ドレイン の意味・用法を知る

...ート信号（ＳＴ（Ｎ＋１））に接続され、前記プルアップ制御回路（１００）は、第Ｎ−１ステージシフトレジスタからのスタート信号（ＳＴ（Ｎ−１））に接続され、前記プルダウン保持回路（６００）は、第１〜第１５トランジスタを備え、第１トランジスタ（Ｔ３２）は、そのゲートが第１回路点（Ｐ（Ｎ））に接続され、その ドレイン 及びソースがそれぞれ前記第Ｎステージ走査線（Ｇ（Ｎ））及び第１入力直流電圧（ＶＳＳ１）に接続され、第２トランジスタ（Ｔ４２）は、そのゲートが前記第１回路点（Ｐ（Ｎ））に接続され、そのドレイン及びソースがそれぞれ前記ゲート信号点（Ｑ（Ｎ））及び第２入力直流電圧（ＶＳＳ２）に接続され、第３トラン...

• 公開日：2017/11/24
• 出典：液晶表示用ＧＯＡ回路及び液晶表示装置
• 出願人：深せん市華星光電技術有限公司

本発明は、斜めフィールドプレートパワーデバイス及び斜めフィールドプレートパワーデバイスの製造方法を提供する。前記デバイスは、基板（１１）と、多層半導体層（１２）と、ソース（１３）と、 ドレイン （１４）と、ゲート（１５）と、誘電体層（１６）と、凹溝と、斜めフィールドプレート構造（１７）とを備え、前記多層半導体層は、前記基板上に位置し、前記ソース及びドレインは、前記多層半導体層上に位置し、前記ゲートは、ソースとドレインとの間に位置し、前記誘電体層は、前記ゲート上に位置し、ゲートとソースとの間の多層半導体層上に位置し、ゲートとドレインとの間の多層半導体層上に位置し、前記凹溝は、前記ゲートとドレインとの...

• 公開日：2017/10/05
• 出典：斜めフィールドプレートパワーデバイス及び斜めフィールドプレートパワーデバイスの製造方法
• 出願人：蘇州捷芯威半導体有限公司

一実施形態は、フィンを有し、フィンは、ソース領域幅及びソース領域高さを有するソース領域と、チャネル領域幅及びチャネル領域高さを有するチャネル領域と、 ドレイン 幅及びドレイン高さを有するドレイン領域と、チャネル領域の側壁上に形成されるゲート誘電体とを含む、非プレーナ型トランジスタを備える装置であって、（ａ）ソース領域幅より広いチャネル領域幅、（ｂ）第１位置で第１ゲート誘電体厚さと、第２位置で第２ゲート誘電体厚さとを含み、第１及び第２位置は側壁上の有効高さに配置され、第１及び第２ゲート誘電体厚さは、互いに等しくない、ゲート誘電体、のうちの少なくとも１つを含む、装置を含む。他の複数の実施形態が、本明細...

• 公開日：2017/07/13
• 出典：可変サイズのフィンを有するマルチゲートトランジスタ
• 出願人：インテルコーポレイシヨン

パターン異常が生じても、耐圧の低下が発生せず、耐圧不良に至ることがないＬＯＣＯＳ ドレイン 型ＭＯＳトランジスタを搭載した集積回路を提供する。

• 公開日：2016/05/23
• 出典：半導体装置
• 出願人：エイブリック株式会社

砂質土層で覆われたシルト層を含む改良区の地盤改良工法であって、前記改良区の周囲を囲むように、前記砂質土層の底部にまで届く深さの止水壁を形成する工程と、前記改良区の内側に、前記シルト層の内部に到達する深さの鉛直 ドレイン を打設する工程と、前記改良区の内側に、前記砂質土層内の水を排水する補助排水ドレインを打設する工程と、前記鉛直ドレイン及び前記補助排水ドレインが設置された前記改良区の表面を気密性を有するシート材で覆う工程と、前記補助排水ドレインに真空ポンプを接続する工程と、前記真空ポンプを作動させて、前記補助排水ドレインを通じて前記砂質土層の排水を行うとともに、前記鉛直ドレインを通じて前記シルト層の...

• 公開日：2016/05/09
• 出典：地盤改良工法及び地盤改良システム
• 出願人：株式会社Ｐ・Ｖ・Ｃ

第１乃至第１２のトランジスタを有し、前記第１のトランジスタのソース又は ドレイン の一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１０のトランジスタのソース...

• 公開日：2017/08/17
• 出典：半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

また、ソース１０４と電荷蓄積部１０３との間に設けられた第１ゲート電極１０６と、電荷蓄積部１０３と ドレイン １０５との間に設けられた第２ゲート電極１０７とを備える。

• 公開日：2017/01/05
• 出典：半導体装置
• 出願人：東日本電信電話株式会社

パイロンに設けられる ドレイン および換気の構造を見直すことにより、パイロンにおける発火・引火防止を担保しながら、航空機において至上命題である重量低減、飛行性能向上をも図ることができる航空機のエンジンパイロンを提供する。

• 公開日：2015/09/07
• 出典：航空機のエンジンパイロンおよび航空機
• 出願人：三菱航空機株式会社

前記リーク電流検出回路は、リーク電流モニター用ＰＭＯＳトランジスタ、第１のＰＭＯＳトランジスタ、第１のＮＭＯＳトランジスタ、第２のＰＭＯＳトランジスタ、第２のＮＭＯＳトランジスタ、第３のＰＭＯＳトランジスタと、を有し、前記リーク電流モニター用ＰＭＯＳトランジスタは、ゲートとソースが接地され、 ドレイン は前記第１のＰＭＯＳトランジスタのソースに接続され、前記第１のＰＭＯＳトランジスタは、ゲートが前記基準電圧出力に接続され、ドレインは前記第１のＮＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、前記第１のＮＭＯＳトランジスタは、ゲートが前記基準電圧出力に接続され、ソースは電源電圧に接続され、前記第２のＰＭＯＳ...

• 公開日：2016/08/12
• 出典：定電圧回路及び発振装置
• 出願人：エイブリック株式会社

...２、第５乃至第８のｎチャネル型シリコントランジスタと、第１乃至第４の酸化物半導体トランジスタと、第１及び第２の容量素子と、高電位電源線と、接地電位電源線と、低電位電源線と、出力信号線と、反転出力信号線と、入力信号線と、反転入力信号線と、を有し、前記第１のｐチャネル型シリコントランジスタのソースまたは ドレイン の一方は、前記高電位電源線と電気的に接続され、前記第１のｐチャネル型シリコントランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記反転出力信号線と電気的に接続され、前記第１のｐチャネル型シリコントランジスタのゲートは、前記第６のｎチャネル型シリコントランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に...

• 公開日：2015/10/29
• 出典：レベルシフタ回路
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所