処理温度 の意味・用法を知る
処理温度 とは、CVD や気相成長(金属層を除く) などの分野において活用されるキーワードであり、東京エレクトロン株式会社 や株式会社日立国際電気 などが関連する技術を69,661件開発しています。
このページでは、 処理温度 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
処理温度の意味・用法
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請求項1に記載の脱気・加熱・高圧処理方法において、前記食品はナス、ダイコンまたはウリ(瓜)の奈良漬であり、脱気後の処理圧力は300MPa以下、 処理温度 は20℃以上90℃以下好ましくは50℃以上70℃以下、処理時間は18時間以上60時間以下であることを特徴とする脱気・加熱・高圧処理方法。
- 公開日:2017/05/18
- 出典:食品に対する脱気・加熱・高圧処理方法
- 出願人:独立行政法人農業・食品産業技術総合研究機構
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有機膜、マスク膜、およびレジスト膜が順に積層された被処理体をプラズマにより処理するプラズマ処理方法であって、レジスト膜に所定のパターンが形成された被処理体が搬入されたチャンバ内にH2ガス、ハロゲン化水素ガス、または、希ガスとH2ガスまたはハロゲン化水素ガスとを含む混合ガスである改質ガスを供給する工程と、−20℃以下の 処理温度 で、改質ガスのプラズマにより被処理体のレジスト膜を改質する改質工程とを有する。
- 公開日:2017/03/02
- 出典:プラズマ処理方法
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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急速昇降温熱処理装置による 処理温度 TSが1250℃以上1350℃以下、かつ、前記処理温度からの降温速度Rdが20℃/秒以上150℃/秒以下の範囲内であって、熱処理雰囲気ガス中の酸素分圧Pの上限P=0.00207TS・Rd−2.52Rd+13.3((A)式)、Pの下限P=0.000548TS・Rd−0.605Rd−0.511((B)式)の範囲内で処理温度TS、降温速度Rdを調節して熱処理を行う。
- 公開日:2017/12/07
- 出典:シリコンウェーハの熱処理方法
- 出願人:グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
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めっき処理装置(1)において、めっき液供給部(53)により、基板(W1)に対して、所定の濃度範囲で所定のめっき性能を発揮するめっき液であって、所定のめっき 処理温度 未満に調整された初期温度と、所定のめっき処理温度に達した時点のめっき液の濃度が所定の濃度範囲の下限値以上かつ所定の濃度範囲の中央値以下となるように調整された初期濃度とを有するめっき液を供給した後、めっき液加熱部(63)により、基板(W1)に対して供給されためっき液を所定のめっき処理温度に加熱する。
- 公開日:2017/05/18
- 出典:めっき処理装置及びめっき処理方法
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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減圧浸窒処理は、 処理温度 T(℃)及び雰囲気圧力P(pa)が以下の式(1)及び式(2)を満足し、かつ、減圧浸窒処理の処理温度を減圧浸炭処理の処理温度に対して±10℃の範囲内の温度とする条件で行う。
- 公開日:2018/01/25
- 出典:減圧浸炭浸窒処理方法
- 出願人:愛知製鋼株式会社
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前記2段階の加熱処理は、前記上部電極を接触させずに第1の 処理温度 まで昇温させる第1昇温工程と、前記上部電極を接触させて第2の処理温度まで昇温させる第2昇温工程とを含み、前記第2の処理温度は、200℃以上1000℃以下であり、前記第1の処理温度は、前記第2の処理温度よりも10℃以上50℃以下低い温度であることを特徴とする請求項2に記載のカーボンナノチューブ集合体の製造方法。
- 公開日:2016/11/10
- 出典:カーボンナノチューブ集合体およびその製造方法
- 出願人:独立行政法人産業技術総合研究所
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被処理面上に、分子式中にシリコンを2つ以上含む高次アミノシラン系ガスを供給し、被処理面上にシリコンを吸着させて第1シード層を形成する工程と、第1シード層上に、アミノ基を含まない高次シラン系ガスを供給し、第1シード層上にシリコンを堆積させて第2シード層を形成する工程と、第2シード層上にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給してシリコンを堆積させ、開口部を残しつつシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜を、孔又は溝内に残しつつエッチングし、開口部を広げる工程と、シリコン膜上に、開口部を埋め込む薄膜を形成する工程とを備え、第1シード層を形成する際に 処理温度 を350℃以下室温(25℃)以上の範囲とする。
- 公開日:2017/05/18
- 出典:薄膜の成膜方法
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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被処理面上に、分子式中にシリコンを2つ以上含む高次アミノシラン系ガスを供給し、被処理面上にシリコンを吸着させて第1シード層を形成する工程と、アミノ基を含まない高次シラン系ガスを供給し、第1シード層上にシリコンを堆積させて第2シード層を形成する工程と、アミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、第2シード層上にシリコンを堆積させてシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜をエッチングし、孔又は溝の底に、シリコン膜を残す工程と、少なくともシリコンの堆積とエッチングを繰り返し行い、孔又は溝をシリコン膜によって埋め込み、第1シード膜を形成する際に 処理温度 を350℃以下室温(25℃)以上の範囲とする。
- 公開日:2017/05/18
- 出典:シリコン膜の成膜方法
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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前記炭化処理を実施する場合、原料を回収した季節、及び次の(1)式乃至(4)式に基づいて 処理温度 を定める請求項1又は2記載の有機廃棄物燃料の製造方法。C=(2.8T+4660)×4.184/103…(1)C=(23.8T+1010)×4.184/103…(2)C=(2.7T+4860)×4.184/103…(3)C=(23.8T+650)×4.184/103…(4)ただし、C:発熱量(MJ/kg),T:処理温度(℃)
- 公開日:2015/04/23
- 出典:有機廃棄物燃料の製造方法及び有機廃棄物燃料
- 出願人:有限会社丸源油脂
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減圧浸窒処理は、 処理温度 T(℃)及び雰囲気圧力P(pa)が以下の式(1)及び式(2)を満足する条件で行う。
- 公開日:2015/01/19
- 出典:減圧浸炭浸窒処理方法
- 出願人:愛知製鋼株式会社
処理温度の原理 に関わる言及
処理温度の問題点 に関わる言及
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有機性廃棄物の嫌気性消化液を嫌気性消化 処理温度 と実質的に同じ温度あるいはその温度よりも高い温度で曝気処理し、その曝気処理液から生じた汚泥液の一部をオゾン処理した後、そのオゾン処理液を生物的処理液に導入し、有機性廃棄物の嫌気性消化液を生物的処理する。
- 公開日: 2005/01/27
- 出典: 嫌気性消化液の処理方法
- 出願人: 富士電機株式会社
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また、加熱処理炉内への被処理物の投入は、加熱処理炉内温度が、該加熱処理炉の 処理温度 に達した後で、且つ排ガス燃焼炉内の温度が、該排ガス燃焼炉の処理温度又は処理温度に近い温度で開始し、加熱処理炉の加熱停止は、被処理物の投入を停止し、加熱処理炉内の被処理物の排出が完了した後に停止する。
- 公開日: 2001/01/30
- 出典: 被処理物の加熱処理方法
- 出願人: 株式会社明電エンジニアリング東日本
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従来の再生処理においては、水素化処理用触媒の使用中に生じる活性低下の主原因がコークの沈着にあるとして、再生処理条件はコークの沈着物を除去できるか否かという観点から再生処理条件を選定することが一般的であった。例えば、従来の再生処理においては、 処理温度 をなるべく高温とし、処理温度をなるべく長時間とすることがよいとの考えがあった。
- 公開日: 2013/06/20
- 出典: 予備硫化済み再生水素化処理用触媒の製造方法、再生水素化処理用触媒の製造方法、水素化処理用触媒の再生処理条件の選別方法、及び石油製品の製造方法
- 出願人: JX日鉱日石エネルギー株式会社
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処理温度 については、通常、室温で行うことができる。処理時間については、処理対象とする廃液の量、濃度や抽出剤の濃度等の処理条件によって異なるので、処理条件に応じて適宜決めればよい。
- 公開日: 2003/03/18
- 出典: 化学めっき廃液の処理方法
- 出願人: 吉玉精鍍株式会社
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前述した実施の形態では、先に析出硬化処理を行い、次に窒化処理を施しているが、析出硬化処理と窒化処理は 処理温度 が同じ範囲に入っているので、窒化処理を施しながら同時に析出硬化処理を行うことも可能である。
- 公開日: 2001/11/27
- 出典: ダイカストマシン用部品及びその製造方法
- 出願人: 東芝機械株式会社
処理温度の特徴 に関わる言及
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固体処理剤は処理槽中の処理液に直接投入されるが処理槽中の処理液は常に 処理温度 に温調されており、ほぼ一定の温度に維持されている。即ち溶解スピードは年間を通じほぼ一定である。
- 公開日: 1994/10/28
- 出典: ハロゲン化銀写真感光材料用固体処理剤及び該処理剤を用いた処理方法
- 出願人: コニカミノルタ株式会社
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上記のような従来の真空浸炭処理においては、 処理温度 を高くするほど浸炭及び拡散が速く進行する。このため、処理温度を高くするほど真空浸炭処理に要する時間を短縮できる。しかし、その反面、高温で真空浸炭処理を行うと、被処理物の結晶粒が肥大化してしまう。結晶粒が肥大化した被処理物は、所定の物性値をもたないという問題がある。
- 公開日: 2008/04/10
- 出典: 真空浸炭処理装置
- 出願人: 株式会社IHI
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各タイプとも炭化処理装置の基本的機能は同一ですが、廃棄物の性質や形状にに合わせて各タイプが選択できます。また、廃棄物の 処理温度 設定や処理時間がその性質で異なるために各タイプの炭化処理装置が必要になります。
- 公開日: 1999/10/26
- 出典: 還元方式の可燃性廃棄物熱分解炭化処理装置及び方法
- 出願人: 日本環境管理株式会社
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こうして、エネルギー発生領域と処理領域との分離が可能になり、従来のように処理室内で燃焼を持続させる必要がないので、一度に大量の廃棄物の処理が可能になり、しかも処理室内全体にわたって均一な 処理温度 を維持することができる。
- 公開日: 1995/05/12
- 出典: 収束衝撃波による廃棄物処理装置
- 出願人: JFEエンジニアリング株式会社
処理温度の使用状況 に関わる言及
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次に、上記高強度アルミニウム合金材の製造方法では、上記特定の 処理温度 、処理時間及び処理手順により上記高強度アルミニウム合金材を製造する。そのため、上記高強度アルミニウム合金材を容易に得ることができる。
- 公開日: 2013/06/20
- 出典: 高強度アルミニウム合金材及びその製造方法
- 出願人: 住友軽金属工業株式会社
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この要望に添うためには、処理の迅速化が必要であり、処理を迅速に行うためには、迅速化ができる材料を使用すること、処理にあたっては 処理温度 を高くすること、処理液の濃度を高くすること、処理液の撹拌を良く行って効率を上げること等である。
- 公開日: 1996/11/22
- 出典: ハロゲン化銀カラー写真感光材料の発色現像処理方法
- 出願人: 中外写真薬品株式会社
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
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- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
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半導体の露光(電子、イオン線露光を除く)
- 半導体の露光の共通事項
- 紫外線,光露光の種類
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- レジスト塗布
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- 多層レジスト膜及びその処理
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