ボロン の意味・用法を知る
ボロン とは、アニール や絶縁ゲート型電界効果トランジスタ などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社東芝 や日本電気株式会社 などが関連する技術を59,734件開発しています。
このページでは、 ボロン を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
ボロンの意味・用法
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ボロン を含む酸化アルミニウム膜が酸化物半導体膜への水素の拡散を防止する。
- 公開日：2015/08/06
- 出典：半導体装置
- 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
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プラズマエッチング装置の反応室内部で使用されるプラズマエッチング装置用シリコン部材であって、多結晶シリコン、モノライクシリコン又は単結晶シリコンのいずれかからなり、ドーパントとして ボロン を１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｍｌ以上１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｍｌ以下の範囲内で含有していることを特徴とする。
- 公開日：2014/08/07
- 出典：プラズマエッチング装置用シリコン部材及びプラズマエッチング装置用シリコン部材の製造方法
- 出願人：三菱マテリアル株式会社
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ところが、 ボロン は拡散係数が大きいために、製造工程中の熱処理によってゲート電極からゲート絶縁膜中を拡散しチャネルに到達することが、半導体にシリコンを使用したＭＯＳＦＥＴで報告されている（たとえば、特許文献１、特許文献２および特許文献３を参照）。
- 公開日：2017/08/10
- 出典：炭化珪素半導体装置の製造方法
- 出願人：三菱電機株式会社
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前記半導体基板は、ｎ型シリコン基板であり、前記第１の不純物は ボロン であり、前記第２の不純物はリンであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の太陽電池。
- 公開日：2017/07/27
- 出典：太陽電池および太陽電池の製造方法
- 出願人：三菱電機株式会社
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前記第１導電型領域はｐ型不純物領域であり、前記第２不純物領域はｎ型不純物領域であり、前記第１導電型不純物は ボロン である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 公開日：2016/05/09
- 出典：半導体装置の製造方法
- 出願人：東芝メモリ株式会社
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次いで、焼結することにより、粉末２２が焼結されて形成された外殻の内部に ボロン 等の粉末２１が密閉された中性子吸収材２０が作製される。
- 公開日：2013/08/29
- 出典：中性子吸収材およびその製造方法ならびに溶融燃料の処理方法
- 出願人：日立化成株式会社
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精製工程を複雑化することなく、クロロシラン類留出物中からリン（Ｐ）および ボロン （Ｂ）を同時に除去して、高純度クロロシラン類の製造を可能とする技術を提供すること。
- 公開日：2015/11/16
- 出典：クロロシラン類、クロロシラン類の精製方法、および、シリコン結晶
- 出願人：信越化学工業株式会社
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第１ウェットエッチングは ボロン シリケートポリマーを分解するのに使用することができ、第２ウェットエッチングはベースポリマー材料を除去することができ、第３ウェットエッチングは残留ボロンシリケートポリマー及び他の残留材料を除去することができる。
- 公開日：2016/05/16
- 出典：反射防止膜層のウェット剥離方法
- 出願人：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイーシヨン
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前記第１金属層は、前記 ボロン 含有領域と接する。
- 公開日：2015/03/16
- 出典：半導体装置及びその製造方法
- 出願人：株式会社東芝
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溶接割れ導入試験体は、 ボロン 含有粉末を含んで鋼材を溶接することにより、ボロン含有量が０．０３乃至２質量％の溶接金属部を得ると共に、前記溶接金属部に割れ状欠陥を導入したものである。
- 公開日：2015/07/02
- 出典：溶接割れ導入試験体及び溶接割れ導入方法
- 出願人：神鋼溶接サービス株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴（クレーム）
- 材料１（元素状、合金）
- 材料２（酸化物）
- 材料３（複合酸化物）
- 材料４（酸素酸塩）
- 材料５（〜化物）
- 材料６（有機物）
- 固相成長
- 液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する）
- 液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先
- 液相成長３（融液の凝固によるもの）
- 液相成長４（ゾーンメルティング）
- 液相成長５（融液からの引き出し）
- 液相成長６（液相エピタキシャル）
- 気相成長１（蒸着、昇華）
- 気相成長２（ＣＶＤ）
- 結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く
- 結晶成長共通２（不純物のドーピング）
- 結晶成長共通３（原料の調製、原料組成）
- 結晶成長共通４（種結晶、基板）
- 結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護）
- 結晶成長共通６（基板への多層成長）
- 結晶成長共通７（装置、治具）
- 結晶成長共通８（検知、制御）
- 結晶成長共通９（特定の成長環境の付加）
- 後処理１（拡散源、その配置）
- 後処理２（後処理のための基板表面の前処理）
- 後処理３（気相からのドーピング）
- 後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング）
- 後処理５（加熱、冷却処理）
- 後処理６（結晶の接合）
- 後処理７（エッチング、機械加工）
- 後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用）
- 後処理９（その他）
- 後処理１０（装置、治具の特徴）
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱（集光加熱等）
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し（保護流体下も含む）
- 結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- ＰＶＤ
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- ＣＶＤ
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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気相成長（金属層を除く）
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件（１）成膜温度Ｔ 請求項＋実施例に記載されている成膜温度を全て付与する（除く従来例）
- 成長条件（２）成膜時の圧力Ｐ 請求項＋実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する（除く従来例）
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式（１）基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 装置の形式（２）成膜室の形態 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱（照射）・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
