半導体層 の意味・用法を知る
半導体層 とは、薄膜トランジスタ や半導体の電極 などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社東芝 や株式会社半導体エネルギー研究所 などが関連する技術を102,322件開発しています。
このページでは、 半導体層 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
半導体層の意味・用法
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半導体層 5′のパターンを示す正面図である。
- 公開日:2017/12/14
- 出典:光電変換素子
- 出願人:日本精工株式会社
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本発明の半導体基板の製造方法は、半導体材料を含む種基板(1)を準備する工程と、種基板(1)にイオン注入を行うことにより、種基板(1)の主面の表面から一定深さに、イオン注入層(2)を形成する工程と、種基板(1)の主面上に気相合成法により、 半導体層 (3)を成長させる工程と、半導体層(3)および種基板(1)の少なくともいずれかの主面の表面から光(4)を照射することにより、半導体層(3)および種基板の一部(1a)を含む半導体基板(5)を分離する工程とを含む。
- 公開日:2017/11/30
- 出典:半導体基板の製造方法及び複合半導体基板の製造方法
- 出願人:住友電気工業株式会社
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半導体DBR層からなる第1反射鏡11と、第1反射鏡上に形成され、少なくとも1の 半導体層 からなる第1半導体層12Aと、第1半導体層上に形成された活性層12Bと、活性層上に形成され、第1半導体層と反対の導電型を有する少なくとも1の半導体層からなる第2半導体層12Cと、第2半導体層上に形成された透光性電極15と、透光性電極上に第1反射鏡に対向して配された第2反射鏡13と、を有し、第1反射鏡、第1半導体層及び第2半導体層のうち少なくとも1は、隣接する上層及び下層の半導体層の側壁よりも内側に窪んだAlを含む半導体層を有する。
- 公開日:2017/06/29
- 出典:垂直共振器型発光素子
- 出願人:スタンレー電気株式会社
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結晶シリコン基板と、半導体領域とを含む太陽電池セルであって、半導体領域が、結晶シリコン基板の第1主面上にあり、且つ、分離溝によって2つの領域に隔てられて電気的に絶縁されており、半導体領域が、 半導体層 と、電極層とを含み、第1主面から半導体領域への方向を上方とする場合に、電極層は半導体層の上面側にある太陽電池セルにおいて、分離溝を挟んで対向する一方の半導体領域の電極層と、他方の半導体領域の電極層との最短距離Wtを、一方の半導体領域の半導体層と、他方の半導体領域の半導体層との最短距離Wnの1.2倍以上10倍以下とする。
- 公開日:2018/03/29
- 出典:太陽電池セル、及び太陽電池セルの製造方法
- 出願人:株式会社カネカ
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表示装置は、アレイに配列された複数の画素構造が定められたアレイ基板100を含み、画素構造の各々は、基板100の上方に配置された 半導体層 102と、基板100の上方に配置された第1の金属層106と、半導体層102の上方に配置される第1の絶縁層108と、半導体層102の上面と第1の絶縁層108の側壁面を露出させる第1の開口110と、第1の絶縁層108の上方に配置され、且つ第1の開口110を介して半導体層102の上面と第1の絶縁層108の側壁面の上方に形成された金属パッド112aと、金属パッド112aと第1の絶縁層108の上方に配置され、第1の絶縁層108の側壁面の上方の金属パッド112aを露出させる...
- 公開日:2016/07/25
- 出典:表示装置
- 出願人:ティーピーオーディスプレイズコーポレイション
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炭化ケイ素を含む 半導体層 の接合終端拡張(JTE)構造を製造する方法を提供する。
- 公開日:2015/01/22
- 出典:半導体デバイスおよび製造方法
- 出願人:ジエネラル・エレクトリツク・カンパニー
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SiGeフォトダイオード100は、p型領域104、i型領域105、及びn型領域106が基板101面と平行に配置されてなるpin構造を有する第1 半導体層 102と、第1半導体層102のpin構造上に形成されたi型のSiGe層よりなる第2半導体層103と、を備え、i型領域105の幅wが第2半導体層103の厚さtよりも小さい。
- 公開日:2017/10/05
- 出典:SiGeフォトダイオード
- 出願人:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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光デバイスの一態様は、Geを含んだ 半導体層 であって、(001)面と、(001)面と(110)面の間のファセット面とを有する半導体層と、前記半導体層の前記(001)面と前記ファセット面上に形成されたSiからなるキャップ層と、を備え、前記(001)面における前記キャップ層の膜厚に対する前記ファセット面における前記キャップ層の膜厚の比が0.4以上であり、前記(001)面における前記キャップ層の膜厚が9nm以上30nm以下である。
- 公開日:2017/02/09
- 出典:光デバイス
- 出願人:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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絶縁性基材と、前記絶縁性基材の第1表面に設けられた、(a)第一の電極と第二の電極からなる一対の電極と、(b)前記一対の電極間に設けられた 半導体層 とを備える整流素子であって、前記(b)半導体層が、カーボンナノチューブ表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含む整流素子。
- 公開日:2018/02/22
- 出典:整流素子、その製造方法および無線通信装置
- 出願人:東レ株式会社
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複数の光電変換素子を含む画素領域を有する光電変換装置であって、第1面および第1面とは反対側の第2面を有し、第1面と第2面との間に複数の光電変換素子が配された 半導体層 を備え、第1面と第2面との間にて第2面に沿った仮想的な平面を第3面として、画素領域は、第3面よりも第1面の側に配された絶縁体によって構成された素子分離部と、第3面を通るように半導体層に設けられた溝によって構成された第1分離部および第2分離部を含み、第1分離部は第3面に対する法線方向において素子分離部に重なり、第2分離部の第1面の側の端は、第1分離部の第1面の側の端よりも第2面の側に位置している。
- 公開日:2017/11/02
- 出典:光電変換装置およびカメラ
- 出願人:キヤノン株式会社
半導体層の問題点 に関わる言及
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なお、これまで説明した本実施の形態の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造はあくまでも一例であり、窒化ガリウム系化合物 半導体層 が、n型窒化ガリウム系化合物半導体層、発光層、p型窒化ガリウム系化合物半導体層から構成したものであれば、他の構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子にも適用可能であることは言うまでもない。
- 公開日: 2005/06/30
- 出典: 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法
- 出願人: 東京電波株式会社
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上述の実施の形態の説明においては、厚みを測定すべき層として絶縁層の例を選択した。しかしながら、同じ技法が、 半導体層 などの少なくとも何らかの誘電特性を有する他の種類の層の厚みの測定においても有用である。
- 公開日: 2013/06/27
- 出典: 層の厚みの測定
- 出願人: フレックスエネーブルリミティッド
半導体層の特徴 に関わる言及
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また、上記 半導体層 は、発光層がなく有機キャリア輸送層を含むものであってもよい。上記構成の場合、当該有機キャリア輸送層に、上述の正孔輸送性発光層や、電子輸送性発光層を用いることができる。この場合、正孔輸送性発光層の電子輸送層との界面付近が、また、電子輸送性発光層の正孔輸送層との界面付近が、それぞれ、発光層として機能する。
- 公開日: 2008/03/27
- 出典: 有機半導体材料およびこれを用いた有機半導体デバイス並びに有機半導体デバイスの製造方法
- 出願人: 国立大学法人広島大学
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上記拡散抑止層が形成された構成において、拡散抑止層を、活性層と半絶縁性 半導体層 との間に配置するとともに、活性層および半絶縁性半導体層のそれぞれに接触するように形成することができる。
- 公開日: 2008/09/11
- 出典: 半導体発光素子および半導体発光素子アレイ
- 出願人: 三洋電機株式会社
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n側 半導体層 は、クラッド層を有しており、更にこのクラッド層と後述する活性層との間に、光ガイド層やクラック防止層を有する構成であってよい。p側半導体層は、クラッド層とコンタクト層を有しており、後述する活性層とクラッド層との間に、キャップ層や光ガイド層を有する構成であってもよい。
- 公開日: 2010/11/18
- 出典: 半導体素子の製造方法
- 出願人: 日亜化学工業株式会社
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上記 半導体層 は、SiGe層又はSiGeC層であり、上記バッファ層は、シリコン層であり、上記多結晶半導体層は、少なくともSiGeを含むことにより、抵抗の小さい多結晶SiGe含む多結晶半導体層が得られる。
- 公開日: 2003/10/17
- 出典: 半導体装置の製造方法
- 出願人: パナソニック株式会社
半導体層の使用状況 に関わる言及
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近年、光電変換装置の需要は増加傾向にあり、光電変換装置の光電変換効率のさらなる向上が望まれている。光電変換装置の光電変換効率を高めるためには、 半導体層 の結晶化を促進することが有効である。
- 公開日: 2013/09/26
- 出典: 半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法
- 出願人: 京セラ株式会社
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近年、光電変換装置の需要は増加傾向にあり、光電変換装置のさらなる光電変換効率の向上が望まれている。光電変換装置の光電変換効率を高めるためには、 半導体層 の結晶化を促進することが有効である。
- 公開日: 2013/10/31
- 出典: 半導体層形成用粒子、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法
- 出願人: 京セラ株式会社
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この結果、評価対象となる 半導体層 のバルク部リーク抵抗RJB及び表面リーク抵抗RJSが該半導体層の半径rから求められることとなり、これにより、バルク部リーク抵抗RJBと表面リーク抵抗RJSとの比を導出でき、半導体層のリーク抵抗を評価することができる。
- 公開日: 1995/03/31
- 出典: 半導体層の評価方法
- 出願人: 三菱電機株式会社
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n型窒化物 半導体層 のAl組成比は介在層のAl組成比よりも高いことが好ましく、n型窒化物半導体層のIn組成比は介在層のIn組成比よりも低いことが好ましい。n型窒化物半導体層の絶対屈折率値は、介在層の絶対屈折率値よりも小さいことが好ましい。
- 公開日: 2013/04/04
- 出典: 光電変換素子
- 出願人: シャープ株式会社
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半導体レーザ
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- 製造方法2
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- モジュール・パッケージのタイプ(典型的なタイプを抽出)
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- 用途(駆動)
- 駆動において特徴となる目的
- 安定化制御(主に検知・帰還制御)
- 駆動制御
- 異常対策
- 回路構成に特徴があるもの
- 被試験・被検査形状
- 試験・検査する項目
- 試験・検査において特徴と認められる点
- 試験・検査の内容