半導体層 の意味・用法を知る

なお、これまで説明した本実施の形態の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造はあくまでも一例であり、窒化ガリウム系化合物 半導体層 が、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層、発光層、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層から構成したものであれば、他の構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子にも適用可能であることは言うまでもない。

• 公開日： 2005/06/30
• 出典： 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法
• 出願人： 東京電波株式会社

また、上記 半導体層 は、発光層がなく有機キャリア輸送層を含むものであってもよい。上記構成の場合、当該有機キャリア輸送層に、上述の正孔輸送性発光層や、電子輸送性発光層を用いることができる。この場合、正孔輸送性発光層の電子輸送層との界面付近が、また、電子輸送性発光層の正孔輸送層との界面付近が、それぞれ、発光層として機能する。

• 公開日： 2008/03/27
• 出典： 有機半導体材料およびこれを用いた有機半導体デバイス並びに有機半導体デバイスの製造方法
• 出願人： 国立大学法人広島大学

上記拡散抑止層が形成された構成において、拡散抑止層を、活性層と半絶縁性 半導体層 との間に配置するとともに、活性層および半絶縁性半導体層のそれぞれに接触するように形成することができる。

• 公開日： 2008/09/11
• 出典： 半導体発光素子および半導体発光素子アレイ
• 出願人： 三洋電機株式会社

ｎ側 半導体層 は、クラッド層を有しており、更にこのクラッド層と後述する活性層との間に、光ガイド層やクラック防止層を有する構成であってよい。ｐ側半導体層は、クラッド層とコンタクト層を有しており、後述する活性層とクラッド層との間に、キャップ層や光ガイド層を有する構成であってもよい。

• 公開日： 2010/11/18
• 出典： 半導体素子の製造方法
• 出願人： 日亜化学工業株式会社

上記 半導体層 は、ＳｉＧｅ層又はＳｉＧｅＣ層であり、上記バッファ層は、シリコン層であり、上記多結晶半導体層は、少なくともＳｉＧｅを含むことにより、抵抗の小さい多結晶ＳｉＧｅ含む多結晶半導体層が得られる。

• 公開日： 2003/10/17
• 出典： 半導体装置の製造方法
• 出願人： パナソニック株式会社

近年、光電変換装置の需要は増加傾向にあり、光電変換装置の光電変換効率のさらなる向上が望まれている。光電変換装置の光電変換効率を高めるためには、 半導体層 の結晶化を促進することが有効である。

• 公開日： 2013/09/26
• 出典： 半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法
• 出願人： 京セラ株式会社

近年、光電変換装置の需要は増加傾向にあり、光電変換装置のさらなる光電変換効率の向上が望まれている。光電変換装置の光電変換効率を高めるためには、 半導体層 の結晶化を促進することが有効である。

• 公開日： 2013/10/31
• 出典： 半導体層形成用粒子、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法
• 出願人： 京セラ株式会社

この結果、評価対象となる 半導体層 のバルク部リーク抵抗ＲJB及び表面リーク抵抗ＲJSが該半導体層の半径ｒから求められることとなり、これにより、バルク部リーク抵抗ＲJBと表面リーク抵抗ＲJSとの比を導出でき、半導体層のリーク抵抗を評価することができる。

• 公開日： 1995/03/31
• 出典： 半導体層の評価方法
• 出願人： 三菱電機株式会社

ｎ型窒化物 半導体層 のＡｌ組成比は介在層のＡｌ組成比よりも高いことが好ましく、ｎ型窒化物半導体層のＩｎ組成比は介在層のＩｎ組成比よりも低いことが好ましい。ｎ型窒化物半導体層の絶対屈折率値は、介在層の絶対屈折率値よりも小さいことが好ましい。

• 公開日： 2013/04/04
• 出典： 光電変換素子
• 出願人： シャープ株式会社