処理容器 の意味・用法を知る

アイスクリームを製造するためのアイスクリームの装置１であって、アイスクリーム様の製品を製造するための処理チャンバ４を形成する 処理容器 ３と、処理チャンバ４内部に搭載された攪拌機５と、処理容器との熱交換のための、処理容器３と関連する少なくとも一つの熱交換器を備えた冷却システムと、基本調整品を収容するカプセル２を受け入れ収容する装置９と、基本調整品をカプセル２から処理容器３へと移す装置１１と、希釈液を注入する装置１２であって、受け入れ及び収容する装置９又は調整品を移す装置１１又は処理容器３と関連する装置と、ディスペンス手段６であって、アイスクリーム様の製品を外部へ送り出すために、処理チャンバ４に接続...

• 公開日：2016/12/15
• 出典：アイスクリームを製造する装置
• 出願人：エイエルアイエス．ピイ．エイ．カルピジャーニグループ

...ウエハＷは被エッチング層ＥＬと有機膜ＯＬとマスクＡＬＭとを備え、有機膜ＯＬは第１の領域ＶＬ１と第２の領域ＶＬ２とによって構成されマスクＡＬＭは第１の領域ＶＬ１上に設けられ第１の領域ＶＬ１は第２の領域ＶＬ２上に設けられ第２の領域ＶＬ２は被エッチング層ＥＬ上に設けられる。方法ＭＴは、ウエハＷが収容された 処理容器 １２内において窒素ガスを含むガスのプラズマを生成して第１の領域ＶＬ１を第２の領域ＶＬ２に至るまでエッチングし、第１の領域ＶＬ１からマスクＯＬＭ１を形成し、マスクＯＬＭ１の側面ＳＦに保護膜ＳＸをコンフォーマルに形成し、第２の領域ＶＬ２を被エッチング層ＥＬに至るまでエッチングして第２の領域ＶＬ２...

• 公開日：2018/01/11
• 出典：被処理体を処理する方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

一実施形態においてウエハＷは被エッチング層ＥＬと有機膜ＯＬと反射防止膜ＡＬとマスクＭＫ１とを備え、一実施形態の方法ＭＴは、このウエハＷを収容したプラズマ処理装置１０の 処理容器 １２内において処理容器１２内で発生させたプラズマによりマスクＭＫ１を用いて反射防止膜ＡＬに対しエッチング処理を行う工程を備え、当該工程はマスクＭＫ１の表面に保護膜ＳＸをコンフォーマルに形成する工程ＳＴ３ａ〜ＳＴ４と、保護膜ＳＸが形成されたマスクＭＫ１を用いて反射防止膜ＡＬを原子層毎に除去することによって反射防止膜ＡＬをエッチングする工程ＳＴ６ａ〜ＳＴ７とを備える。

• 公開日：2017/10/05
• 出典：被処理体を処理する方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

被処理体を処理する方法であって、前記被処理体は、被エッチング層と該被エッチング層上に設けられた第１のマスクとを備え、当該方法は、前記被処理体が収容されたプラズマ処理装置の 処理容器 内においてプラズマを発生させて該処理容器に設けられた平行平板電極の上部電極に負の直流電圧を印可することによって、前記第１のマスクに二次電子を照射すると共に、該上部電極が備えシリコンを含有する電極板からシリコンを放出させて該シリコンを含む酸化シリコン化合物で該第１のマスクを覆う、第１の工程と、前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内において第１のガスのプラズマを生成し、該プラズマに含まれるラジカルを含む混合層を前記被エッ...

• 公開日：2017/10/05
• 出典：被処理体を処理する方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

凹部を有する基板であって、当該凹部に液体が液盛りされた基板が搬入される 処理容器 と、前記処理容器内に超臨界状態の処理流体を供給する流体供給部と、前記処理容器内の流体を排出する流体排出部と、前記流体供給部及び前記流体排出部を制御し、前記処理容器内において前記基板から前記液体を除去する乾燥処理を、超臨界状態の前記処理流体を使って行う制御部と、を備え、制御部は、前記流体供給部及び前記流体排出部を制御し、前記処理容器内に存在する超臨界状態の前記処理流体の気化が起こらない第１の排出到達圧力に前記処理容器内がなるまで前記処理容器内の流体を排出し、その後、前記第１の排出到達圧力より高く且つ前記処理容器内の前記...

• 公開日：2018/04/12
• 出典：基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

前記保護膜をコンフォーマルに形成する前記工程は、前記第１の層を前記第２の層に至るまでエッチングした後であって該第１の層の前記側面に該保護膜をコンフォーマルに形成する前において、前記 処理容器 内でプラズマを発生させて該処理容器に設けられた上部電極に負の直流電圧を印可することにより、該第１の層に二次電子を照射する工程を備える、請求項１〜１３の何れか一項に記載の方法。

• 公開日：2018/02/15
• 出典：被処理体を処理する方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

処理容器 １０は、接地線１２により電気的に接続されて接地されている。

• 公開日：2017/12/28
• 出典：基板処理装置
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

処理容器 と、前記処理容器の内部に設けられ、酸化シリコンを主成分として含む処理物を載置する載置部と、前記処理容器の内部を減圧する減圧部と、前記処理容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記処理容器の内部に、フッ素原子を含むガスを供給するガス供給部と、前記処理物をエッチングしている際に、前記処理容器の内部において発生した特定の波長の光の発光強度を検出する検出部と、前記検出された発光強度と、予め求められた前記特定の波長の光の発光強度とエッチングレートとの間における相関関係と、からエッチングレートを演算し、前記演算されたエッチングレートに基づいて、前記エッチングの終点の時期を演算する制御部...

• 公開日：2017/08/31
• 出典：プラズマ処理方法、およびプラズマ処理装置
• 出願人：芝浦メカトロニクス株式会社

気化化合物を 処理容器 から除去して乾燥固形廃棄物混合物を形成する。

• 登録日：2020/06/02
• 出典：混合固形廃棄物から形成される固体燃料組成物
• 出願人：エコジェンサスエルエルシー

固形廃棄物混合物から合成ガスを形成することなく固体燃料組成物を製造する方法であって、５重量％〜６０重量％の混合プラスチックを含む固形廃棄物混合物を、 処理容器 内で１１０℃を超えない温度まで加熱し、前記固形廃棄物混合物を乾燥固形廃棄物混合物と気化化合物とに分離する工程、前記処理容器から前記気化化合物を除去する工程、前記乾燥固形廃棄物混合物を前記処理容器内で少なくとも１６０℃かつ大気圧未満で加熱混合して、溶融混合プラスチックを含む加熱固形廃棄物混合物を形成する工程、前記加熱固形廃棄物混合物を２００℃未満で押出して押出固形廃棄物混合物を製造する工程、及び前記押出固形廃棄物混合物を６５℃未満まで冷却して...

• 登録日：2020/06/02
• 出典：混合固形廃棄物からの固体燃料組成物の製造方法
• 出願人：エコジェンサスエルエルシー