化物 の意味・用法を知る

...１．２０％、Ｍｎ：≦０．６０％、Ｎｉ：１．５０〜２．１０％、Ｃｒ：４．５０〜６．００％、Ｍｏ＋Ｗ／２：１．００〜２．００％、Ｖ＋Ｎｂ／２：０．５０〜１．５０％、Ａｌ：０．０１〜０．０３％、Ｎ：０．０１００〜０．０３００％を含有し、残部Ｆｅおよび不可避不純物からなる鋼で、長さ１μｍ以上の炭 化物 および窒化物のミクロ組織の面積率が０．１〜１．０％、３０μｍ2以上の面積を有する炭化物および窒化物の個数が２０個／ｍｍ2以下、式Ｔ＝３１５−３９２×｛（Ｃ％）＋６／７（Ｎ％）｝−５２×（Ｓｉ％）−２４×（Ｍｎ％）−１４×（Ｃｒ％）＋４９×｛（Ｍｏ％）＋（Ｗ％）／２｝≧２０、式Ｓ＝（Ｎｉ＋Ｍｏ＋Ｗ／２＋Ｖ＋Ｎ...

• 公開日：2017/10/26
• 出典：靭性、耐摩耗性および軟化抵抗性に優れた刃物用鋼
• 出願人：山陽特殊製鋼株式会社

ソースビデオストリームの複数の符号 化物 をストリーミングするためのシステムが開示される。

• 公開日：2017/03/30
• 出典：異なる符号化パラメータを用いて符号化された複数の符号化物のストリーミング
• 出願人：アビジロンコーポレイション

Ｌ１0型ＦｅＮｉ規則合金の合成方法として、窒化・脱窒素法が有力視されており、窒 化物 としてＦｅＮｉ高濃度窒化物が期待されている。

• 公開日：2018/04/05
• 出典：ＦｅＮｉ規則合金の製造方法
• 出願人：株式会社デンソー

...．００１５％以下、Ｔｉ：０．００３％以下、Ｎ：０．０１５％以下、残部Ｆｅ及び不可避的不純物の組成からなり、球状化焼なまし後の硬さが９２ＨＲＢ以下、浸炭窒化後の表層Ｎ濃度０．１〜１．０％、表層Ｃ濃度０．８〜１．５％、表層硬さがＨＲＣ５８以上６４未満で、粒径２μｍ以上の粗大なＣｒＮまたはＭｎＳｉＮ2の窒 化物 の個数密度が１０3個／ｍｍ2以下であって、微細な窒化物が分散析出していることを特徴とする製造性と耐水素脆性に優れた耐環境用軸受鋼。

• 公開日：2017/10/05
• 出典：製造性と耐水素脆性に優れた耐環境用軸受鋼
• 出願人：大同特殊鋼株式会社

請求項１に記載の合金成分を含有し、組織中にはＭｎ系硫 化物 が１０ｍｍ２の観察領域に１０個以上含まれており、かつ、結晶粒界にＡｌ系窒化物が析出していることを特徴とするＦｅ−Ｎｉ系合金からなる軟磁性素材。

• 公開日：2018/03/01
• 出典：Ｆｅ－Ｎｉ系合金、軟磁性素材、軟磁性材料及び軟磁性材料の製造方法
• 出願人：大同特殊鋼株式会社

...イ素（例えば、オキシ炭化ケイ素、オキシ窒化シリカまたはケイ素）、酸化スズ（ドープまたはアンドープ）、酸化亜鉛（ドープまたはアンドープ）、またはこれらの材料のうちのいずれかの混合物系の基層と、ＺｎとＳｎとの酸 化物 及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層と、金属酸化物ならびに／またはＳｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の分離層と、Ｚｎの酸化物系の最上層と、のうちの１つ以上の少なくとも１つの組み合わせを含む、請求項１２に記載、またはそれらが請求項１２に直接的であれ間接的であれ従属するときは、請求項１３及び１４のいずれかに記載の前記方法。

• 公開日：2016/09/29
• 出典：熱処理可能な被覆ガラス板
• 出願人：ピルキントングループリミテッド

ネオジム酸 化物 、２ｍｏｌ％以上６ｍｏｌ％未満のイットリア及び０．１ｍｏｌ％以上４ｍｏｌ％未満のセリウム酸化物を含み、残部がジルコニアであり、なおかつ、該セリウム酸化物に対する該ネオジム酸化物のモル割合が０．０５以上であるジルコニア焼結体。

• 公開日：2017/08/03
• 出典：着色ジルコニア焼結体及びその製造方法
• 出願人：東ソー株式会社

複数の窒 化物 部の、半導体層から電極に向かう第１方向の長さは、窒化物分子の大きさの最大値以下である。

• 公開日：2017/09/14
• 出典：不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
• 出願人：東芝メモリ株式会社

前記少なくとも１つの誘電体層が、Ｓｉ（オキシ）窒 化物 及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金系誘電体層、ならびに／または、Ｚｎ及びＳｎ酸化物などの、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、及び／もしくはＮｂのうちの１つ以上の酸化物などの金属酸化物系誘電体層を備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の前記被覆ガラス板。

• 公開日：2016/11/10
• 出典：熱処理可能な被覆ガラス板
• 出願人：ピルキントングループリミテッド

これとともに、本発明では、上記窒 化物 パワーデバイスの製造方法も提供している。

• 公開日：2016/04/07
• 出典：窒化物パワーデバイスおよびその製造方法
• 出願人：蘇州晶湛半導体有限公司