化物 の意味・用法を知る

請求項１に記載の合金成分を含有し、組織中にはＭｎ系硫 化物 が１０ｍｍ２の観察領域に１０個以上含まれており、かつ、結晶粒界にＡｌ系窒化物が析出していることを特徴とするＦｅ−Ｎｉ系合金からなる軟磁性素材。

• 公開日：2018/03/01
• 出典：Ｆｅ－Ｎｉ系合金、軟磁性素材、軟磁性材料及び軟磁性材料の製造方法
• 出願人：大同特殊鋼株式会社

少なくとも１つの機能層を含む被覆の前記下位反射防止層が、以下の層、酸化チタン、酸化ケイ素（例えば、オキシ炭化ケイ素、オキシ窒化シリカまたはケイ素）、酸化スズ（ドープまたはアンドープ）、酸化亜鉛（ドープまたはアンドープ）、またはこれらの材料のうちのいずれかの混合物系の基層と、ＺｎとＳｎとの酸 化物 及び／またはＳｎの酸化物等の、金属酸化物系の層と、金属酸化物ならびに／またはＳｉの（酸）窒化物及び／もしくはＡｌの（酸）窒化物ならびに／またはそれらの合金系の分離層と、Ｚｎの酸化物系の最上層と、のうちの１つ以上の少なくとも１つの組み合わせを含む、請求項１０に記載の前記方法。

• 登録日：2020/03/31
• 出典：熱処理可能な被覆ガラス板
• 出願人：ピルキントングループリミテッド

ネオジム酸 化物 、２ｍｏｌ％以上６ｍｏｌ％未満のイットリア及び０．１ｍｏｌ％以上４ｍｏｌ％未満のセリウム酸化物を含み、残部がジルコニアであり、なおかつ、該セリウム酸化物に対する該ネオジム酸化物のモル割合が０．０５以上であるジルコニア焼結体。

• 公開日：2017/08/03
• 出典：着色ジルコニア焼結体及びその製造方法
• 出願人：東ソー株式会社

複数の窒 化物 部の、半導体層から電極に向かう第１方向の長さは、窒化物分子の大きさの最大値以下である。

• 公開日：2017/09/14
• 出典：不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
• 出願人：東芝メモリ株式会社

...反射防止層と、銀系機能層と、少なくとも１つのさらなる反射防止層と、を順に備える被覆ガラス板であって、前記さらなる反射防止層が、少なくとも以下の層、少なくとも１つのバリア層と、少なくとも１つの窒化タングステン系吸収層と、少なくとも１つの上位誘電体層と、を順に備え、前記下方反射防止層が、Ｓｉ（オキシ）窒 化物 及び／もしくはＡｌ（オキシ）窒化物及び／もしくはそれらの合金、ならびに／またはＴｉ酸化物、ならびに／またはＺｒ酸化物系誘導体基層、Ｚｎ及びＳｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、ならびに／またはＮｂ酸化物などの金属酸化物系誘電体層、ならびにＺｎ酸化物系誘導体上層、のうちの１つ以上を備え、前記少なくとも１つのバリ...

• 登録日：2019/09/20
• 出典：熱処理可能な被覆ガラス板
• 出願人：ピルキントングループリミテッド

そこで、シリコン基板上の窒 化物 パワーデバイスの破壊電圧を向上させることは、現在、すぐに解決すべき課題である

• 登録日：2019/09/20
• 出典：窒化物パワーデバイスおよびその製造方法
• 出願人：蘇州晶湛半導体有限公司

複合粒子は、活物質粒子３２表面全体にリチウムホウ素含有酸 化物 粒子３４を分散して固定化した複合粒子３０としてもよい。

• 公開日：2016/12/28
• 出典：電極の製造方法
• 出願人：株式会社豊田中央研究所

窒化層３は、上記窒 化物 生成成分の窒化物を含有する加工硬化層４を表層に備える。

• 公開日：2017/02/16
• 出典：超硬工具及びその製造方法
• 出願人：新日鐵住金株式会社

前記ペロブスカイト型酸水素 化物 がさらに窒素を含むことを特徴とする請求項１記載のアンモニア合成触媒。

• 登録日：2019/07/19
• 出典：アンモニア合成触媒及びアンモニア合成方法
• 出願人：独立行政法人科学技術振興機構

...種とを含むＡｌ合金の第１層（Ａｌ−Ｘ群元素−ＲＥＭ合金）と；当該Ａｌ合金（第１層）の上に、高温耐熱性作用、配線抵抗低減作用に加え、フッ酸耐性の向上に寄与する層として、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆ、およびＣｒよりなる群（Ｙ群）から選択される少なくとも一種の元素（Ｙ群元素）の窒 化物 、またはＡｌ合金の窒化物の第２層と、が積層された配線構造が記載されている。特許文献１の配線構造によれば、当該配線構造に対して４５０〜６００℃の加熱処理を行なったとき、（１）電気抵抗率が１５μΩｃｍ以下、（２）ヒロック密度が１×１０9個／ｍ2以下、（３）０．５重量％のフッ酸溶液に１分間浸漬した際の...

• 公開日：2017/08/10
• 出典：表示装置用配線構造
• 出願人：株式会社コベルコ科研