ファセット の意味・用法を知る
ファセット とは、半導体レーザ や機械的光走査系 などの分野において活用されるキーワードであり、カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー やゼロツクスコーポレシヨン などが関連する技術を7,476件開発しています。
このページでは、 ファセット を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
ファセットの意味・用法
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投影露光装置(1)の物体視野(5)を照明する方法において、第1の ファセット (68)の部分集合は、パーク位置に位置決めされるように提供され、パーク位置の各々は、関連のターゲット位置から離間されるが、最大でも最大距離dmaxしか離間されない。
- 公開日:2017/03/30
- 出典:投影露光系の物体視野を照明する方法
- 出願人:カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
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底部内周は、コーナーで連結された平面状 ファセット の直線状エッジを含む。
- 公開日:2017/06/01
- 出典:ファセット付き内面を有する保持リング
- 出願人:アプライドマテリアルズ,インコーポレイティド
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また、 ファセット 化処理プログラムは、第1のボクセル及び第2のボクセルと非ボクセル領域との境界に存在するボクセルをファセット化する処理をコンピュータに実行させる。
- 公開日:2018/01/11
- 出典:ファセット化処理プログラム、ファセット抽出プログラム、ファセット化処理方法、ファセット抽出方法および情報処理装置
- 出願人:富士通株式会社
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宝石の ファセット の決定されたシンチレーションを、ユーザにリアルタイムで表示する。
- 公開日:2017/03/23
- 出典:オンライン顧客のための仮想宝石の3D体験
- 出願人:ダッソーシステムズ
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前記目標物の前記サイズは、前記目標物の ファセット のサイズを含み、前記目標物の前記向きは、前記目標物の前記ファセットの向きを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 公開日:2017/03/09
- 出典:デジタルヒューマンモデルのためのビジョン測定量を求めるための方法およびシステム
- 出願人:ダッソーシステムズアメリカスコーポレイション
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ガスは、 ファセット の表面からのターゲット材料の除去を容易にする。
- 公開日:2018/01/11
- 出典:ファセット付きEUV光学素子
- 出願人:エーエスエムエルネザーランズビー.ヴイ.
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ここで、第1の ファセット (21i)の個々のミラー(31)の変位位置は、中間フォーカス(ZF)内の照明放射線(3)の予め定められた強度分布(36)の場合に、第2のファセット要素(7)のファセット(25i)の領域内の照明放射線(3)が、最大で予め定められた最大強度(I*)に等しい最大値、又は強度分布(37)の平均値よりも最大で予め定められた係数又は絶対値だけ大きい最大値を有する強度分布(37)を有するように各場合に選択される。
- 公開日:2017/09/21
- 出典:投影露光装置のための照明光学アセンブリ
- 出願人:カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
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照明光学ユニットの更に別の ファセット ミラーのファセットへの第1のファセットミラーの個々のグループの割り当てを決定する方法も指定する。
- 公開日:2017/09/21
- 出典:投影リソグラフィのための照明光学ユニット
- 出願人:カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
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したがって、ここでも、作動機構は、結果として ファセット 素子の支持構造の平面と平行に延びる傾斜軸を提供する
- 公開日:2017/08/24
- 出典:光学素子の傾斜
- 出願人:カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
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システムは、移送チャンバ、第1 ファセット 、前記第1ファセットに対向する第2ファセット、第3ファセット、及び、前記第3ファセットに対向する第4ファセットを有する、メインフレームハウジングと、第1ファセットに結合された第1カルーセルアセンブリと、第3ファセットに結合された第2カルーセルアセンブリと、第2ファセットに結合された第1ロードロックと、第4ファセットに結合された第2ロードロックと、第1と第2のカルーセルからの基板を交換するために移送チャンバ内で作動するよう適合したロボットとを含む。
- 公開日:2016/04/25
- 出典:基板堆積システム、ロボット移送装置、及び電子デバイス製造のための方法
- 出願人:アプライドマテリアルズ,インコーポレイティド
ファセットの原理 に関わる言及
ファセットの特徴 に関わる言及
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補正照明瞳 ファセット は、基本照明瞳ファセットの全てによって形成される瞳ファセットミラーの照明輪郭に配置することができる。補正照明瞳ファセットがそのような手法で配置される場合には、望ましくない低い照明強度を伝達する基本照明瞳ファセットの照明角度からの照明は、これらの基本照明瞳ファセットの直近の補正照明瞳ファセットによって高めることができる。
- 公開日: 2011/06/30
- 出典: EUVマイクロリソグラフィ用の照明光学系及びこの種の照明光学系を含む照明系並びに投影露光装置
- 出願人: カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
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分析クエリ処理には、分析クエリ受理処理1501、タイプ判断処理1502、形態素解析処理1503、数値表現抽出処理1504、数値化処理1505、換算処理1506、検索命令作成処理1507、検索命令送信処理1508、及び、 ファセット 処理1509がある。
- 公開日: 2010/08/19
- 出典: 分析システム及び情報分析方法
- 出願人: ルネサスエレクトロニクス株式会社
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半導体レーザ
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(1)
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(2)
- 垂直共振器を有するレーザの構造
- モノリシックな集積(同じ成長基板上に複数の素子を備えたもの)
- 半導体の積層方向の構造−1
- 半導体の積層方向の構造−2
- 活性層の材料系−基板材料
- 不純物に特徴があるもの
- 電極構造・材料に特徴があるもの
- 被覆構造・材料に特徴があるもの
- 製造方法1
- 製造方法2
- 課題・目的
- レーザ動作のタイプ
- モジュール・パッケージの用途
- モジュール・パッケージのタイプ(典型的なタイプを抽出)
- マウント・モジュール・パッケージにおける目的
- LDチップのマウント
- パッケージ・光モジュールの構成
- 発明の特徴となっている組合せ光学要素(LDチップ外)
- 駆動におけるレーザーのタイプ
- 用途(駆動)
- 駆動において特徴となる目的
- 安定化制御(主に検知・帰還制御)
- 駆動制御
- 異常対策
- 回路構成に特徴があるもの
- 被試験・被検査形状
- 試験・検査する項目
- 試験・検査において特徴と認められる点
- 試験・検査の内容
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
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半導体の露光(電子、イオン線露光を除く)
- 半導体の露光の共通事項
- 紫外線,光露光の種類
- 紫外線,光露光用光源
- 光学系
- ステージ,チャック機構,及びそれらの動作
- ウェハ,マスクの搬送
- 露光の制御,調整の対象,内容
- 検知機能
- 検知機能の取付場所
- 制御,調整に関する表示,情報
- 位置合わせマーク
- 位置合わせマークの配置
- 位置合わせマークの特殊用途
- 位置を合わせるべき2物体上のマーク
- 位置合わせマークの光学的検出
- 検出用光学系
- 位置合わせマークの検出一般及び検出の補助
- X線露光
- X線光学系
- X線源
- X線露光用マスク
- レジスト塗布以前のウェハの表面処理
- レジスト塗布
- ベーキング装置
- 湿式現像,リンス
- ドライ現像
- レジスト膜の剥離
- 多層レジスト膜及びその処理
- 光の吸収膜,反射膜