ボロン の意味・用法を知る
ボロン とは、アニール や絶縁ゲート型電界効果トランジスタ などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社東芝 や日本電気株式会社 などが関連する技術を3,297件開発しています。
このページでは、 ボロン を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
ボロンの意味・用法
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正孔のμτ(h)値を下げる原因となる ボロン (B)濃度が20atom ppb以下としたCdTe系化合物半導体基板と、ボロン(B)濃度が20atom ppb以下であるCdTe系化合物半導体を用いて作製した半導体直接検出型放射線検出素子。
- 公開日:2016/12/08
- 出典:CdTe系化合物半導体及びそれを用いた放射線検出素子
- 出願人:JX金属株式会社
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前記nタイプドーパント種は、リンであり、且つ、前記pタイプドーパント種は、 ボロン である請求項7に記載の方法。
- 公開日:2018/01/18
- 出典:CZシリコンウエハを製造する方法及び半導体装置を製造する方法
- 出願人:インフィネオンテクノロジーズアーゲー
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このハードマスクは、被処理基板を所定温度に加熱しつつ、SiO2膜を含む膜の表面に少なくとも ボロン 含有ガスを供給してCVDによりボロン系膜を成膜する工程を有する方法により製造される。
- 公開日:2018/04/05
- 出典:ハードマスクおよびその製造方法
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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...nction)において、固定層と、非磁性(nonmagnetic)スペーサ層と、非対称(asymmetric)自由層と、PMA(perpendicularmagneticanisotropy)誘導層とを有し、前記非磁性スペーサ層は、前記固定層と前記非対称自由層との間に存在し、前記非対称自由層は、第1 ボロン (boron)含有量を有する第1強磁性(ferromagnetic)層と、第2ボロン含有量を有する第2強磁性層とを含み、前記第2ボロン含有量は、前記第1ボロン含有量より小さく、前記第1及び第2ボロン含有量は0原子百分率(atomicpercent)より大きく、前記非対称自由層は、前記PMA誘導...
- 公開日:2016/01/28
- 出典:磁気接合及びそれを含む磁気装置並びに磁気接合提供方法
- 出願人:三星電子株式會社
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デバイス工程における任意の熱処理によって酸素析出物が成長する場合でもシリコン基板中の ボロン の増速拡散を抑制することが可能なエピタキシャルシリコンウェーハを提供する。
- 公開日:2017/02/02
- 出典:エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
- 出願人:株式会社SUMCO
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少なくとも吸い上げ側の先端部に形成した毛細管吸引筒部1は、0.5〜5%望ましくは1〜2%の ボロン を含有したプラスチック樹脂で形成し、透明もしくは半透明としながら、優れた親水性を生かして血液の吸い上げ効果を高めた。
- 公開日:2016/06/30
- 出典:採血具
- 出願人:日精株式会社
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前記n型ドーピングは、 ボロン によって部分的に補償されたリンを有する請求項1に記載の半導体素子。
- 公開日:2018/02/15
- 出典:半導体素子、シリコンウエハ、及びシリコンインゴット
- 出願人:インフィネオンテクノロジーズアーゲー
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ボロン の汚染を抑制可能なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
- 公開日:2018/04/12
- 出典:エピタキシャルウェーハの製造方法
- 出願人:信越半導体株式会社
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ボロン を含む酸化アルミニウム膜が酸化物半導体膜への水素の拡散を防止する。
- 公開日:2015/08/06
- 出典:半導体装置
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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プラズマエッチング装置の反応室内部で使用されるプラズマエッチング装置用シリコン部材であって、多結晶シリコン、モノライクシリコン又は単結晶シリコンのいずれかからなり、ドーパントとして ボロン を1×1018atoms/ml以上1×1020atoms/ml以下の範囲内で含有していることを特徴とする。
- 公開日:2014/08/07
- 出典:プラズマエッチング装置用シリコン部材及びプラズマエッチング装置用シリコン部材の製造方法
- 出願人:三菱マテリアル株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ