の駆動可能な双方向性の電力...

• 登録日：2010/07/02
• 出典：複数のスイッチング電圧レベルのスイッチングのためのコンバータ回路
• 出願人：アーベーベー・リサーチ・リミテッド

集積回路のコンポーネントまたはチップにおける 双方向性 パッドの接続性をテストするための技術を提供すること。

• 公開日：2000/04/21
• 出典：接続性テストシステム
• 出願人：ヒュ－レット・パッカ－ド・カンパニ－

降伏電圧波形がハードで降伏電圧値の製造バラツキおよび製品変動が小さい 双方向性 ダイオードを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。

• 公開日：2000/10/24
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング株式会社

双方向性 ＤＣ−ＤＣコンバータに関し、半導体スイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴを用いた双方向性ＤＣ−ＤＣコンバータに簡単な改変を施すことで、コンバータの高周波化を実現しようとする。

• 公開日：2002/07/12
• 出典：双方向性ＤＣ－ＤＣコンバータ
• 出願人：富士通テレコムネットワークス株式会社