2型 の意味・用法を知る

基板１１０と、基板１１０上に形成された絶縁マスク層１３０と、絶縁マスク層１３０の一面に接触し、該一面と平行な方向に沿って順次配置された第１型半導体層１４０、活性層１５０、第２型半導体層１６０と、を含み、該絶縁マスク層１３０は、貫通ホールＨが具備され、第１型半導体層１４０、活性層１５０、第２型半導体層１６０が、貫通ホールＨから横方向成長法によって形成される横型フォトダイオード１００である。

• 公開日：2015/12/07
• 出典：横型フォトダイオード、及びそれを含むイメージセンサ、並びにフォトダイオード及びイメージセンサの製造方法
• 出願人：三星電子株式會社

一般式： ＲＴ１２Ｎｙ（式中、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙｂ及びＬｕからなる群から選択される少なくとも１種類の希土類元素、ＴはＦｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種類の元素であり、ｙは０．５≦ｙ≦１．５である）で表され、ＴｈＭｎ１２型結晶構造を有し、窒素原子が当該ＴｈＭｎ１２型結晶構造でのＲ原子間位置に位置することを特徴とする希土類異方性磁石材料。

• 公開日：2016/03/31
• 出典：希土類異方性磁石材料およびその製造方法
• 出願人：国立研究開発法人物質・材料研究機構

2型 糖尿病の治療の主要な目的は、血糖コントロールを達成及び維持することで、微小血管(糖尿病性ニューロパシー、網膜症又は腎症)及び大血管(心疾患、脳卒中、循環器疾患の他の形態)の合併症のリスクを低減することである

• 公開日：2017/08/17
• 出典：ベンゾジアゼピンの合成
• 出願人：クラクソスミスクラインインテレクチュアルプロパティ（ナンバー２）リミテッド

絶縁層１０４、半導体層１０６、ゲート絶縁層１０８および導電層１１０を含む積層体１０２を形成する。積層体１０２に形成された第１型のトレンチ１１４の内側側壁に金属酸化物層１２６を形成し、第１型と第２型のトレンチ１１４、１１６内に第１型と第２型の導電性材料１２８，１３０を形成する。金属酸化物層１２６により構成される抵抗スイッチングメモリ層３１０と第１型の導電性材料１２８との間の電気経路の導電性は、トランジスタデバイス３０２により制御される。

• 公開日：2015/07/02
• 出典：３次元抵抗メモリアレイ
• 出願人：アイメックヴィーゼットダブリュー

Ｎ−［１−６−（エチニル−３−オキソ−ヘキサヒドロ−フロ［３，２−ｂ］ピロール−４−カルボニル）−３−メチル−ブチル］−４−［５−フルオロ−２−（４−メチル−ピペラジン−１−イル）チアゾール−４−イル］−ベンズアミド一塩酸塩とＮ−［１−６−（エチニル−３−オキソ−ヘキサヒドロ−フロ［３，２−ｂ］ピロール−４−カルボニル）−３−メチル−ブチル］−４−［５−フルオロ−２−（４−メチル−ピペラジン−１−イル）チアゾール−４−イル］−ベンズアミド一塩酸塩水和物からなる結晶多形２型、医薬品としてのその使用、及びその調製の方法を提供する。

• 公開日：2016/09/29
• 出典：システインプロテアーゼ阻害剤として有用なＮ−［１−６−（エチニル−３−オキソ−ヘキサヒドロ−フロ［３，２−ｂ］ピロール−４−カルボニル）−３−メチル−ブチル］−４−［５−フルオロ−２−（４−メチル−ピペラジニル）チアゾール−４−イル］−ベンズアミドの塩の結晶多形２型
• 出願人：メデイヴイル・アクチエボラーグ

斜方晶ＫＨｇ２型またはＣｅＣｕ２型の結晶構造で、ＹｂＣｕ１＋ｙＧａ１−ｙ（０≦ｙ≦０．５）の化学組成で表される低熱膨張率合金、および斜方晶ＴｉＮｉＳｉ型構造で、ＹｂＰｄＡｌもしくはＹｂＰｄＧａの化学式で表される低熱膨張率合金、およびこれらの低熱膨張率合金。

• 公開日：2016/08/08
• 出典：低熱膨張率合金からなる構造用材料およびその装置
• 出願人：国立研究開発法人物質・材料研究機構

代謝症候群が、糖尿病、脂質異常症、肥満及び／又は脂肪過多症、特に２型糖尿病から選択される、請求項１２に記載の医薬組成物。

• 公開日：2016/07/14
• 出典：代謝症候群を処置するための医薬組成物
• 出願人：サノフイ

フランジ側面（平坦面）１２ｅを形成するためのフランジ調整部材５３の中心軸ＣＸ方向の厚み調整によって第１型部材５１に対向して型締めされる第２型部材５２との隙間を減少させるので、一対の型部材５１，５２を突き合わせて光学素子３０の側面形状まで成形する場合であっても、横置きの光学素子３０が側面から側方に延びるバリによって傾いて設置されることを防止できる。

• 公開日：2016/08/08
• 出典：光学素子の製造方法及び成形型
• 出願人：コニカミノルタ株式会社

少なくとも第１型および第２型を含む複数の型からなる成形型のキャビティ内に加飾層が表面に設けられたフィルムが配置された状態で樹脂成形して樹脂成形品に前記加飾層を転写するインモールド加飾成形装置であって、前記第１型に形成されて前記キャビティ内に温風を送風する第１温風ブロー回路と、前記第２型に形成されて前記キャビティ内に温風を送風する第２温風ブロー回路と、前記第１型に形成されて前記第１温風ブロー回路からの温風を排気させる第１排気弁と、前記第２型に形成されて前記第２温風ブロー回路からの温風を排気させる第２排気弁とを有し、前記成形型の型締めの際に前記第１温風ブロー回路および前記第２温風ブロー回路から温風...

• 公開日：2016/12/01
• 出典：インモールド加飾成形方法およびインモールド加飾成形装置
• 出願人：パナソニックＩＰマネジメント株式会社

本願発明では、Ｚｎ原子とＳｎ原子とＮ原子を含むβ−ＮａＦｅＯ２型構造を有する高結晶性の化合物並びにその製法を提供することである。

• 公開日：2016/09/01
• 出典：Ｚｎ原子とＳｎ原子とＮ原子を含むβ−ＮａＦｅＯ２型構造の高結晶性化合物及びその製法、並びにその用途
• 出願人：国立研究開発法人物質・材料研究機構