2型 の意味・用法を知る

Ｐ２型の結晶構造を有するナトリウム含有複合酸化物を含み、ナトリウム含有複合酸化物が、４価のチタンと、３価のクロムと、を含み、ナトリウム含有複合酸化物に含まれる４価のチタンのモル数：ＭTiと、ナトリウム含有複合酸化物に含まれる３価のクロムのモル数：ＭCrとが、１／５≦ＭTi／ＭCr≦１／２を満たす、ナトリウムイオン二次電池用電極活物質。

• 公開日：2017/01/12
• 出典：ナトリウムイオン二次電池用電極活物質およびその製造方法、並びにナトリウムイオン二次電池
• 出願人：住友電気工業株式会社

「リチウム過剰型」活物質と「ＬｉＭｅＯ２型」活物質を混合して、リチウム二次電池の正極における単極電気化学特性と充填性（低多孔度）を両立させることができる混合活物質、その混合活物質を用いた正極、及び、その正極を備えたリチウム二次電池を提供する。

• 公開日：2016/06/30
• 出典：リチウム二次電池用混合活物質、リチウム二次電池用正極、及びリチウム二次電池
• 出願人：株式会社ＧＳユアサ

第１型１０と第２型２０との間に長尺円筒状のプレパイプ材５０を配し、前記第１型１０と前記第２型２０を型閉じすることで前記プレパイプ材５０をその外周から加圧し、その外周面５０Ｍに前記絞り５５を形成する絞り工程を含み、前記第１型１０は、前記第２型２０と対向する面１１に多角面からなる第１凹部１０Ａを有し、前記第２型２０は、前記第１型１０と対向する面２１に多角面からなる第２凹部２０Ａを有し、前記絞り工程では、前記第１凹部１０Ａの第１多角凹内面１００と前記第２凹部２０Ａの第２多角凹内面２００とにより前記プレパイプ材５０を拘束しつつ加圧することで、前記第１多角凹内面１００の内面数と前記第２多角凹内面２００の...

• 公開日：2017/04/13
• 出典：パイプ材の製造方法
• 出願人：株式会社オティックス

シクロスポリンＡ２型および、ヒアルロン酸、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ポリビニルピロリドン、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、およびポリビニルピロリドンから選択されるヒドロゲルを含む持続作用型製剤。

• 公開日：2018/03/29
• 出典：シクロスポリン２型の持続作用型製剤
• 出願人：アラガン・インコーポレイティッド

本発明によれば、超急冷法で生成するＴｈＭｎ１２型の金属間化合物を磁石化する際に生じる問題を解決できる新たな強磁性合金およびその製造方法を提供する

• 登録日：2019/07/26
• 出典：希土類永久磁石およびその製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

基板１１０と、基板１１０上に形成された絶縁マスク層１３０と、絶縁マスク層１３０の一面に接触し、該一面と平行な方向に沿って順次配置された第１型半導体層１４０、活性層１５０、第２型半導体層１６０と、を含み、該絶縁マスク層１３０は、貫通ホールＨが具備され、第１型半導体層１４０、活性層１５０、第２型半導体層１６０が、貫通ホールＨから横方向成長法によって形成される横型フォトダイオード１００である。

• 公開日：2015/12/07
• 出典：横型フォトダイオード、及びそれを含むイメージセンサ、並びにフォトダイオード及びイメージセンサの製造方法
• 出願人：三星電子株式會社

一般式： ＲＴ１２Ｎｙ（式中、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙｂ及びＬｕからなる群から選択される少なくとも１種類の希土類元素、ＴはＦｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種類の元素であり、ｙは０．５≦ｙ≦１．５である）で表され、ＴｈＭｎ１２型結晶構造を有し、窒素原子が当該ＴｈＭｎ１２型結晶構造でのＲ原子間位置に位置することを特徴とする希土類異方性磁石材料。

• 公開日：2016/03/31
• 出典：希土類異方性磁石材料およびその製造方法
• 出願人：国立研究開発法人物質・材料研究機構

2型 糖尿病の治療の主要な目的は、血糖コントロールを達成及び維持することで、微小血管(糖尿病性ニューロパシー、網膜症又は腎症)及び大血管(心疾患、脳卒中、循環器疾患の他の形態)の合併症のリスクを低減することである

• 登録日：2019/06/21
• 出典：ベンゾジアゼピンの合成
• 出願人：クラクソスミスクラインインテレクチュアルプロパティ（ナンバー２）リミテッド

絶縁層１０４、半導体層１０６、ゲート絶縁層１０８および導電層１１０を含む積層体１０２を形成する。積層体１０２に形成された第１型のトレンチ１１４の内側側壁に金属酸化物層１２６を形成し、第１型と第２型のトレンチ１１４、１１６内に第１型と第２型の導電性材料１２８，１３０を形成する。金属酸化物層１２６により構成される抵抗スイッチングメモリ層３１０と第１型の導電性材料１２８との間の電気経路の導電性は、トランジスタデバイス３０２により制御される。

• 公開日：2015/07/02
• 出典：３次元抵抗メモリアレイ
• 出願人：アイメックヴィーゼットダブリュー

...−イル）チアゾール−４−イル］−ベンズアミド一塩酸塩とＮ−［１−６−（エチニル−３−オキソ−ヘキサヒドロ−フロ［３，２−ｂ］ピロール−４−カルボニル）−３−メチル−ブチル］−４−［５−フルオロ−２−（４−メチル−ピペラジン−１−イル）チアゾール−４−イル］−ベンズアミド一塩酸塩水和物からなる結晶多形２型を提供する

• 登録日：2019/05/24
• 出典：システインプロテアーゼ阻害剤として有用なＮ－［１－６－（エチニル－３－オキソ－ヘキサヒドロ－フロ［３，２－ｂ］ピロール－４－カルボニル）－３－メチル－ブチル］－４－［５－フルオロ－２－（４－メチル－ピペラジニル）チアゾール－４－イル］－ベンズアミドの塩の結晶多形２型
• 出願人：メデイヴイル・アクチエボラーグ