ボロン の意味・用法を知る

正孔のμτ（ｈ）値を下げる原因となる ボロン （Ｂ）濃度が２０ａｔｏｍ ｐｐｂ以下としたＣｄＴｅ系化合物半導体基板と、ボロン（Ｂ）濃度が２０ａｔｏｍ ｐｐｂ以下であるＣｄＴｅ系化合物半導体を用いて作製した半導体直接検出型放射線検出素子。

• 公開日：2016/12/08
• 出典：ＣｄＴｅ系化合物半導体及びそれを用いた放射線検出素子
• 出願人：ＪＸ金属株式会社

前記ｎタイプドーパント種は、リンであり、且つ、前記ｐタイプドーパント種は、 ボロン である請求項７に記載の方法。

• 公開日：2018/01/18
• 出典：ＣＺシリコンウエハを製造する方法及び半導体装置を製造する方法
• 出願人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー

このハードマスクは、被処理基板を所定温度に加熱しつつ、ＳｉＯ２膜を含む膜の表面に少なくとも ボロン 含有ガスを供給してＣＶＤによりボロン系膜を成膜する工程を有する方法により製造される。

• 公開日：2018/04/05
• 出典：ハードマスクおよびその製造方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

...ｎｃｔｉｏｎ）において、固定層と、非磁性（ｎｏｎｍａｇｎｅｔｉｃ）スペーサ層と、非対称（ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ）自由層と、ＰＭＡ（ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒｍａｇｎｅｔｉｃａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ）誘導層とを有し、前記非磁性スペーサ層は、前記固定層と前記非対称自由層との間に存在し、前記非対称自由層は、第１ ボロン （ｂｏｒｏｎ）含有量を有する第１強磁性（ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ）層と、第２ボロン含有量を有する第２強磁性層とを含み、前記第２ボロン含有量は、前記第１ボロン含有量より小さく、前記第１及び第２ボロン含有量は０原子百分率（ａｔｏｍｉｃｐｅｒｃｅｎｔ）より大きく、前記非対称自由層は、前記ＰＭＡ誘導...

• 公開日：2016/01/28
• 出典：磁気接合及びそれを含む磁気装置並びに磁気接合提供方法
• 出願人：三星電子株式會社

デバイス工程における任意の熱処理によって酸素析出物が成長する場合でもシリコン基板中の ボロン の増速拡散を抑制することが可能なエピタキシャルシリコンウェーハを提供する。

• 公開日：2017/02/02
• 出典：エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
• 出願人：株式会社ＳＵＭＣＯ

少なくとも吸い上げ側の先端部に形成した毛細管吸引筒部１は、０．５〜５％望ましくは１〜２％の ボロン を含有したプラスチック樹脂で形成し、透明もしくは半透明としながら、優れた親水性を生かして血液の吸い上げ効果を高めた。

• 公開日：2016/06/30
• 出典：採血具
• 出願人：日精株式会社

前記ｎ型ドーピングは、 ボロン によって部分的に補償されたリンを有する請求項１に記載の半導体素子。

• 公開日：2018/02/15
• 出典：半導体素子、シリコンウエハ、及びシリコンインゴット
• 出願人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー

ボロン の汚染を抑制可能なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。

• 公開日：2018/04/12
• 出典：エピタキシャルウェーハの製造方法
• 出願人：信越半導体株式会社

ボロン を含む酸化アルミニウム膜が酸化物半導体膜への水素の拡散を防止する。

• 公開日：2015/08/06
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

プラズマエッチング装置の反応室内部で使用されるプラズマエッチング装置用シリコン部材であって、多結晶シリコン、モノライクシリコン又は単結晶シリコンのいずれかからなり、ドーパントとして ボロン を１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｍｌ以上１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｍｌ以下の範囲内で含有していることを特徴とする。

• 公開日：2014/08/07
• 出典：プラズマエッチング装置用シリコン部材及びプラズマエッチング装置用シリコン部材の製造方法
• 出願人：三菱マテリアル株式会社