ドレイン の意味・用法を知る

第一、第二 ドレイン （４２、４４）が第一、第二ゲート（１１、１３）に相対して移動するとき、第一交差区域（Ｄ）と第二交差区域（Ｅ）の面積は同時変化し、かつこの変化量は同様である。

• 公開日：2017/09/07
• 出典：ＴＦＴマトリックス基板の構造
• 出願人：深せん市華星光電技術有限公司

入力端子２ａ若しくは２ｂとスイッチ素子１１の間に設けられた第１のコイル７（ＬＦ）と、スイッチ素子１１の ドレイン −ソース間に設けられた第１のコンデンサ８（ＣＦ）と、スイッチ素子１１のドレイン—ソース間に直列に設けられた第２のコンデンサ１０（ＣＭＲ）と、第２のコイル９（ＬＭＲ）で構成され、前記第２のコイル９と前記第２のコンデンサ１０で設定する直列共振周波数が駆動周波数の２倍よりも大きく２．７５倍よりも小さく設定することで、スイッチ素子１１のドレイン−ソース電圧を確実に低減する。

• 公開日：2016/08/22
• 出典：共振インバータおよびスイッチング電源装置
• 出願人：ＴＤＫ株式会社

前記比較部はさらに、前記初期化時に前記第1のトランジスタのゲートおよび ドレイン を接続し、前記比較処理の実行時に前記第1のトランジスタのゲートおよびドレインを切り離す第1のスイッチ素子と、前記初期化時に前記第2のトランジスタのゲートおよびドレインを接続し、前記比較処理の実行時に前記第2のトランジスタのゲートおよびドレインを切り離す第2のスイッチ素子と、第1の端子が前記第1のトランジスタのゲートに接続されるとともに第2の端子に前記参照信号が入力され、前記初期化時に第1のトランジスタのドレインの電圧をサンプリングする第2の容量素子と、第1の端子が前記第2のトランジスタのゲートに接続されるとともに第2...

• 公開日：2015/10/05
• 出典：撮像装置
• 出願人：オリンパス株式会社

...よび第２信号を前記出力回路に供給するプリドライバ回路を備え、前記外部接続端子は、前記第１の場合には、前記第１信号および前記第２信号に応じた出力信号を出力し、前記出力回路は、ソースが前記第１電源ノードに接続され、ゲートに前記第１信号が入力される第１ＰＭＯＳトランジスタと、前記第１ＰＭＯＳトランジスタの ドレイン と前記外部接続端子との間にカスコード接続される第２ＰＯＳトランジスタおよび第３ＰＭＯＳトランジスタと、ソースが第２電源ノードに接続され、ゲートに前記第２信号が入力される第１ＮＭＯＳトランジスタと、前記外部接続端子と前記第２電源ノードとの間で、前記第１ＮＭＯＳトランジスタにカスコード接続される...

• 公開日：2017/09/21
• 出典：半導体集積回路
• 出願人：株式会社東芝

直流電源の正極にソースが接続されるＦＥＴと、前記ＦＥＴの ドレイン に入力端が接続される微分回路と、前記直流電源の正極に入力端が接続される遅延回路と、前記遅延回路の出力端と前記ＦＥＴのゲートと前記微分回路の出力端に接続され前記微分回路の出力端の電圧に比例した電圧を他の２端子間に出力する電圧源とを備え、前記直流電源投入後、前記ＦＥＴのソースとゲート間の電位差が前記ＦＥＴのゲート閾値を超えた以降、前記直流電源の電源を切るまで、前記ＦＥＴのソースとゲートの間の電位差が前記ゲート閾値を超える様に設定され、前記ＦＥＴの前記ドレインと前記直流電源の負極を出力とする。

• 公開日：2016/08/04
• 出典：電源回路および電源装置
• 出願人：ＮＥＣプラットフォームズ株式会社

出力トランジスタの ドレイン に接続された第一の入力端子と、電源端子に接続された第二の入力端子と、第一の入力端子に接続されたオーバーシュート検出回路と、第二の入力端子に接続された電源電圧検出回路を備え、出力電圧と電源電圧が所定の電圧より大きく変動した時に、誤差増幅回路にブースト電流を流す制御回路を備えた。

• 公開日：2016/12/22
• 出典：ボルテージレギュレータ
• 出願人：エイブリック株式会社

相互接続レベル上の第４の相互接続部４０８は、ＮＭＯＳ ドレイン の第２のサブセットを互いに接続する。

• 公開日：2018/01/25
• 出典：エレクトロマイグレーションに対処するためのレイアウト構造
• 出願人：クゥアルコム・インコーポレイテッド

ソースおよび ドレイン 間に内蔵ダイオードを有するＭＯＳＦＥＴと、ＭＯＳＦＥＴのソースに接続したソース側電流経路およびドレインに接続したドレイン側電流経路と、ソース側電流経路にアノードが接続し、ドレイン側電流経路にカソードが接続する第１のダイオードと、第２のダイオードとを備え、第２のダイオードは、ドレイン側電流経路において、ＭＯＳＦＥＴのドレインにカソードが接続し、かつ、第１のダイオードのカソードにアノードが接続し、または、ソース側電流経路において、ＭＯＳＦＥＴのソースにアノードが接続し、かつ、第１のダイオードのアノードにカソードが接続する、半導体装置を提供する。

• 公開日：2016/06/23
• 出典：半導体装置および半導体パッケージ
• 出願人：富士電機株式会社

一実施形態において、 ドレイン ‐本体間の接合静電容量を低減し、トランジスタの性能を向上させるべく、深いウェル注入は、僅かにドープされた延長型ドレインと基板との間に配置され得る。

• 公開日：2017/08/10
• 出典：高電圧電界効果トランジスタのための延長型ドレイン構造
• 出願人：インテルコーポレイシヨン

画素回路（２０）は第１薄膜トランジスタ（M1）、第２薄膜トランジスタ（M2）および第７薄膜トランジスタ（M7）の手段によって有機発光ダイオード（OLED）のアノードを初期化し、第１薄膜トランジスタ（M1）、第３薄膜トランジスタ（M3）および第７薄膜トランジスタ（M7）の手段によって駆動要素として振る舞う第６薄膜トランジスタ（M6）のゲートおよび ドレイン を初期化し、OLEDの製品寿命と第６薄膜トランジスタ（M6）の製品寿命とが延長される。

• 公開日：2017/12/07
• 出典：画素回路、そのための駆動方法および有機発光ディスプレイ
• 出願人：昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司