バルク体 の意味・用法を知る
バルク体の意味・用法
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低熱伝導率化を図ることができると共に、基材等に直接接着剤等を用いて設置することができ、 バルク体 の設置を容易にすることができる多孔質セラミック構造体を提供する。
- 公開日:2017/12/07
- 出典:多孔質セラミック積層体およびその作製方法
- 出願人:日本碍子株式会社
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[T1]/[B]のmol比が14.0以下であるR1−T1−B−M1系合金 バルク体 を準備する工程と、R2−Cu−Ga−Fe−A系合金を準備する工程と、R1−T1−B−M1系合金バルク体の表面の少なくとも一部に、R2−Ga−Fe−A系合金の少なくとも一部を接触させ、700℃以上950℃以下の温度で第一の熱処理を実施する工程と、第一の熱処理が実施されたR1−T1−B−M1系合金バルク体に対して450℃以上600℃以下の温度で第二の熱処理を実施する工程と、によって、[T2]/[B]のmol比が14.0超であるR3−T2−B−M2系磁石を得る。
- 公開日:2018/04/12
- 出典:R-T-B系磁石の製造方法
- 出願人:日立金属株式会社
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[T1]/[B]のmol比が14.0以下であるR1−T1−B−Cu−M1系合金 バルク体 を準備する工程と、R2−Ga−Fe−A系合金を準備する工程と、R1−T1−B−Cu−M1系合金バルク体の表面の少なくとも一部に、R2−Ga−Fe−A系合金の少なくとも一部を接触させ、700℃以上950℃以下の温度で第一の熱処理を実施する工程と、第一の熱処理が実施されたR1−T1−B−Cu−M1系合金バルク体に対して450℃以上600℃以下の温度で第二の熱処理を実施する工程と、によって、[T2]/[B]のmol比が14.0超であるR3−T2−B−Cu−M2系磁石を得る。
- 公開日:2018/04/12
- 出典:R-T-B系磁石の製造方法
- 出願人:日立金属株式会社
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単結晶状のREBa2Cu3O7−x(REは、希土類元素)相中にRE2BaCuO5相が分散した酸化物超電導 バルク体 (所謂QMG(登録商標)バルク体)は、高い臨界電流密度(以下、「Jc」と示すこともある。
- 公開日:2018/02/01
- 出典:バルクマグネット構造体及びNMR用バルクマグネットシステム
- 出願人:新日鐵住金株式会社
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多孔質アルミニウム体とアルミニウム バルク体 との接合強度に優れた高品質の多孔質アルミニウム複合体、及び、この多孔質アルミニウム複合体の製造方法を提供する。
- 公開日:2016/01/14
- 出典:多孔質アルミニウム複合体及び多孔質アルミニウム複合体の製造方法
- 出願人:三菱マテリアル株式会社
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[T1]/[X]のmol比が13.6以上であることを主たる特徴とするR1−T1−X(R1は主としてNd、T1は主としてFe、Xは主としてB)系合金 バルク体 を準備する工程、R2−Ga−Cu(R2は主としてPrおよび/またはNdであり65mol%以上95mol%以下、[Cu]/([Ga]+[Cu])がmol比で0.1以上0.9以下)系合金を準備する工程、R1−T1−X系合金バルク体表面の少なくとも一部にR2−Ga−Cu系合金の少なくとも一部を接触させ、450℃以上600℃以下の温度で熱処理する工程、を含む。
- 公開日:2017/04/06
- 出典:R-T-B系磁石の製造方法
- 出願人:日立金属株式会社
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ベリリウム反射体24やベリリウムH形枠26などの中性子反射体は、ベリリウム バルク体 24a,26aと、ベリリウムバルク体24a,26aの表面に設けられた表面層24b,26bを備えている。
- 公開日:2015/04/27
- 出典:中性子反射体及び原子炉
- 出願人:日本碍子株式会社
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高温超伝導層を含む高温超伝導線材と高温超伝導 バルク体 とが接続された、高温超伝導線材の低抵抗接続体であって、前記高温超伝導層の融点が、前記高温超伝導バルク体の融点よりも高く、前記高温超伝導線材と前記高温超伝導バルク体の接続箇所では、前記高温超伝導層と前記高温超伝導バルク体とが接触しており、前記高温超伝導バルク体のうち前記高温超伝導層と接触する面は、結晶成長により結晶化されている。
- 公開日:2017/03/23
- 出典:高温超伝導線材の低抵抗接続体および接続方法
- 出願人:独立行政法人理化学研究所
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異方性主相合金からなる バルク体 に希土類元素を含む拡散合金体を近接配置させて加熱する工程において、バルク体の磁化容易方向の膨張に対する拘束力を与えつつ希土類元素を拡散させる。
- 公開日:2015/04/27
- 出典:希土類磁石の製造方法
- 出願人:国立研究開発法人物質・材料研究機構
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...電導バルクマグネットを提供する。 単結晶状RE1Ba2Cu3Oy(REはY又は希土類元素から選ばれる1種以上。6.8≦y≦7.1)中にRE2BaCUO5が分散し、上面と下面と側面とを備える超電導 バルク体 を複数組み合わせた超電導バルクマグネットであって、超電導バルク体とその側面を覆うように配置されたバルク体補強部材とからなるバルク体ユニットが、同一方向を向き、互いに接するように配置されて集合体を形成し、集合体の側面は集合体側面補強部材により覆われ、集合体の上面および下面は集合体上部補強部材および集合体下部補強部材により覆われ、集合体側面補強部材と集合体上部補強部材と集合体下部補強部材とが一体化...
- 公開日:2017/08/31
- 出典:酸化物超電導バルクマグネット
- 出願人:新日鐵住金株式会社
バルク体の問題点 に関わる言及
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更に、貴金属の補強体は酸化物超電導 バルク体 を構成する材料よりも熱伝導性が良好であるので、この補強体を利用して酸化物超電導バルク体の熱を外部に効率良く排出することが可能となり、熱はけの良好な酸化物超電導バルク体を提供することができる。
- 公開日: 2010/05/06
- 出典: 酸化物超電導バルク体の製造方法および酸化物超電導バルク体
- 出願人: 公益財団法人鉄道総合技術研究所
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さらに低温超伝導コイルの中心に高温超伝導バルクを配置すると、例えば、これを磁気浮上などに利用した場合、低温超伝導体がクエンチしても、 バルク体 が状態を保つため、急激な変化の緩和が可能となる。
- 公開日: 1995/04/25
- 出典: 高温超伝導バルク体とコイル磁石の複合体
- 出願人: 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター
バルク体の特徴 に関わる言及
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重金属無機化合物(I)
- 構成元素(亜鉛化合物)
- 製造および処理(亜鉛化合物)
- 有用性(亜鉛化合物)
- 形状・構造(亜鉛化合物)
- 構成元素(カドミウム硫化物)
- 製造および処理(カドミウム硫化物)
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- 構成元素(チタン化合物)
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- 超電導材料の形状
- 材料のマクロ,ミクロ構造,物性の特定
- 超電導材料の組成(クレ−ム)
- 製法1 原料、原料混合物の調整
- 製法2 固体原料の焼成によるもの
- 製法3 溶液からの晶出、融液からの製造
- 製法4 基板上への膜形成(気相法を除く)
- 製法5 気相からの製造(蒸着)
- 製法6 気相からの製造(CVD)
- 気相法共通
- 超電導材料の処理・その他
- 用途(クレ−ム)
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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多孔質人造石または多孔質セラミック製品
- 形状、構造に特徴がある多孔質人造石
- 含水材料を原料とする多孔質人造石
- 含水材料を原料とする多孔質人造石の製造
- 多孔質繊維板に用いる結合剤
- 多孔質繊維板に用いる繊維
- 多孔質繊維板の成形
- 多孔質人造石
- 多孔質セラミック繊維板
- 多孔質セラミック製品
- 多孔質セラミック製品の製造
- 金属粉末を添加する多孔質人造石の基材
- 金属粉末を添加する多孔質人造石への添加剤
- 金属粉末を添加する多孔質人造石の用途
- 発泡剤を用いる多孔質セラミック製品の製造
- 焼失による多孔質粘土製品の製造
- 多孔質物品に用いる結合剤
- 多孔質物品に用いる多孔質材料
- 多孔質物品に用いるその他の成分
- 多孔質物品の用途
- 起泡剤を用いる多孔質人造石の製造
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珪酸塩及びセ゛オライト、モレキュラーシーブ
- 特種プロセス・装置(クレーム)
- 構成元素 族番号 新、長、短
- 有機化合物(含.無機錯体、無機ポリマー)
- 機能的物質(剤)(添加剤、処理剤)(クレーム)
- 状態(組織)・形状(原料、添加剤等)
- ケイ酸塩
- ケイ酸アルカリ
- アルカリ土類金属ケイ酸塩
- その他の金属ケイ酸塩(除.Al)
- Al2O3‐SiO2系化合物
- CB−CEを成分とする複合体又は組成物
- 塩基交換性ケイ酸Al塩(除ゼオライト)
- 粘土鉱物処理物及び複合体(含,組成物)
- 粘土の抽象的、包括的表現
- ゼオライト(Z)及びモレキュラーシーブ(MS)
- ゼオライト複合体、組成物、処理物(クレーム)
- 製造、処理、修飾の目的
- 出発及び中間原料(クレーム)
- 合成
- I.操作、関連事項(FC、FE共通)(クレーム)
- 2.変質、変性処理
- III.特定物質を用いる処理(除、イオン交換→FD08)
- 物質の同定及び物性
- 測定法
- 機能用途(明細書)
- 分野用途(明細書)