半導体基板 の意味・用法を知る

本実施形態に係る研磨方法は、上述の研磨剤を使用することの他は、従来公知の研磨方法と同様にして実施できる。例えば、研磨定盤上の研磨布と被研磨膜とが当接するにように、 半導体基板 を研磨布に押し当て、上述の研磨剤を被研磨膜と研磨布との間に供給しながら、研磨定盤を回転させて表面を研磨する。

• 公開日： 2009/11/19
• 出典： 研磨剤、これを用いた基板の研磨方法並びにこの研磨方法に用いる溶液及びスラリー
• 出願人： 日立化成株式会社

この工程においては、研磨粒子を含む研磨工具に液体が供給され、研磨工具の表面の状態を整えるコンディショナが研磨工具に含まれている研磨粒子を遊離させる。そして 半導体基板 と研磨工具との間で研磨工具から遊離した遊離研磨粒子を圧しつつ半導体基板と研磨工具とを摩擦することによって遊離研磨粒子が半導体基板の研磨を行う。

• 公開日： 2002/09/06
• 出典： 半導体基板の研磨方法および半導体基板の研磨装置
• 出願人： 株式会社東芝

そこで、従来の回転塗布方法には、 半導体基板 を低回転数で回転させながら塗布液を滴下した後、塗布液の膜厚を決定する回転数で基板を回転して塗布膜を形成するものがある。

• 公開日： 2009/09/17
• 出典： 回転塗布方法、および回転塗布装置
• 出願人： 株式会社東芝

搬送容器内において 半導体基板 が異常な収納状態となっているか否かを、簡素な構成で判別することができる基板収納状態検査装置、及び、その基板収納状態検査装置を備えた基板収納設備を提供する。

• 公開日： 2013/11/21
• 出典： 基板収納設備
• 出願人： 株式会社ダイフク

半導体基板 の研磨に伴う発熱による温度上昇によっても、研磨特性を安定に維持し得る半導体基板研磨液組成物用添加剤、及び該添加剤を含有する半導体基板研磨液組成物を提供すること。

• 公開日： 2006/10/19
• 出典： 半導体基板研磨液組成物用添加剤
• 出願人： 花王株式会社

このようにＣＭＰ法においてイオン性界面活性剤を含有する研磨剤を用いて被研磨膜を研磨した場合には、 半導体基板 の被研磨膜の表面にイオン性界面活性剤が付着することによって、半導体基板の被研磨膜を精度良く研磨することができる。

• 公開日： 2005/09/15
• 出典： 研磨方法及びこの研磨方法を用いた半導体装置の製造方法
• 出願人： ソニー株式会社

研磨クズは 半導体基板 からも発生する。研磨剤ならし板を設けると、半導体基板を研磨することで発生した研磨クズが、研磨定盤と研磨面の間に入り込む現象を抑制することができる。

• 公開日： 2008/08/21
• 出典： 半導体装置の研磨治具
• 出願人： トヨタ自動車株式会社

半導体基板 に於ける素子分離部が狭い領域と素子分離部が広い領域とでの、素子分離の膜厚の差に起因した特性のばらつきの発生を抑制または無くすことが可能な素子分離の製造方法を得ること。

• 公開日： 2007/02/01
• 出典： 素子分離の製造方法および半導体装置の製造方法
• 出願人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

ハイドライド気相成長法によるIII族窒化物系化合物半導体のエピタキシャル成長は、窒化ガリウムがその制御が容易な点で有利である。これにより、高品質の厚膜のIII族窒化物系化合物 半導体基板 を得ることができる。

• 公開日： 2005/03/10
• 出典： ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法
• 出願人： 豊田合成株式会社

また、発熱抵抗体が上述のように 半導体基板 の凹部に形成されていることで、熱伝導式ガス検出用発熱抵抗体及び接触燃焼式ガス検出用発熱抵抗体の通電制御を容易に行うことができる。

• 公開日： 2005/06/16
• 出典： 可燃性ガス検出装置
• 出願人： 日本特殊陶業株式会社

また、 半導体基板 と、光吸収層と、基板の屈折率よりも大きく光吸収層の屈折率よりも小さい屈折率を有する中間屈折率層とを備え、中間屈折率層が光吸収層より基板に近い側にのみ形成されていることが望ましい。

• 公開日： 1998/09/25
• 出典： 導波路型半導体受光素子
• 出願人： 日本電気株式会社

Ｎ型基板分離拡散層４は、第１のＰ型ウエル拡散層５ａ、第２のＰ型ウエル拡散層５ｂおよびＮ型ウエル拡散層７ｂをＰ型 半導体基板 １から分離するものであり、このＮ型基板分離拡散層４に対してＮ型分離拡散層７ａが接合される。

• 公開日： 2008/05/22
• 出典： 半導体装置
• 出願人： パナソニック株式会社

従来、 半導体基板 に形成したｐｎ接合部を光電変換層とする光電変換素子や、その光電変換素子を複数備えた光電変換素子モジュールが知られている。以下に、従来の光電変換素子および光電変換素子モジュールの一例を簡単に説明する。

• 公開日： 2010/06/17
• 出典： 光電変換素子、光電変換素子モジュールおよび光電変換素子の製造方法
• 出願人： シャープ株式会社

また、多層部２２は、多層部２１と同一の構成であり、活性層４側から 半導体基板 ５へ向かって、高屈折率層３１ａ、低屈折率層３２ａ、高屈折率層３１ｂ、低屈折率層３２ｂ、高屈折率層３１ｃ、低屈折率層３２ｃの順番に形成されている。

• 公開日： 2008/10/02
• 出典： 半導体発光素子
• 出願人： アンリツ株式会社

半導体基板 の再生に適した方法、半導体基板の再生に適した方法を用いた再生半導体基板の作製方法、及び当該再生半導体基板を用いたＳＯＩ基板の作製方法の提供を目的とする。

• 公開日： 2011/11/10
• 出典： 半導体基板の再生方法、再生半導体基板の作製方法
• 出願人： 株式会社半導体エネルギー研究所

また、ダミー被研磨材の被研磨面は 半導体基板 の被研磨膜と同質の材料により形成されているため、ダミー被研磨材の被研磨面が研磨されることにより発生する物質が被研磨膜に与える悪影響をなくすことができると共に、研磨パッドが被研磨膜及びダミー被研磨材の被研磨面に対して同じ摩擦係数及び反応係数を持つので、研磨パッドとダミー被研磨材の被研磨面との間で発生する摩擦熱及び反応熱の制御が容易になる。

• 公開日： 1999/03/02
• 出典： 半導体基板の研磨装置及び半導体基板の研磨方法
• 出願人： パナソニック株式会社

負荷設備３は電力負荷設備１０および熱負荷設備１１により構成され、熱負荷設備１１はさらに蒸気熱負荷設備１２と冷熱負荷設備１３とにより構成される。電力負荷設備１０は、例えば、電動機、事務照明などである。また、蒸気熱負荷設備１２は、例えば 半導体基板 の洗浄、暖房などであり、冷熱負荷負荷設備１３は例えば冷房である。

• 公開日： 2003/04/18
• 出典： エネルギ供給設備の運転計画システム
• 出願人： 株式会社東芝

また、上記 半導体基板 の再生方法を用いて再生半導体基板を作製することで、再生処理における半導体基板の生産性を向上させることができる。そのため、再生半導体基板の作製にかかるコストを低減することができる。

• 公開日： 2013/02/07
• 出典： 半導体基板の再生方法、及びＳＯＩ基板の作製方法
• 出願人： 株式会社半導体エネルギー研究所

よって、本実施例の 半導体基板 を光電変換装置に適用することで、該光電変換装置の内部により多くの光を取り込むことができ、変換効率の向上した光電変換装置を実現可能であることが示唆される。

• 公開日： 2013/07/22
• 出典： シリコンからなる半導体基板および光電変換装置
• 出願人： 株式会社半導体エネルギー研究所