原子 の意味・用法を知る

基板上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体層、ソース・ドレイン電極、および少なくとも１層の保護膜を有する薄膜トランジスタであって、前記酸化物半導体層を構成する金属元素がＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＳｎを含み、前記酸化物半導体層における全金属元素の合計（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）に対する各金属元素の割合が、Ｉｎ：２０〜４５ 原子 ％、Ｇａ：５〜２０原子％、Ｚｎ：３０〜６０原子％、およびＳｎ：９〜２５原子％である薄膜トランジスタ。

• 公開日：2017/09/07
• 出典：酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ
• 出願人：株式会社神戸製鋼所

式（１）の化合物。（式中、Ｍは、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、好ましくはＡｌまたはＬｉ、特に好ましくはＬｉ、であり；Ｘは、ＳまたはＯ、好ましくはＯ、であり；Ｒは、３〜４０個のＣ 原子 を有する、分枝もしくは環状の、アルキルもしくはアルコキシ基（これらは、それぞれのケースにおいて１以上のラジカルＲａで置換されていてもよい）（ここで１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲａＣ＝ＣＲａ、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒａ）２、Ｇｅ（Ｒａ）２、Ｓｎ（Ｒａ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲａ、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒａ）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲａ、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲａによって置換されていてもよく、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ...

• 公開日：2016/09/29
• 出典：金属錯体
• 出願人：メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング

前記透明導電酸化物膜中に含まれる全金属元素の 原子 割合が、Ｇａ；０．９原子％以上２６．１原子％以下、Ｙ；０．２原子％以上９．５原子％以下、Ｓｎ；０．１原子％以上４．７原子％以下、残Ｚｎとされていることを特徴とする請求項１に記載の積層透明導電膜。

• 公開日：2017/08/10
• 出典：積層透明導電膜、積層配線膜及び積層配線膜の製造方法
• 出願人：三菱マテリアル株式会社

...-O-Sp4-CH(Sp2-P2)(Sp3-P3) I式中、個々のラジカルは次の意味を有する：Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、互いに独立して、重合性基を示し、Ｓｐ１〜４は、互いに独立して、スペーサー基または単結合を示し、Ａ１、Ａ２は、互いに独立して、および各出現において同一であるかまたは異なって、４〜２５個のＣ 原子 を有する芳香族基、複素芳香族基、脂環式基または複素環基を示し、これは縮合環を含有してもよく、および任意にＬによって単置換もしくは多置換されており、Ｚ１は、各出現において同一であるかまたは異なって、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、...

• 公開日：2015/10/22
• 出典：重合性化合物および液晶ディスプレイにおけるその使用
• 出願人：メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング

式ＩＩＡ、ＩＩＢおよびＩＩＣの化合物から成る群より選択される１種類以上の化合物を追加的に含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶媒体。（式中、Ｒ２Ａ、Ｒ２ＢおよびＲ２Ｃは、それぞれ互いに独立に、Ｈ、無置換か、ＣＮまたはＣＦ３で一置換されている、またはハロゲンで少なくとも一置換されている１５個までのＣ 原子 を有するアルキルまたはアルケニル基を表し、ただし加えて、これらの基における１個以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が互いに直接連結しないようにして、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＯＣ−Ｏ−または−Ｏ−ＣＯ−で置き換えられていてもよく、Ｌ１〜４は、それぞれ互いに独立に、ＦまたはＣｌ...

• 公開日：2018/01/25
• 出典：液晶媒体
• 出願人：メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング

式Ｉの化合物。（式中、Ａｒは、以下の式から選択される基であり、該基は、少なくとも１個の基Ｌａで置換されており、１個以上の基Ｌで更に置換されていてもよく、Ｌａは、１〜１２個のＣ 原子 を有し直鎖状または分岐状でフッ素化されていてもよいアルコキシ基であり、Ｌは、それぞれの出現で同一または異なって、Ｆ、Ｃｌ、−ＣＮ、Ｐ−Ｓｐ−もしくは１〜２５個のＣ原子を有する直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル（ただし、１個以上の隣接していないＣＨ２基は、Ｏ−および／またはＳ−原子が互いに直接連結しないようにして、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−または−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−で置き換えられていてもよく、ただ...

• 公開日：2017/01/19
• 出典：重合性化合物および液晶ディスプレイにおけるそれらの使用
• 出願人：メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング

Ｆｅ１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ−ｆ−ｇ−ｈＣｕａＳｉｂＢｃＭｄＭ’ｅＸｆＡｌｇＴｉｈ（ 原子 ％）［Ｍは、Ｎｂ等からなる群より選択される少なくとも１種の元素であり、Ｍ’は、Ｖ等からなる群より選択される少なくとも１種の元素であり、Ｘは、Ｃ等からなる群より選択される少なくとも１種の元素であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇおよびｈは、０．１≦ａ≦３、０＜ｂ≦３０、０＜ｃ≦２５、５≦ｂ＋ｃ≦３０、０．１≦ｄ≦３０、０≦ｅ≦１０、０≦ｆ≦１０、０．００２≦ｇ≦０．０３２および０≦ｈ≦０．０３８を満たす数である。］で表される組成を有し、粒径１〜３０ｎｍの結晶組織を４０体積％以上含有する軟磁性粉末。

• 公開日：2018/04/05
• 出典：軟磁性粉末、圧粉磁心、磁性素子および電子機器
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

このSm-Fe-N系磁石は、さらにSiを0.1〜0.5 原子 ％、及び／又はAlを0.1〜0.5原子％含有すれば、熱減磁が一層抑制される。

• 公開日：2018/03/22
• 出典：Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ系磁石材料及びＳｍ－Ｆｅ－Ｎ系ボンド磁石
• 出願人：大同特殊鋼株式会社

...数を示し、ｍは、（４−ｎ）を示し、は、４個の結合部位を有する有機基を示し、Ｚ１１およびＺ１２は、互いに独立して、−Ｏ−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＮＲ１４）−または単結合を示すが、両方が同時に−Ｏ−を示さず、ｒおよびｓは、互いに独立して、０または１を示し、Ｙ１１〜Ｙ１４は、各々互いに独立して、１〜４個のＣ 原子 を有するアルキルを示し、あるいは代替的に、互いに独立して、２個の対である（Ｙ１１およびＹ１２）および（Ｙ１３およびＹ１４）は、３〜６個のＣ原子を有する２価の基を一緒に形成する結合により連結していてもよく、Ｒ１１は、Ｏ−Ｒ１３、Ｏ・またはＯＨ、好ましくは、Ｏ−Ｒ１３またはＯ・、特に好ましくは、Ｏ・...

• 公開日：2018/03/08
• 出典：化合物および液晶媒体
• 出願人：メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング

電気永久磁石を使用する 原子 センサーに関する低電力磁場発生のためのシステムおよび方法を提供すること。

• 公開日：2017/02/23
• 出典：電気永久磁石を使用する原子センサーに関する低電力磁場発生のためのシステムおよび方法
• 出願人：アライドコ−ポレ−シヨン