加熱段階 の意味・用法を知る

初期窒化段階（Ｎｉ）は、単純な 加熱段階 と比べて小さい温度勾配を用いて実行される。

• 公開日：2014/12/08
• 出典：初期窒化段階に広範な温度範囲が設けられている低圧浸炭窒化方法
• 出願人：イーシーエムテクノロジーズ

本発明の方法中の熱処理ステップは、 加熱段階 中に望ましい高温に達した後、この望ましい高温にサンプルの温度を維持するステップである。

• 公開日：2016/01/14
• 出典：抗体を得るための方法
• 出願人：ユーシービーバイオファルマエスピーアールエル

本発明は、少なくとも１種の金属部材を浸炭窒化する方法に関し、その際、該金属部材は 加熱段階 （１）において処理温度に加熱され、少なくとも１つの窒化段階（２ａ〜２ｄ）において窒素供与ガスにより窒化され、かつ少なくとも１つの浸炭段階（３ａ〜３ｄ）において炭素供与ガスにより浸炭され、そして該方法は、第一の窒化段階（２ａ）が、加熱段階（１）の終了後に及び第一の浸炭段階（３ａ）の開始前に開始されることを特徴としている。

• 公開日：2012/10/25
• 出典：浸炭窒化法
• 出願人：ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング

そして、少なくとも一つの上記加熱部は、異なる 加熱段階 から選択された加熱段階の加熱動作を実行できるものであり、全ての加熱部の加熱段階の組み合わせ毎に、各加熱部の加熱動作での電力の組み合わせの情報を記述している電力情報記憶手段と、全ての加熱部の加熱段階の組み合わせの変更操作があったときに、電力情報記憶手段から変更後に係る加熱段階の組み合わせに対応する、加熱動作での電力の組み合わせの情報を取出して、各加熱部の加熱動作を制御する加熱制御手段とを有する。

• 公開日：2015/03/19
• 出典：電磁調理器
• 出願人：アイリスオーヤマ株式会社

炭化ケイ素基材表面からのケイ素の昇華により、炭化ケイ素基材上においてグラフェンを成長させる方法であって、るつぼ内に炭化ケイ素基材を配置し、前記るつぼを反応チャンバー内に配置することと、圧力を制御し、成長温度に加熱することと、１４００℃超の温度で、及び６００乃至１１００ｂａｒの不活性ガス圧力で、前記基材の表面上にグラフェンを成長させることとを含み、前記加熱は、少なくとも第１ 加熱段階 及び第２加熱段階で行われ、前記第１加熱段階は少なくとも１２００℃の温度まで第１加熱速度で行われ、前記第２加熱段階は前記第１加熱段階の後に、且つ前記第１加熱速度よりも速い第２加熱速度で行われる方法。

• 公開日：2013/09/30
• 出典：グラフェンの成長のための方法
• 出願人：グラフェンシック・エービー

第２ 加熱段階 Ｐ２は、第１結晶化開始温度と第１結晶化終了温度との間の第１温度範囲の少なくとも７０％以上の加熱範囲であって第１ピークを含む加熱範囲に亘って合金組成物を加熱するものである。

• 公開日：2011/12/22
• 出典：Ｆｅ基ナノ結晶合金の製造方法、Ｆｅ基ナノ結晶合金、磁性部品、Ｆｅ基ナノ結晶合金の製造装置
• 出願人：ＮＥＣトーキン株式会社

第１の実施形態の電磁調理器における３つの加熱部の 加熱段階 の組み合わせを変化させる操作があったときの動作を示すフローチャートである。

• 公開日：2015/04/09
• 出典：電磁調理器
• 出願人：アイリスオーヤマ株式会社

また、 加熱段階 のそれぞれについて加熱動作での基本的電力が定まっている。

• 公開日：2015/03/19
• 出典：電磁調理器
• 出願人：アイリスオーヤマ株式会社

鋼スラブの加熱温度：１１００℃以上１３００℃以下 鋼スラブ（または単にスラブという）の 加熱段階 で存在している析出物は、最終的に得られる鋼板内では粗大な析出物として存在し、強度に寄与しない。

• 公開日：2020/03/19
• 出典：高強度鋼帯の製造方法
• 出願人：ＪＦＥスチール株式会社

本発明のさらなる目的は上で説明した物品を製造する方法を提供することであり、これはこの様な物品を製造する従来工程と容易に一体化できると同時に全ての基材の 加熱段階 を回避できるものである。

• 公開日：2020/03/05
• 出典：酸化スズに基づく導電膜を有する反射防止または反射コーティングを塗膜した光学物品、および製造方法
• 出願人：エシロールアテルナジオナールカンパニージェネラーレデオプティック