ドレイン の意味・用法を知る
ドレイン とは、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ や半導体メモリ などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社東芝 やルネサスエレクトロニクス株式会社 などが関連する技術を172,916件開発しています。
このページでは、 ドレイン を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
ドレインの意味・用法
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画素セルは、半導体層内に位置する第1導電型の不純物領域と、半導体層の上方に位置し、不純物領域に電気的に接続される光電変換部と、第1ソース、第1 ドレイン および第1ゲート電極を有し、第1ソースおよび第1ドレインの一方が不純物領域に電気的に接続される第1トランジスタと、第1ソース、第2ドレインおよび第2導電型の第2ゲート電極を有し、不純物領域を第2ソースおよび第2ドレインの一方として含み、第2ゲート電極が不純物領域に電気的に接続される第2トランジスタと、第3ソース、第3ドレインおよび第3ゲート電極を有し、第3ゲート電極が光電変換部に電気的に接続される第3トランジスタと、を備える。
- 公開日:2017/09/21
- 出典:撮像装置
- 出願人:パナソニックIPマネジメント株式会社
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p型仕切り領域4は、 ドレイン 側の部分4Hの不純物濃度Cp1をソース側の部分4Aの不純物濃度Cp2よりもΔCphだけ高くし、かつソース側の部分4Aの一部分4Lの不純物濃度Cp3を相対的に低くしたp型不純物濃度プロファイルに設定される。
- 公開日:2018/03/22
- 出典:半導体装置および半導体装置の製造方法
- 出願人:富士電機株式会社
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ゲートスタックが、ソース及び ドレイン 間の上の半導体表面上にある。
- 公開日:2018/04/05
- 出典:パワートランジスタのための可変ストライプ幅を備えた希薄されたドリフト層
- 出願人:日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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コンパレータを用いた発振器回路において、コンパレータの利得部内の増幅器として用いられるMOSFETのゲート・ ドレイン 間のミラー容量及び同MOSFETのゲート容量の充放電を制御し、比較的高周波の制御信号が外部から入力された場合でも該制御信号にコンパレータ出力が追従できるようにする。
- 公開日:2018/03/15
- 出典:コンパレータを用いた発振器回路
- 出願人:富士電機株式会社
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この温度シミュレーション方法は、 ドレイン モデルを生タイヤモデルの内腔内に配置する工程S53、ドレインモデルにドレインの材料特性を入力する工程S4、コンピュータ1が、金型の温度、水蒸気を含む高圧の気体の温度及び熱伝達率、並びに、ドレインの温度に基づいて、生タイヤモデルの温度を計算する工程S7を含む。
- 公開日:2018/03/08
- 出典:生タイヤの温度シミュレーション方法及びタイヤの加硫方法
- 出願人:住友ゴム工業株式会社
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第1電源端子に ドレイン が接続され出力端子にソースが接続された第1導電型のトランジスタによって前記出力端子と接地端子との間に接続された負荷を駆動する負荷駆動回路の負荷電流を検出する負荷電流検出回路であって、前記第1トランジスタと同一制御電圧で制御されドレインが前記第1電源端子に接続される第1導電型の第2トランジスタと、前記第1トランジスタのソースと前記第2トランジスタのソース間に接続された検出抵抗と、第2電源端子にドレインが接続されゲートとソースが共通接続されたデプレッション型で第1導電型の第3トランジスタと、前記検出抵抗がゲート・ソース間に接続され前記第3トランジスタのソースにドレインが接続さ...
- 公開日:2018/01/25
- 出典:負荷電流検出回路
- 出願人:新日本無線株式会社
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...、第1の電位入力端子と、第2の電位入力端子と、を有し、前記NAND回路は、第2の入力端子と、第3の入力端子と、第2の出力端子と、第3の電位入力端子と、第4の電位入力端子と、を有し、前記第2の出力端子は、前記第1の入力端子と電気的に接続され、前記第1の電位入力端子は、前記第1のトランジスタのソース又は ドレイン の一方と電気的に接続され、前記第4の電位入力端子は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方には、高電位電源からの電位が入力され、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方には、低電位電源からの電位が入力され、...
- 公開日:2016/08/18
- 出典:半導体装置、記憶装置、電子機器
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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...ートは、第1の配線に電気的に接続され、第2のトランジスタのゲートと、第4のトランジスタのゲートは、第2の配線に電気的に接続され、前記第5のトランジスタのゲートは、前記第3の配線に電気的に接続され、前記第6のトランジスタのゲートは、前記第4の配線に電気的に接続され、前記第5のトランジスタのソースまたは ドレイン の一方と、前記第6のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、電気的に接続され、前記第5のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、に電気的に接続され、前記第6のトランジスタのソー...
- 公開日:2017/02/16
- 出典:半導体装置、電子部品、及び電子機器
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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前記トランスコンダクタンス比例電流生成回路は、温度に対して電流値が安定した第1の電流を流す電流源と、温度に対して抵抗値が安定した抵抗と、ゲートと ドレイン が前記抵抗に接続して、前記第1の電流が流れる第1のPMOSトランジスタと、前記第1のPMOSトランジスタとゲートが共通で、前記第1の電流が流れる第2のPMOSトランジスタと、前記第2のPMOSトランジスタのドレインに、ゲートとドレインが接続し、ソースが接地する第1のNMOSトランジスタと、前記第1のNMOSトランジスタとゲートが共通で、ソースが接地し、前記第1の電流が流れる第2のNMOSトランジスタと、前記第1のPMOSトランジスタのゲート電圧...
- 公開日:2017/09/21
- 出典:オフセット補正回路およびトランスコンダクタンス比例電流生成回路
- 出願人:富士電機株式会社
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第1乃至第7のトランジスタと、第1乃至第5の配線と、を有し、前記第1のトランジスタのゲートは、前記第1の配線に電気的に接続され、前記第1のトランジスタのソース及び ドレイン の一方は、第1の電圧が与えられ、前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第5のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、前記第2のトランジスタのゲートは、前記第2の配線に電気的に接続され、前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第2の電圧が与えられ、前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第5のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、前記第3のトラン...
- 公開日:2016/04/21
- 出典:半導体装置
- 出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
ドレインの原理 に関わる言及
ドレインの特徴 に関わる言及
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ドレイン Dは、垂直転送路VRと水平転送段Hの間に設けられる。ドレインDをオンにすると、垂直転送路VRから転送される電荷はドレインDに排出され、水平転送段Hに電荷が転送されない。ドレインDをオフにすると、垂直転送路VRから転送される電荷はドレインD上を通過して水平転送段Hに到達する。
- 公開日: 1999/05/28
- 出典: 固体撮像素子及び電荷転送方法
- 出願人: 富士フイルムマイクロデバイス株式会社
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通常の現像装置は、バッチ式、枚葉式を問わず、現像槽と現像液タンクとにより構成され、現像液の単純な循環を伴う。現像液の現像力を維持するためには、処理枚数を管理して、所定の枚数を処理した後に現像液タンク内の現像液を一斉に ドレイン する方法か、または現像新液の補充と現像液タンク内の現像液のドレインを一定間隔で連続的に実施する方法がある。
- 公開日: 2007/04/19
- 出典: 現像装置
- 出願人: 凸版印刷株式会社
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増幅器一般
- 増幅器の種類(AA01−04の中から必ず1つ以上付与)
- 目的・効果
- 解決手段、解決思想
- 回路素子
- 回路要素
- 接続及び構成
- 構造
- 用途
- 図面情報(半導体構造、断面図、実体図はQA01−04に付与)
- ゲート増幅器の種類
- 双方向増幅器の種類
- 組合せ増幅器の目的・効果
- マイクロ波回路要素
- 入力段構成
- 増幅部構成
- 出力段構成
- 光受信信号増幅器
- 低周波及び高周波増幅器
- 変調型増幅器の目的
- 変調型増幅器の要素、構成
- 温度補償、電源電圧補償の目的
- 帰還の目的
- 温度補償、電源電圧補償の手段
- 歪低減のための手段
- 補償に用いる素子・構成要素、帰還回路の素子・構成要素
- 帰還の種類
- 帰還回路の構成
- 異常検出手段
- 保護手段
- 雑音発生防止手段
- 効率向上の手段
- 雑音発生源及び種類
- 電力増幅器の特殊な構成