ソース の意味・用法を知る

半導体制御回路１は、第１スイッチング素子１０と第２スイッチング素子２０のゲート１１、２１を駆動するゲート駆動回路６０と、第２スイッチング素子２０に流れるセンス電流の電流値を検出する電流モニタ８０と、第１スイッチング素子１０がオフ状態のときに第２スイッチング素子２０の ソース ２３の電位を下げて第２スイッチング素子２０に定電流を流す定電流源５１と、第１スイッチング素子１０がオフ状態のときに第２スイッチング素子２０のソース２３の電位を検出する温度モニタ７０を備えている。

• 公開日：2017/09/28
• 出典：半導体制御回路
• 出願人：トヨタ自動車株式会社

...すシステムの全体構成図である。 テーブルとデータベースの構成図であって、（ａ）は、要素依存関係の例を示すテーブルの構成図、（ｂ）は、 ソース コードデータベースに保存されるテーブルの構成図、（ｃ）は、構成管理データベースの構成図、（ｄ）は、チェックフラグデータベースに保存されるテーブルの構成図である。 ソース構成管理部の処理を説明するためのフローチャートである。 ソース依存関係解析部の処理を説明するためのフローチャートである。 ソースメトリクス解析部の処理を説明するためのフローチャートである。 母体ソースコードに機能を追加する典型的な開発フローを示すフローチャートである。 ユーザインタフェース表示...

• 公開日：2018/01/11
• 出典：ソフトウェア開発支援方法及びシステム
• 出願人：クラリオン株式会社

本発明のダイヤモンド半導体装置１０は、ダイヤモンド基板１上に配され、｛１１１｝面が形成される第１導電型ダイヤモンド半導体層２と、第１導電型ダイヤモンド半導体層２の｛１１１｝面が形成される面上に配される導電型が第１導電型ダイヤモンド半導体層２と異なる第２ダイヤモンド半導体層で形成される ソース 領域３ａ及びドレイン領域３ｂと、全体又は一部が第１導電型ダイヤモンド半導体層２の｛１１１｝面上に配され、かつ、上面視で少なくともソース領域３ａとドレイン領域３ｂとの間に配されるゲート絶縁膜４と、ソース領域３ａ上に配されるソース電極５ａと、ドレイン領域３ｂ上に配されるドレイン電極５ｂと、ゲート絶縁膜４上に配され...

• 公開日：2018/01/11
• 出典：ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法
• 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

回路であって、ゲート、前記回路の第１のノードと接続された ソース 、および前記回路の第２のノードと接続されたドレインを有する第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタの前記ソースと前記ゲートとの間に接続された電圧制限デバイス、ここにおいて、前記電圧制限デバイスは、順方向バイアスされる場合、前記第１のトランジスタがサブスレショルド領域において動作するように、前記第１のトランジスタのゲート対ソース電圧（ＶＧＳ）を制限するように構成される、と、電流で前記電圧制限デバイスをバイアスするように構成された第２のトランジスタ、ここにおいて、前記第２のトランジスタのドレインは、前記第１のトランジスタの前記ゲート...

• 登録日：2020/05/29
• 出典：大きな抵抗に関するサブスレショルド金属酸化膜半導体
• 出願人：クゥアルコム・インコーポレイテッド

直流端子を備えたインバータ、直流 ソース 、別の直流ソース又は直流シンクを含むシステムの制御において、システムの経済性を高める。

• 公開日：2015/11/16
• 出典：インバータと直流電源と別の直流ソース及び／又は直流シンクを備えたシステムのための制御方法
• 出願人：アンビボックスゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

長期間保存した際にもコリアンダー本来の風味を有するアジアンテイストのコリアンダー ソース の提供。

• 公開日：2017/11/16
• 出典：コリアンダーソース
• 出願人：キユーピー株式会社

レギュレータ１００は、誤差増幅回路１０４の出力によって制御される出力トランジスタＭ１と、第１の端子１０１にゲートが接続された第１のＭＯＳトランジスタＭ２と、 ソース が第２の端子１０２に接続され、ゲートとドレインが前記第１のＭＯＳトランジスタＭ２のドレインに接続された第２のＭＯＳトランジスタＭ３と、ドレインが出力トランジスタＭ１のドレインと接続され、ゲートが第２のＭＯＳトランジスタＭ３のゲートに接続され、ソースが第２の端子１０２に接続された第３のＭＯＳトランジスタＭ４と、を有し、誤差増幅回路１０４の出力が、信号処理回路１１０又は２１０を介して第１のＭＯＳトランジスタＭ２のソースに接続されていること...

• 公開日：2017/07/13
• 出典：レギュレータ
• 出願人：ミツミ電機株式会社

ｐ型ウェル領域とｎ+型 ソース 領域がセルフアライメントで形成することができるとともに、ゲートしきい値電圧を上昇させることなくゲート絶縁膜の厚い高いゲート耐量を有するＭＯＳ型半導体装置および半導体装置の製造方法の提供。

• 公開日：2014/05/29
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

第１乃至第７のトランジスタと、第１乃至第５の配線と、を有し、前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の配線に電気的に接続され、前記第１のトランジスタの ソース 及びドレインの一方は、第１の電圧が与えられ、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２の配線に電気的に接続され、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第２の電圧が与えられ、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、前記第３のトラン...

• 公開日：2016/04/21
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

流体配給装置（１）は装置ハウジング（４３）を備え、該装置ハウジング（４３）は、流体（３）を容器又は流体 ソース から解放するための出口バルブに結合された出口（４）と、気体流体を気体ソースから受け取るための気体入口と、容器流体を容器から受け取るための容器入口と、ソース流体（３）を流体ソースから受け取るためのソース入口（６）とを有する。

• 公開日：2018/04/12
• 出典：流体配給装置
• 出願人：フェルトンホールディングソシエテアノニム