ホール効果測定 の意味・用法を知る

ホール効果測定 で測定される自由正孔濃度は例えば２．０×１０17〜１０×１０17／ｃｍ3である。

• 公開日：2012/10/11
• 出典：多波長発光素子及びその製造方法
• 出願人：国立大学法人山口大学

ホールバーによる ホール効果測定 でホール電圧の磁場依存性から、ｐ型半導体であることが明確に示されるｐ型酸化亜鉛薄膜、同薄膜を再現性良く製造する方法及びその発光素子を提供する。

• 公開日：2008/02/14
• 出典：ｐ型酸化亜鉛薄膜及びその作製方法
• 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

このｎ型ＧａＮ基板１の ホール効果測定 による基板キャリア濃度は、５×１０18ｃｍ-3である。

• 公開日：2008/09/11
• 出典：窒化物系半導体素子の製造方法
• 出願人：三洋電機株式会社

また、 ホール効果測定 により測定できる酸化物半導体膜のキ ャリア密度は、１×１０１４／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３未満、さら に好ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満とする。

• 公開日：2020/03/26
• 出典：液晶表示装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

また、石英基板上に膜厚３００ｎｍの成膜を行い、成膜後のサンプルと、窒素雰囲気下４ ５０℃、１時間の加熱処理を行った後のサンプルの窒素を含むＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜の ホール効果測定 （ホール効果装置：ＲｅｓｉＴｅｓｔ８３００シリーズ、（株）東陽テク ニカ製を使用）を行った。

• 公開日：2020/03/26
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

ホール効果測定 により測定される酸化物半導体のキャリア濃度は、シリコンの 真性キャリア濃度１．４５×１０１０／ｃｍ３と同等、もしくはそれ以下である。

• 公開日：2020/02/27
• 出典：半導体装置の作製方法
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

図４（ｂ）のキャリア密度及び図４（ｃ）の移動度は、 ホール効果測定 器によって計測される。

• 公開日：2020/02/20
• 出典：薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、及び酸化物半導体膜
• 出願人：株式会社アルバック

高抵抗で ホール効果測定 が困難である場合は、フォトルミネッセンス（ＰＬ）によるアクセプタ由来のピーク（３８５〜４００ｎｍ）の有無や、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によって、アクセプタ元素（Ｍｇ等）及びドナー元素（Ｓｉ等）の含有量を比較し、どちらが１桁以上多く含まれているか否かで判定する。

• 公開日：2020/02/20
• 出典：積層体及びその製造方法
• 出願人：出光興産株式会社

また、 ホール効果測定 により測定できる酸化物半導体膜のキャリア密度は、１×１０ １４／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１ １／ｃｍ３未満とする。

• 公開日：2020/01/30
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

この成膜方法により形成したβ型酸化ガリウム膜の特性を ホール効果測定 によって測定したところ、６．５×１０１８ｃｍ−３のキャリア密度と、５５ｃｍ２／Ｖｓｅｃの移動度を観測した。

• 公開日：2020/01/23
• 出典：成膜方法、及び、半導体装置の製造方法
• 出願人：株式会社デンソー