ドレイン の意味・用法を知る

ソース接続フィールドプレート１４５は、ゲート接続フィールドプレート１４０の ドレイン 側端部の上方に配設され、かつ、ドレインに向けて横方向に延在している。

• 公開日：2016/06/30
• 出典：高電子移動度トランジスタ
• 出願人：パワーインテグレーションズ、インコーポレイテッド

ゲートＧと金属酸化物層Ａは対向設置され、保護層Ｐは金属酸化物層Ａ上に設置され、ソースＳと ドレイン Ｄはそれぞれ保護層Ｐの開口部Ｈを通じて金属酸化物層Ａに接続される。

• 公開日：2016/09/15
• 出典：表示パネル及び表示装置
• 出願人：ティーピーオーディスプレイズコーポレイション

画素セルは、半導体層内に位置する第１導電型の不純物領域と、半導体層の上方に位置し、不純物領域に電気的に接続される光電変換部と、第1ソース、第1 ドレイン および第１ゲート電極を有し、第1ソースおよび第1ドレインの一方が不純物領域に電気的に接続される第１トランジスタと、第1ソース、第２ドレインおよび第２導電型の第２ゲート電極を有し、不純物領域を第２ソースおよび第２ドレインの一方として含み、第２ゲート電極が不純物領域に電気的に接続される第２トランジスタと、第３ソース、第３ドレインおよび第３ゲート電極を有し、第３ゲート電極が光電変換部に電気的に接続される第３トランジスタと、を備える。

• 公開日：2017/09/21
• 出典：撮像装置
• 出願人：パナソニックＩＰマネジメント株式会社

ｐ型仕切り領域４は、 ドレイン 側の部分４Ｈの不純物濃度Ｃp1をソース側の部分４Ａの不純物濃度Ｃp2よりもΔＣphだけ高くし、かつソース側の部分４Ａの一部分４Ｌの不純物濃度Ｃp3を相対的に低くしたｐ型不純物濃度プロファイルに設定される。

• 公開日：2018/03/22
• 出典：半導体装置および半導体装置の製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

ゲートスタックが、ソース及び ドレイン 間の上の半導体表面上にある。

• 公開日：2018/04/05
• 出典：パワートランジスタのための可変ストライプ幅を備えた希薄されたドリフト層
• 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

コンパレータを用いた発振器回路において、コンパレータの利得部内の増幅器として用いられるＭＯＳＦＥＴのゲート・ ドレイン 間のミラー容量及び同ＭＯＳＦＥＴのゲート容量の充放電を制御し、比較的高周波の制御信号が外部から入力された場合でも該制御信号にコンパレータ出力が追従できるようにする。

• 公開日：2018/03/15
• 出典：コンパレータを用いた発振器回路
• 出願人：富士電機株式会社

この温度シミュレーション方法は、 ドレイン モデルを生タイヤモデルの内腔内に配置する工程Ｓ５３、ドレインモデルにドレインの材料特性を入力する工程Ｓ４、コンピュータ１が、金型の温度、水蒸気を含む高圧の気体の温度及び熱伝達率、並びに、ドレインの温度に基づいて、生タイヤモデルの温度を計算する工程Ｓ７を含む。

• 公開日：2018/03/08
• 出典：生タイヤの温度シミュレーション方法及びタイヤの加硫方法
• 出願人：住友ゴム工業株式会社

第１電源端子に ドレイン が接続され出力端子にソースが接続された第１導電型のトランジスタによって前記出力端子と接地端子との間に接続された負荷を駆動する負荷駆動回路の負荷電流を検出する負荷電流検出回路であって、前記第１トランジスタと同一制御電圧で制御されドレインが前記第１電源端子に接続される第１導電型の第２トランジスタと、前記第１トランジスタのソースと前記第２トランジスタのソース間に接続された検出抵抗と、第２電源端子にドレインが接続されゲートとソースが共通接続されたデプレッション型で第１導電型の第３トランジスタと、前記検出抵抗がゲート・ソース間に接続され前記第３トランジスタのソースにドレインが接続さ...

• 公開日：2018/01/25
• 出典：負荷電流検出回路
• 出願人：新日本無線株式会社

...、第１の電位入力端子と、第２の電位入力端子と、を有し、前記ＮＡＮＤ回路は、第２の入力端子と、第３の入力端子と、第２の出力端子と、第３の電位入力端子と、第４の電位入力端子と、を有し、前記第２の出力端子は、前記第１の入力端子と電気的に接続され、前記第１の電位入力端子は、前記第１のトランジスタのソース又は ドレイン の一方と電気的に接続され、前記第４の電位入力端子は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方には、高電位電源からの電位が入力され、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方には、低電位電源からの電位が入力され、...

• 公開日：2016/08/18
• 出典：半導体装置、記憶装置、電子機器
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

...ートは、第１の配線に電気的に接続され、第２のトランジスタのゲートと、第４のトランジスタのゲートは、第２の配線に電気的に接続され、前記第５のトランジスタのゲートは、前記第３の配線に電気的に接続され、前記第６のトランジスタのゲートは、前記第４の配線に電気的に接続され、前記第５のトランジスタのソースまたは ドレイン の一方と、前記第６のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、電気的に接続され、前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、に電気的に接続され、前記第６のトランジスタのソー...

• 公開日：2017/02/16
• 出典：半導体装置、電子部品、及び電子機器
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所