ドレイン の意味・用法を知る

さらに、少なくとも１つのダイオードが、第１のトランジスタの ドレイン に結合され、入力パッドによって引き起こされる増幅器の内部ノードにおける電圧電位を制限するように構成され得る。

• 公開日：2016/01/18
• 出典：増幅器カスコードデバイスの静電放電保護
• 出願人：クゥアルコム・インコーポレイテッド

本明細書によって開示される車両側コネクタ１０は、前方に開口するフード状をなすコネクタ嵌合部２２を有し、コネクタ嵌合部２２の奥壁２３の下端部に排水孔２５が貫通して設けられたフロントハウジング（インレットハウジング２０）と、コネクタ嵌合部２２内に浸入した水を車外側へ排出可能な ドレイン 部９７を有し、フロントハウジングの後側に装着されるリアハウジング（リテーナ９０）とを備え、リアハウジングは、排水孔２５とドレイン部９７の間に位置し、車内側へ向かうにつれて下方へ向かう傾斜壁９５を備え、傾斜壁９５の下面９５Ａは、排水孔２５に臨むように位置している構成とした。

• 公開日：2017/11/24
• 出典：車両側コネクタ
• 出願人：住友電装株式会社

... ドレイン 電圧を分圧した帰還電圧をそれぞれ入力し、バッファ回路１０の出力端は、第３の抵抗素子Ｒ３を介して第４のトランジスタＭ４のソースと、直列接続された第４及び第５の抵抗素子Ｒ４、Ｒ５を介して第５のトランジスタＭ５のソースとに接続され、第４及び第５の抵抗素子Ｒ４、Ｒ５の接続点と第１の電圧源Ｖ１との間にドレインが接続されゲート−ソース間に所定の電圧を印加された第７のトランジスタＭ７を備える。

• 公開日：2017/05/25
• 出典：安定化電源回路
• 出願人：新日本無線株式会社

受光素子は、光を吸収する受光部、酸化膜により前記受光部と離隔されるソース（ｓｏｕｒｃｅ）及び ドレイン （ｄｒａｉｎ）、前記ソースとドレインとの間に形成され、前記ソースとドレインとの間に電流の流れを生成するチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）、そして、前記受光部に電圧を印加する感度調節端子を含み、前記受光部は第１型不純物でドーピングされ、前記ソース及びドレインは第２型不純物でドーピングされて、前記受光部に入射した光により励起された（ｅｘｃｉｔｅｄ）電子が前記ソース又はドレインにトンネリング（ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ）されることによる前記受光部の電荷量変化に基づいて前記チャンネルの電流の流れが制御され、前記感度調...

• 公開日：2017/12/14
• 出典：イメージセンサーの単位画素及びその受光素子
• 出願人：キム、フーン

すべての医師による胸腔（胸膜腔（Ｉ））内に異常に蓄積された空気（気胸）、血液（血胸）及び他の液体（胸水）のドレナージを可能とする単回使用胸膜ドレナージセットであって、胸膜ドレナージ装置（１）と、長軸上で２つに分割される分解可能構造のパイプ型切断ガイド（１５）であって、 ドレイン （２）の外側部に配置され、前記ドレイン（２）の直径より大きく、２本の肋骨の間で胸膜腔（Ｉ）内にドレイン（２）を配置するのを可能にする、パイプ型切断ガイド（１５）と、波形又はアコーディオン形状を有し、サイズを縮小したり拡大したりできるドレナージボトル（１８）と、前記ドレイン（２）と前記ドレナージボトル（１８）との接続をもたら...

• 公開日：2017/12/21
• 出典：肋膜ドレナージセット
• 出願人：トクル，マフムト

この半導体集積回路装置は、差動対を構成する第１のＭＯＳトランジスター及び第２のＭＯＳトランジスターと、第１及び第２のＭＯＳトランジスターの ドレイン にそれぞれ接続され、負荷トランジスター対を構成する第３のＭＯＳトランジスター及び第４のＭＯＳトランジスターと、第１のＭＯＳトランジスターのソースと第２のＭＯＳトランジスターのソースとの接続点に定電流を供給する第５のＭＯＳトランジスターとを備え、第５のＭＯＳトランジスターが、第１〜第４のＭＯＳトランジスターの各々のゲート幅以上のゲート幅を有すると共に、第１〜第４のＭＯＳトランジスターの各々のゲート長よりも大きいゲート長を有することを特徴とする。

• 公開日：2016/08/04
• 出典：プロジェクター
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

第２カレントミラーは、 ドレイン とゲートが短絡されてソースが電源電圧の印加端に接続された第１ｐチャネルＭＯＳＦＥＴと、第１ｐチャネルＭＯＳＦＥＴの前記ゲートとゲートが接続されてソースが前記電源電圧の印加端に接続された第２ｐチャネルＭＯＳＦＥＴを含むことを特徴とする請求項２に記載の差動回路。

• 公開日：2016/08/18
• 出典：差動回路
• 出願人：ローム株式会社

第１乃至第３のトランジスタと、第１乃至第３の容量素子と、を有し前記第１のトランジスタと、前記第３のトランジスタとは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを有し、前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース及び ドレイン の一方と電気的に接続され、前記第１のトランジスタのバックゲートは、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１の容量素子と電気的に接続され、前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方と電...

• 公開日：2018/02/15
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

...）に関し、前記半導体スイッチの ドレイン 接続部（Ｄ）および前記半導体スイッチのソース接続部（Ｓ）は、電圧入力（５）と負荷出力（６）との間に接続され、かつ前記半導体スイッチのゲート接続部（Ｇ）は、負荷電流（ＩＬ、Ｉｄｓ）を表す信号（ＳＩ）を入力端において供給される制御部（９）に接続され、制御部（９）は、ドレイン−ソース間電圧（Ｖｄｓ）を取得し、この電圧および検出された負荷電流（ＩＬ、Ｉｄｓ）から、半導体スイッチ（２）のゲート接続部（Ｇ）に送られる制御信号（ＳＧ）を生成し、当該制御信号（ＳＧ）を用いて半導体スイッチ（２）の電力（ＰＦＥＴ）が最大電力値（Ｐｍａｘ）以下に調整される。

• 公開日：2017/10/05
• 出典：電子回路遮断器
• 出願人：エレンベルガーウントペンスゲンゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

２つの半導体スイッチ２０，３０夫々の ドレイン 及びソース間の耐圧は互いに異なっている。

• 公開日：2016/09/01
• 出典：電流制御装置及び電源システム
• 出願人：株式会社オートネットワーク技術研究所