ダイヤモンド層 の意味・用法を知る
ダイヤモンド層 とは、結晶、結晶のための後処理 やＣＶＤ などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社神戸製鋼所 や住友電気工業株式会社 などが関連する技術を95件開発しています。
このページでは、 ダイヤモンド層 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
ダイヤモンド層の意味・用法
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次に、該レジストパターン２８が形成されたＳｉＯ２膜７上に、チタン（Ｔｉ）膜、金（Ａｕ）膜を順に成膜し、リフトオフすることによって、 ダイヤモンド層 ２６上にＳｉＯ２膜２７、チタン（Ｔｉ）／金（Ａｕ）パターン２９を順に形成する（図２（ｄ））。
- 公開日：2017/09/07
- 出典：ダイヤモンド基板の製造方法
- 出願人：信越化学工業株式会社
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先端は、開口部より ダイヤモンド層 の内部に位置している。
- 公開日：2018/03/01
- 出典：切削工具
- 出願人：住友電工ハードメタル株式会社
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気相合成法によるダイヤモンドの製造方法であって、ダイヤモンド種結晶を含む基板を準備する工程と、基板にイオン注入を行うことにより、基板の主面の表面から一定深さに、基板よりも光透過性の低い光吸収層を形成する工程と、基板の主面上に気相合成法により ダイヤモンド層 を成長させる工程と、ダイヤモンド層および基板の少なくともいずれかの主面の表面から光を照射し、前記光吸収層に光を吸収させて前記光吸収層を破壊することにより、ダイヤモンド層と基板とを分離する工程とを含む。
- 公開日：2017/05/25
- 出典：ダイヤモンドの製造方法
- 出願人：住友電気工業株式会社
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第１領域の結晶核から成長させた第１ ダイヤモンド層 を第１領域及び第２領域上に形成し、第１領域上の第１ダイヤモンド層を除去し、第２領域上の第１ダイヤモンド層から成長させた第２ダイヤモンド層を第１領域に形成する。
- 公開日：2018/02/15
- 出典：ダイヤモンド基板の製造方法及び半導体装置の製造方法
- 出願人：三菱電機株式会社
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これらの基材に対する炭素の固溶限界濃度は温度依存性が高く、基材の表面に ダイヤモンド層 を形成させた後に常温等まで冷却すると、炭素の基材への固容限界濃度は温度依存性が高いので、基材中に固溶していた炭素は基材表面、即ち、ダイヤモンド層と基材との間に層状構造からなるグラファイト層として析出し、この柔らかいグラファイト層が緩衝膜となり、ダイヤモンド層にひずみが発生しにくく、また、この部分で容易に剥離が生じるため、自立型のダイヤモンドが容易に得られる。
- 公開日：2016/12/22
- 出典：ダイヤモンドの製造方法
- 出願人：国立大学法人金沢大学
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基板と ダイヤモンド層 との分離時間を短縮させることのできるダイヤモンド複合体、基板およびダイヤモンドの製造方法、ならびに前記ダイヤモンド複合体から得られるダイヤモンドおよび前記ダイヤモンドを備える工具の提供。
- 公開日：2017/03/16
- 出典：ダイヤモンド複合体、ダイヤモンドおよびダイヤモンドを備える工具
- 出願人：住友電気工業株式会社
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基体と、該基体に隣接して位置する ダイヤモンド層 とを備えて、ラマン分光分析によって測定されるダイヤモンド結晶に由来するＳＰ３ピークと、グラファイト相に由来するＳＰ２ピークから求められる比（ＳＰ３／ＳＰ２）をＳＰ３比としたとき、前記基体と前記ダイヤモンド層との界面から前記ダイヤモンド層側に１μｍまでの厚みの第１測定点のＳＰ３比が、前記ダイヤモンド層の厚み方向の中間である第２測定点のＳＰ３比よりも高い被覆部材である。
- 公開日：2018/03/15
- 出典：被覆部材
- 出願人：京セラ株式会社
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多層基材は、複合層上にＣＶＤ成長された ダイヤモンド層 を含む。
- 公開日：2017/03/30
- 出典：ダイヤモンド層と、ダイヤモンドおよび炭化ケイ素を含み、かつ任意にケイ素を含む複合層とを備える基材
- 出願人：トゥー‐シックス・インコーポレイテッド
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ダイヤモンド層 は、構造体の少なくとも側部上に配設され、結晶窒化物層の第１主面との間に空隙が設けられている。
- 公開日：2018/03/08
- 出典：半導体装置及び半導体装置の製造方法
- 出願人：三菱電機株式会社
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ｐ型 ダイヤモンド層 ５０１とｎ型ダイヤモンド層５０３から発光層５０２に注入されたキャリアが、発光再結合することによってダイヤモンド発光ダイオードは波長２３５ｎｍを中心とした紫外線発光を示す。
- 公開日：2016/09/01
- 出典：発光素子
- 出願人：東日本電信電話株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴（クレーム）
- 材料１（元素状、合金）
- 材料２（酸化物）
- 材料３（複合酸化物）
- 材料４（酸素酸塩）
- 材料５（〜化物）
- 材料６（有機物）
- 固相成長
- 液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する）
- 液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先
- 液相成長３（融液の凝固によるもの）
- 液相成長４（ゾーンメルティング）
- 液相成長５（融液からの引き出し）
- 液相成長６（液相エピタキシャル）
- 気相成長１（蒸着、昇華）
- 気相成長２（ＣＶＤ）
- 結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く
- 結晶成長共通２（不純物のドーピング）
- 結晶成長共通３（原料の調製、原料組成）
- 結晶成長共通４（種結晶、基板）
- 結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護）
- 結晶成長共通６（基板への多層成長）
- 結晶成長共通７（装置、治具）
- 結晶成長共通８（検知、制御）
- 結晶成長共通９（特定の成長環境の付加）
- 後処理１（拡散源、その配置）
- 後処理２（後処理のための基板表面の前処理）
- 後処理３（気相からのドーピング）
- 後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング）
- 後処理５（加熱、冷却処理）
- 後処理６（結晶の接合）
- 後処理７（エッチング、機械加工）
- 後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用）
- 後処理９（その他）
- 後処理１０（装置、治具の特徴）
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱（集光加熱等）
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し（保護流体下も含む）
- 結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- ＰＶＤ
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- ＣＶＤ
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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炭素・炭素化合物
- 炭素・炭素化合物１（種類）
- 炭素・炭素化合物２（形状）
- 炭素・炭素化合物３（数値限定）
- 炭素・炭素化合物４（構造、性質、用途）
- 製造１（炭素原料、炭素前駆体）
- 製造２（前処理、ピッチ等の製造・処理）
- 製造３（製造工程、製造条件）
- 活性炭製造時の賦活・活性化、活性炭の再生
- 処理、後処理１（洗浄、精製、分離回収）
- 処理、後処理２（その他）
- 装置
- 一酸化炭素、二酸化炭素
- 原料、前駆体
- 製造、処理、取扱（ドライアイスはＬＡ）
- 除去すべき不純物
- 二酸化炭素の固体化（ドライアイスの製造）
- 炭化物、炭素・硫黄含有化合物１（種類）
- 炭化物、炭素・硫黄含有化合物２（その他）
- 原料、前駆体
- 炭化物、炭素・硫黄含有化合物の製造
- 処理、後処理、取扱
- 装置
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気相成長（金属層を除く）
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件（１）成膜温度Ｔ 請求項＋実施例に記載されている成膜温度を全て付与する（除く従来例）
- 成長条件（２）成膜時の圧力Ｐ 請求項＋実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する（除く従来例）
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式（１）基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 装置の形式（２）成膜室の形態 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱（照射）・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
