ドレイン端子 の意味・用法を知る

無線周波数（ＲＦ）信号をスイッチするように構成される回路であって、ソース端子、ゲート端子、 ドレイン端子 およびボディ端子を含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と、前記ソース端子、前記ドレイン端子および前記ボディ端子に接続されるボディバイアス回路と、を備え、前記ボディバイアス回路は、前記ＦＥＴに印加されるＲＦ信号に基づく負のバイアス電圧を引き出し、前記ＦＥＴがオフ状態のときに前記負のバイアス電圧を前記ボディ端子に供給するように構成される、回路。

• 公開日：2014/08/25
• 出典：ボディバイアスされたスイッチ装置
• 出願人：コーボユーエス、インコーポレイテッド

ダイオードを駆動するためのダイオード駆動回路であって、第１のトランジスタと、ダイオードに接続された第２のトランジスタとを有し、第１のトランジスタに流れる電流を第２のトランジスタにミラーする第１のカレントミラー回路と、第１のトランジスタに流れる電流を予め定められた電流値に設定する電流設定部と、第１のトランジスタの ドレイン端子 に接続され、第１のトランジスタのドレイン端子の電圧を予め定められた電圧に設定する電圧設定部とを備えるダイオード駆動回路。

• 公開日：2017/08/31
• 出典：ダイオード駆動回路およびダイオード駆動システム
• 出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社

第１ ドレイン端子 に結合されたドレイン相互接続モジュール及び第２ゲート端子に結合されたゲート相互接続モジュールは、第１スイッチモジュール及び第２スイッチモジュールを介して流れる電流を平衡にするために誘導結合される。

• 公開日：2017/02/23
• 出典：電流／電力の平衡のための方法及び装置
• 出願人：トヨタモーターエンジニアリングアンドマニュファクチャリングノースアメリカ，インコーポレイティド

レギュレータ５０は、出力電圧を出力する出力端子Ｑと、出力電圧及び基準電圧の比較結果を出力する差動部３と、差動部３の出力が入力される制御端子、駆動電源に接続された ドレイン端子 、及び出力端子Ｑに接続されたソース端子を有するＤＭＯＳトランジスタ５と、定電圧が入力される制御端子、ＤＭＯＳトランジスタ５のソース端子及び出力端子に接続されたドレイン端子、並びに接地されたソース端子を有する負荷トランジスタ６と、を含むソースフォロア回路４とを備え、基準電圧を供給する基準電圧発生回路１と駆動電源とを別電源にする。

• 公開日：2016/10/13
• 出典：半導体装置
• 出願人：ラピスセミコンダクタ株式会社

蓄電デバイス４の正極端にＭＯＳＦＥＴ９ｂ（第１正極端接続用スイッチ）の ドレイン端子 が接続され、ＭＯＳＦＥＴ９ｂのソース端子とＭＯＳＦＥＴ９ｅ（バイパス用スイッチ）のドレイン端子が接続され、その接続点とＭＯＳＦＥＴ９ｄのソース端子が接続される。

• 登録日：2018/12/07
• 出典：電源装置
• 出願人：三菱電機株式会社

バイアス回路３６４は、 ドレイン端子 とソース端子とをオン状態のとき第１直流電圧でバイアスし、オフ状態のとき第２直流電圧でバイアスする。

• 公開日：2014/03/06
• 出典：非負バイアスの切替装置
• 出願人：コーボユーエス、インコーポレイテッド

ドレイン端子 ９１１は、ＧａＮトランジスタ９０１のドレインに接続され、ソース端子９１２は、ＭＯＳＦＥＴ９０２のソースに接続され、ＧａＮトランジスタ９０１のソース及びＭＯＳＦＥＴ９０２のドレインは共通接続される。

• 公開日：2017/04/20
• 出典：複合型半導体装置
• 出願人：シャープ株式会社

前記第１トランジスタの ドレイン端子 を前記第１端子に接続し、ゲート端子を前記第４端子に接続し、前記第２トランジスタのドレイン端子を前記第２端子に接続し、ゲート端子を前記第３端子に接続してなることを特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか１項記載の高周波回路。

• 公開日：2015/05/21
• 出典：高周波回路及び高周波発振器
• 出願人：三菱電機株式会社

図２に示すように、ＦＥＴモジュール１０は、外観上、本体部１００と、 ドレイン端子 部１０１と、ソース端子部１０２と、ゲート端子部１０３とを備えている。

• 公開日：2016/05/30
• 出典：電子装置
• 出願人：株式会社デンソー

アンチヒューズバラクタ２３０−は、第３ゲート端子Ｇ３と、第３ ドレイン端子 Ｄ３と、第２ドレイン端子に結合した第３ソース端子Ｓ３とを有する。

• 公開日：2017/08/03
• 出典：ワンタイムプログラマブルメモリセル、該メモリセルを含むメモリアレイのプログラム方法及び読み込み方法
• 出願人：力旺電子股ふん有限公司