半導体素子 の意味・用法を知る
半導体素子 とは、半導体または固体装置のマウント やボンディング などの分野において活用されるキーワードであり、パナソニック株式会社 や京セラ株式会社 などが関連する技術を174,563件開発しています。
このページでは、 半導体素子 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
半導体素子の意味・用法
-
課題は、製造されるべき 半導体素子 の大きさに実質的に関連せずに、容易かつ確実に実行可能な方法を提供する
- 公開日:2018/03/29
- 出典:複数のオプトエレクトロニクス半導体素子を製造する方法およびオプトエレクトロニクス半導体素子
- 出願人:オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
-
過電流の検出時に 半導体素子 に流れる電流を確実に遮断しつつ、低コスト化や小型化を図ることができるとともに、過電流の検出から半導体素子に流れる電流の遮断開始までの動作を素早く行うことができる半導体駆動装置を提供すること。
- 公開日:2018/03/15
- 出典:半導体駆動装置
- 出願人:日本特殊陶業株式会社
-
半導体素子 31と、主面11を有するとともに、主面11から窪み、かつ半導体素子31を収容する凹部14が形成された基板1と、基板1に接して形成され、かつ半導体素子31に導通する配線部20と、凹部14に充填された封止樹脂4と、を備え、基板1は、電気絶縁性を有する合成樹脂から構成され、凹部14は、底面141と、底面141および主面11につながる連絡面142と、を有し、連絡面142は、一端が底面141につながり、かつ底面141に対して傾斜した第1傾斜面142aと、一端が主面11につながり、かつ主面11に対して傾斜した第2傾斜面142bと、第1傾斜面142aの他端および第2傾斜面142bの他端につなが...
- 公開日:2018/03/22
- 出典:半導体装置およびその製造方法
- 出願人:ローム株式会社
-
半導体素子 の詳細な状態を監視することが可能な半導体素子の状態監視装置を提供する。
- 公開日:2018/02/22
- 出典:半導体素子の状態監視装置
- 出願人:富士電機株式会社
-
第1の封止層3は、配線基板1上に、 半導体素子 2が固定されている領域を含む第1の領域を全て覆うように第1の樹脂によって配線基板上に形成されている。
- 公開日:2017/09/21
- 出典:半導体装置およびその製造方法
- 出願人:日本電気株式会社
-
半導体素子 への通電に際して半導体素子と絶縁基板との間に生じる熱応力の影響を十分に低減できる絶縁基板を得る。
- 公開日:2017/07/06
- 出典:絶縁基板
- 出願人:アイシン精機株式会社
-
半導体素子 (14)と電気的に接続する電極部(11b)となる金属部(11)を有し、前記金属部(11)上への前記半導体素子(14)の搭載、前記半導体素子(14)と前記金属部(11)との電気的接続、封止材(19)による封止がなされる半導体装置であって、前記封止材(19)の裏面から前記金属部(11)の裏面が露出されており、前記金属部(11)の裏面には前記封止材(19)の裏面より突出形成された突出部(11d)が設けられ、前記突出部(11d)を除く前記金属部(11)の裏面と前記封止材(19)の裏面とが略同一平面となっていることを特徴とする半導体装置。
- 公開日:2017/06/01
- 出典:半導体装置用基板とその製造方法、および半導体装置
- 出願人:日立マクセル株式会社
-
電源装置1は、主回路基板20と、主回路基板20に搭載される巻線部品であるメイントランス30及び共振インダクタ40と、主回路基板20に搭載された複数の 半導体素子 であるスイッチング素子51〜58及び整流素子61〜66と、主回路基板20を収容する筐体10と、筐体10の底面であるベースプレート11を冷却する冷媒を流通させる冷媒流路を有する第1の冷却手段としての放熱用のフィン13と、を備え、冷媒流路の方向に見たときに、上記の半導体素子は、巻線部品を挟んで配置される。
- 公開日:2017/03/16
- 出典:電源装置
- 出願人:TDK株式会社
-
さらに、この貫通電極基板を利用した半導体パッケージとして、シリコンベースと、このシリコンベースに設けた通孔に挿通した高密度電導体からなる貫通リードと、この貫通リードとシリコンベースとを気密に封着した封止ガラスとを備え、さらにシリコンベースに固着した 半導体素子 と、この半導体素子と貫通リードとを導通する配線手段と、半導体素子の周辺を気密に覆ってシリコンベースと固着したガラス蓋体とを設けた。
- 公開日:2016/12/08
- 出典:貫通電極基板および半導体パッケージ
- 出願人:ショット日本株式会社
-
(1) 半導体素子 に設けられた接続用銅バンプ電極と、回路基板に設けられた接続用電極との少なくとも一方にはんだ層を設ける工程、(2)(A)エポキシ樹脂、(B)芳香族アミン硬化剤、(C)無機充填剤、(D)シランカップリング剤および(E)フラックス剤を含む先供給型アンダーフィル用樹脂組成物を回路基板上へ供給する工程、(3)半導体素子と回路基板を熱圧着し、接続用銅バンプ電極と接続用電極とを、はんだ融点温度以上の温度で1秒以上加熱された後で樹脂組成物の特定範囲の反応率のときに、はんだ接続する工程、および(4)特定の加圧下で、樹脂組成物を硬化させる工程を含む、フリップチップ実装体の製造方法である。
- 公開日:2017/12/28
- 出典:フリップチップ実装体の製造方法、フリップチップ実装体、および先供給型アンダーフィル用樹脂組成物
- 出願人:ナミックス株式会社
半導体素子の原理 に関わる言及
半導体素子の問題点 に関わる言及
-
このような封止後 半導体素子 搭載ウエハ及び封止後半導体素子形成ウエハであれば、ウエハの反りが生じたり、半導体素子が剥離したりすることが抑制された封止後半導体素子搭載ウエハ及び封止後半導体素子形成ウエハとなる。
- 公開日: 2013/08/19
- 出典: 封止材積層複合体、封止後半導体素子搭載ウエハ、封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
- 出願人: 信越化学工業株式会社
-
低粘度で充填性が良く、硬化性が良好で、硬化して、屈折率が大きく、光透過率が高く、基材に対する密着性が高く、耐クラック性に優れ、ガス透過性が低い硬化物を形成する付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により 半導体素子 が被覆されている、信頼性が優れる半導体装置を提供する。
- 公開日: 2012/04/26
- 出典: 付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により半導体素子が被覆された半導体装置
- 出願人: 信越化学工業株式会社
-
半導体素子 の検査では、検査装置が検査信号をウエハ状態にある半導体素子へ送信し、該検査信号に対して半導体素子が返信した応答信号に基づいて検査装置が合否を判定する。
- 公開日: 2011/11/17
- 出典: 半導体検査装置および半導体検査方法
- 出願人: 日本電気株式会社
-
よって、スタック構造に製造される従来の 半導体素子 はBPSG膜の初期の不充分なフローに基づき連結配線と金属電極の間のショートが引き起こされるため、信頼性及び製造収率の側面で好ましくないという問題があった。
- 公開日: 2001/08/24
- 出典: 平坦化膜の流動に基づく下部配線と上部配線の間の電気的ショートを防止するための半導体素子の製造方法
- 出願人: 現代電子産業株式会社
半導体素子の特徴 に関わる言及
-
ITO電極の抵抗をさらに低くすることのできるITO電極の形成方法、及びこれにより形成された 半導体素子 のITO電極、並びにこのITO電極を備えた半導体素子を提供する。
- 公開日: 2011/02/17
- 出典: ITO電極の形成方法、半導体素子のITO電極及びITO電極を備えた半導体素子
- 出願人: 豊田合成株式会社
-
従来、 半導体素子 の接続端子とその搭載用基板の接続端子とを接続する際に異方性導電接続材料を用いて異方性導電接続することが行われている。このような異方性導電接続においては、微細な導電性粒子を絶縁性接着剤中に分散したフィルム状又はペースト状の異方性導電接続材料を、接続すべき材料の間に挟み込み、加熱加圧することにより導電を確保するとともに両者を接着する。
- 公開日: 2008/11/06
- 出典: 導電性粒子体及びこれを用いた異方性導電接続材料、並びに導電性粒子体の製造方法
- 出願人: デクセリアルズ株式会社
-
半導体素子 の接続端子とその搭載用基板の接続端子とを異方性導電接続することが行われている。このような異方性導電接続においては、微細な導電性粒子を絶縁性接着剤中に分散したフィルム状もしくはペースト状の異方性導電接続材料を、接続すべき材料の間に挟み込み、加熱加圧することにより導通を取りながら両者を接着する。
- 公開日: 2001/07/19
- 出典: 異方性導電接続用導電性粒子及び異方性導電接続材料
- 出願人: デクセリアルズ株式会社
-
上記の構成によれば、上記 半導体素子 搭載用配線基板が、上記半導体素子搭載面側に屈曲されていることで、上記半導体素子搭載用配線基板における上記半導体素子搭載面とは反対面に上記半導体素子搭載用配線基板を屈曲させる場合と比較して、全高の低い半導体素子を得ることができる。
- 公開日: 2003/11/14
- 出典: 半導体装置およびその製造方法並びに半導体素子搭載用配線基板
- 出願人: シャープ株式会社
-
半導体素子 を利用した記憶装置は、電力の供給がなくなると記憶内容が失われる揮発性記憶装置と、電力の供給がなくなっても記憶内容は保持される不揮発性記憶装置とに大別される。
- 公開日: 2011/06/23
- 出典: 半導体装置
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所
半導体素子の使用状況 に関わる言及
-
エッチング装置は、プラズマエッチング装置などの乾式エッチング装置と、湿式エッチング装置とに大別できるが、 半導体素子 の集積度が高くなるにつれて異方性エッチングが可能な乾式エッチング装置が主として用いられている。
- 公開日: 2002/11/29
- 出典: 半導体素子の製造装置
- 出願人: 三星電子株式會社
-
このように、 半導体素子 の小型化及び微細化に伴って、より高い洗浄度を保つことの要請に応えるべく、パージ装置を備えるロードポート装置が広く普及してきているものの、パージ装置を備えない従来型のロードポート装置も依然として利用されている。
- 公開日: 2009/09/17
- 出典: パージ制御装置及びそれを備えるロードボート装置
- 出願人: TDK株式会社
-
エピウエハを形成した場合に要求される反り以下になり、かつコストを低減できるGaN基板の製造方法、エピウエハの製造方法、 半導体素子 の製造方法およびエピウエハを提供する。
- 公開日: 2009/05/14
- 出典: GaN基板の製造方法、エピウエハの製造方法、半導体素子の製造方法およびエピウエハ
- 出願人: 住友電気工業株式会社
-
このような構成では、実現される抵抗値は組み合わせるべき 半導体素子 の選択によって決定されることから、抵抗値の実現においてアナログ的要素を含まない。このため、ノイズの影響を受けることが無く、精度良く終端抵抗の抵抗値の調整を行ない得る。
- 公開日: 2006/03/09
- 出典: 抵抗値補償方法、抵抗値補償機能を有する回路、回路の抵抗値試験方法,抵抗値補償プログラム及び回路の抵抗値試験プログラム
- 出願人: 富士通株式会社
-
したがって、電界放出表示装置の設計者および製造者は、平坦な電界放出表示装置に用いるために、 半導体素子 に組み込むことができる平坦な電界放出材料の必要性を認識している。
- 公開日: 2003/02/14
- 出典: 小型電界放出器の先端部を製造するための方法
- 出願人: ヒュ-レット・パッカ-ド・カンパニ-
注目されているキーワード
関連する分野分野動向を把握したい方
( 分野番号表示 ON )※整理標準化データをもとに当社作成