原子 の意味・用法を知る

１２〜１７ 原子 ％のＲ（ＲはＹを含む希土類元素から選ばれる２種以上の元素で、かつＮｄ及びＰｒを必須とする）、０．１〜３原子％のＭ1（Ｍ1はＳｉ，Ａｌ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｈｇ，Ｐｂ及びＢｉから選ばれる２種以上の元素）、０．０５〜０．５原子％のＭ2（Ｍ2はＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ及びＷから選ばれる１種以上の元素）、（４．５＋２×ｍ〜５．９＋２×ｍ）原子％（ｍはＭ2で表される元素の含有率（原子％））のＢ、１０原子％以下のＣｏ、０．５原子％以下のＣ、１．５原子％以下のＯ、０．５原子％以下のＮ、及び残部のＦｅの組成を有し...

• 公開日：2017/12/28
• 出典：Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石及びその製造方法
• 出願人：信越化学工業株式会社

ポリエンの重合に有用な触媒組成物であって、第３族金属 原子 を含む化合物と、触媒活性剤と、ハロゲン原子を含む化合物と、モルホリン又はモルホリン環のＮ原子にＣ又はＳｉ原子を介して結合する官能基を含む置換化合物と、を含む、触媒組成物。

• 登録日：2020/06/29
• 出典：重合触媒組成物及びそれを用いる方法
• 出願人：株式会社ブリヂストン

Fe、Si、B、C及び不可避的不純物からなり、Fe、Si及びBの合計100 原子 ％あたり、80.0〜80.7原子％のFe、6.1〜7.99原子％のSi、及び11.5〜13.2原子％のBを含有し、さらに不可避的不純物を除いて、Fe、Si及びBの合計100原子％に対して0.2〜0.45原子％のCを含有する組成を有し、下記式（１）で定義する応力緩和度が92％以上であるFe-Si-B-C系アモルファス合金薄帯の屈曲積層体からなる変圧器用磁心であって、前記磁心は、2〜10 mmの曲率半径を有する屈曲角部を有し、前記磁心は、50 Hz及び1.3 Tにおける鉄損が0.20 W/kg未満であることを特徴とする変...

• 登録日：2020/05/28
• 出典：Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｃ系アモルファス合金薄帯及びそれからなる変圧器磁心
• 出願人：メットグラス、インコーポレイテッド

ＣとＮを含有するＺｒは、Ｃ 原子 とＮ原子の和に対するＮ原子の割合が４０％以上である。

• 公開日：2017/09/07
• 出典：発光体、フィラメント、フィラメントを用いた装置、および、白熱電球
• 出願人：スタンレー電気株式会社

（式（Ａ）及び（Ｂ）中、“Ｘは臭素７６ 原子 （７６Ｂｒ）、臭素７７原子（７７Ｂｒ）、ヨウ素１２４原子（１２４Ｉ）、又はヨウ素１２５原子（１２５Ｉ）を、Ｒ１は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を、Ｒ２は炭素数１〜３の２価の炭化水素基を、Ｒ３は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を、Ｒ４はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、又は炭素数１〜１０のアルコキシ基を表す。

• 公開日：2016/09/15
• 出典：ペプチド化合物及びペプチド化合物の製造方法
• 出願人：国立大学法人群馬大学

Ａｇ、Ａｇ合金、ＣｕおよびＣｕ合金から選択される一種からなる導電層と該導電層の少なくとも一方の面を覆う被覆層からなり、前記被覆層はＭｏを５〜５０ 原子 ％、該ＭｏとＣｕを合計で６０原子％以下含有し、残部がＮｉおよび不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜、および前記被覆層はＭｏを５〜５０原子％、該ＭｏとＣｕを合計で６０原子％以下含有し、残部がＮｉおよび不可避的不純物からなり、キュリー点が常温以下である被覆層形成用スパッタリングターゲット材で形成できる。

• 公開日：2016/10/06
• 出典：電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材
• 出願人：日立金属株式会社

式Ｉ２式中、Ｒ１１＊は、１５個までのＣ 原子 を有する、非置換のアルキルまたはアルケニルラジカル、ここで加えて、これらのラジカルにおける１個または２個以上のＣＨ２基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ（ＣＯ）−または−（ＣＯ）Ｏ−によって、Ｏ原子が互いに直接的に結合しないように置き換えられていてもよい、を示し、ｌおよびｋは、０〜５を示す、で表される少なくとも１種の化合物、式ＩＩ式中、Ｒ２１は、非置換の、ＣＮもしくはＣＦ３によって単置換された、またはハロゲンによって少なくとも単置換された、１５個までのＣ原子を有する、アルキルまたはアルケニルラジカル、ここで加えて、これらのラジカルにおける１個または２...

• 登録日：2020/05/19
• 出典：液晶媒体および電気光学液晶ディスプレイ
• 出願人：メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング

図７は、図６Ａ及び図６Ｂのピーク強度と 原子 位置のばらつきを説明するグラフである。

• 公開日：2017/12/07
• 出典：光励起材料薄膜、及び光励起材料薄膜の成膜方法
• 出願人：富士通株式会社

...Ｐｈｅ−であり、ＭＧ１２は、−Ｐｈｅ−Ｔｆｎ−、−Ｔｆｎ−Ｐｈｅ−、−Ｐｈｅ−Ｔｆｎ−Ｐｈｅ−、−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−または−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−であり、ただし、Ｔｆｎは、チオフェン−２，５−ジイルまたはフラン−２，５−ジイルから選択され、これら全ての基は無置換でも、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮまたは１〜７個のＣ 原子 を有するアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニルもしくはアルコキシカルボニル基で一置換、二置換、三置換または四置換されていることも可能であり、Ｐｈｅは、それぞれ互いに独立に１，４−フェニレンで、これは無置換でも、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮまたは１〜７個のＣ原子を有するアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル...

• 登録日：2020/05/11
• 出典：ビメソゲン化合物およびメソゲン媒体
• 出願人：メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング

...により単置換または多置換もまたされていてもよい、を示し、Ｌはそれぞれの場合において、互いに独立して、ＯＨ、（ＣＨ２）ｎ−ＯＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、−ＮＯ２、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、ＯＣＮ、ＳＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ０）２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ０、−Ｎ（Ｒ０）２、−（ＣＨ２）ｎ−Ｎ（Ｒ０）２、６〜２０個のＣ 原子 を有する任意に置換されているシリル、任意に置換されているアリールまたはシクロアルキル、または１〜２５個のＣ原子を有する直鎖または分枝のアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシまたはアルコキシカルボニルオキシ、ここにおいて、加えて、１つまたは２つ以上...

• 登録日：2020/05/11
• 出典：液晶媒体および液晶デバイス
• 出願人：メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング