メインフロー の意味・用法を知る

図５は、本実施形態に係るぱちんこ遊技機における、主制御基板側での メインフロー チャートである。

• 公開日：2018/04/12
• 出典：ぱちんこ遊技機
• 出願人：サミー株式会社

ＧａＮ自立基板の窒化物主面上に窒化物半導体を結晶成長させる方法であって、前記ＧａＮ自立基板を、有機金属気相成長装置内にて、室温から７００℃以上で１３５０℃以下である所定の昇温到達温度ＴAまで昇温する工程であって、アンモニアを含み水素ガスを含まない メインフロー を構成した雰囲気中で前記基体を５５０℃以下の温度から前記昇温到達温度ＴAまで昇温する期間ｔAを含む昇温工程と、前記有機金属気相成長装置内にて、アンモニアを含んでメインフローを構成した雰囲気中で前記ＧａＮ自立基板の窒化物主面上にシリコン（Ｓｉ）原料を意図的に供給することなく第１の窒化物半導体層を７００℃以上で１３５０℃以下であるエピタキシャル...

• 公開日：2016/08/25
• 出典：結晶成長方法および発光素子の製造方法
• 出願人：三菱レイヨン株式会社

ｍ面のような非極性面の窒化物基体上に窒化物半導体を結晶成長させるに際し、窒化物半導体層を成長させる前の比較的高温領域での昇温過程における メインフロー を構成するガス（基体の窒化物主面が暴露される雰囲気）、第１および第２の窒化物半導体層成長完了までのメインフローを構成するガス（基体の窒化物主面が暴露される雰囲気）を、窒化物に対してエッチング効果のないものを主とした。

• 公開日：2014/11/06
• 出典：窒化物半導体の結晶成長方法
• 出願人：三菱化学株式会社

従って、 メインフロー は気相成長に必須である一方、サブブローや成長外フローは任意的なものである。

• 公開日：2014/05/01
• 出典：窒化物半導体
• 出願人：三菱化学株式会社

ｍ面のような非極性面の窒化物基体上に窒化物半導体を結晶成長させるに際し、窒化物半導体層を成長させる前の比較的高温領域での昇温過程における メインフロー を構成するガス（基体の窒化物主面が暴露される雰囲気）、第１および第２の窒化物半導体層成長完了までのメインフローを構成するガス（基体の窒化物主面が暴露される雰囲気）を、窒化物に対してエッチング効果のないものを主とし、かつ、窒化物半導体層の成長開始時にはＳｉ源を供給しないこととした。

• 公開日：2009/10/15
• 出典：窒化物半導体の結晶成長方法および窒化物半導体発光素子
• 出願人：三菱化学株式会社

少なくとも一方の主面が窒化物である基体の窒化物主面上に窒化物半導体を結晶成長させる方法であって、水素ガス以外の活性ガスを含んで メインフロー を構成した雰囲気中で前記基体を所定の温度まで昇温する期間ｔＡを含む昇温工程と、活性ガスを含んでメインフローを構成した雰囲気中で前記基体の窒化物主面上にシリコン（Ｓｉ）原料を意図的に供給することなく第１の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる第１の成長工程と、活性ガスを含んでメインフローを構成した雰囲気中で前記第１の窒化物半導体層上にｎ型ドーパント原料を供給しながら第２の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる第２の成長工程とを備えている窒化物半導体の結晶成長方法。

• 公開日：2009/07/02
• 出典：窒化物半導体の結晶成長方法
• 出願人：三菱化学株式会社

図３はＣＰＵ１の メインフロー であり、パワーオンになると所定のイニシャル処理（ステップＳ１０１）の後、スイッチ処理（ステップＳ１０２）、ＭＩＤＩ処理（ステップＳ１０３）、鍵盤処理（ステップＳ１０４）、発音・消音処理（ステップＳ１０５）、その他の処理（ステップＳ１０６）をする。

• 公開日：1999/10/19
• 出典：演奏教習用送信装置及び演奏教習用送信処理のプログラムを記憶した記憶媒体
• 出願人：カシオ計算機株式会社

特定の実施例では、上記 メインフロー デバイダバルブは、上記メインフローデバイダバルブの回りに配設された冷却ループを有している。

• 公開日：1997/04/22
• 出典：ステージ燃焼室のためのパイロット燃料で冷却されたフローデバイダバルブ
• 出願人：ユナイテッドテクノロジーズコーポレーイション

図２は、本発明による相続管理サーバーの実施形態の動作（ メインフロー ）を示すフローチャートである。

• 公開日：2020/03/26
• 出典：相続管理サーバー及び相続管理システム
• 出願人：萩原勇

搬送処理において制御部が実行する メインフロー チャートである。

• 公開日：2020/03/26
• 出典：搬送処理装置及び搬送処理方法
• 出願人：株式会社デンソー